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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक - अधिकतम R पruguth की स तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव रत्य अय्यरस कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125, LQ (s 0.7300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8125 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 30 वी 10 ए (टीए) 4.5V, 10V 13MOHM @ 5A, 10V 2V @ 500µA 64 सना +20V, -25V 2580 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 1314 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK30S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 30 ए (टीए) 6v, 10v 18ohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D (STA4, Q, M) 1.9000
सराय
 ECAD 5682 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 10 ए (टीए) 10V 720MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 30V 1050 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
RN2402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2402 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 10 कांपो
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 (TE85L, F) 0.4200
सराय
 ECAD 390 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1606 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LQ 0.9100
सराय
 ECAD 7800 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 200 @ 26 सना ± 20 वी 1650 पीएफ @ 10 वी - 88.2W (टीसी)
2SC2655-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O, F (J (J (J (J -
सराय
 ECAD 3435 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
सराय
 ECAD 2897 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K208 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 1.9 ए (टीए) 1.8V, 4V 133MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.9 सभा @ 4 वी ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1114, LF 0.2000
सराय
 ECAD 7018 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1114 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F 0.1600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V ४.7 47
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU, LF 0.5800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, MT3S111 800MW यूएफएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 12.5db 6V 100ma एनपीएन 200 @ 30MA, 5V 10GHz 0.6db ~ 0.85DB @ 500MHz ~ 1GHz
2SC2712-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 350 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F, LXHF 0.4300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 60 वी 400ma (TA) 4V, 10V 1.55OHM @ 200mA, 10V 2V @ 1ma 3 सता @ 10 वी +10V, -20V 82 पीएफ @ 10 वी - 600MW (TA)
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D (STA4, Q, M) 2.5900
सराय
 ECAD 5991 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK11A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 11 ए (टीए) 10V 630mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL, L1Q 1.6500
सराय
 ECAD 7346 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 92 ए (टीए टीए), 70 टीसी (टीसी) 4.5V, 10V 4.1MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 1MA 75 सभा @ 10 वी ± 20 वी 6300 पीएफ @ 50 वी - 2.5W (टीए), 67W (टीसी)
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D (STA4, Q, M) 1.4400
सराय
 ECAD 6893 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK2A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 2 ए (टीए) 10V 3.26OHM @ 1A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 8048 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8102 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 30MOHM @ 3A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 19 सराय @ 5 वी ± 8V 1550 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 8893 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8018 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 30 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 1MA 34 सना ± 20 वी 2846 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2908 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 60 वी 150ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W, RVQ 1.1354
सराय
 ECAD 8551 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK8P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 8 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 4A, 10V 3.7V @ 400µA 18.5 सना ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1312 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1312 १५० तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage Gt30j341, इल्कस 3.4000
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - शिर शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT30J341 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT30J341Q Ear99 8541.29.0095 100 300V, 30A, 24OHM, 15V 50 एनएस 600 वी 59 ए 120 ए 2V @ 15V, 30A 800 JOT (ON), 600) J (बंद) 80NS/280NS
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y, LF 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SA1832 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, निककीक (निककीक () -
सराय
 ECAD 2832 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2257 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 2 ए, 2 वी -
1SS315TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315TPH3F 0.0600
सराय
 ECAD 6355 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SS315 यूएससी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 ३० सना हुआ 0.6pf @ 0.2V, 1MHz Schottky - एकल 5V -
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE, LM 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 13.5pf @ 3V सराय -स
2SA1588-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-O, LF 0.0478
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1588 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
TK20E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W5, S1VX 3.5500
सराय
 ECAD 6535 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK20E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 175MOHM @ 10A, 10V 4.5V @ 1MA ५५ सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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