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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ) तंग तमाम Q @ vr, f
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N42FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4807 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N42 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 800ma 240MOHM @ 500mA, 4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 90pf @ 10v सराय -स
TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L, LXGQ 3.5600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK200F04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 200 ए (टीए) 6v, 10v 0.9mohm @ 100a, 10v 3V @ 1MA २१४ सना ± 20 वी 14920 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3798 (STA4, Q, M) 1.4000
सराय
 ECAD 9938 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 4 ए (टीए) 10V 3.5OHM @ 2A, 10V 4V @ 1MA 26 सना ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KCT, L3F 0.2500
सराय
 ECAD 71 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE, LM 0.4500
सराय
 ECAD 108 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6L36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 500ma, 330mA 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10v सराय -स
2SC6040,T2Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040, T2Q (J (J) -
सराय
 ECAD 6156 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6040 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 800 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 800ma 60 @ 100ma, 5v -
TK60E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3, S1X (s -
सराय
 ECAD 6639 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK60E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 60 ए 9MOHM @ 30A, 10V - 75 सभा @ 10 वी - 128W
1SS396,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS396, एलएफ 0.3900
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS396 schottky एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 70ma 360 एमवी @ 10 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPCA8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8005-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 1160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8005 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 27 ए (टीए) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 2.3V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 1395 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7491 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2107 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LF 0.2000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014, L1NV 0.9900
सराय
 ECAD 8196 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 800 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v -
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7025 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC5085 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12v 80MA एनपीएन 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
RN1412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412, LF 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
TK20E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W5, S1VX 3.5500
सराय
 ECAD 6535 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK20E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 175MOHM @ 10A, 10V 4.5V @ 1MA ५५ सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
1SV314(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV314 (TPL3, एफ) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SV314 ईएससी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 3.4pf @ 2.5V, 1MHz कसना 10 वी 2.5 C0.5/C2.5 -
TPCA8A04-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A04-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 9760 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8A04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 44 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 22A, 10V 2.3V @ 1MA ५ ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 5700 पीएफ @ 10 वी - -
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292 (TE85R, F) -
सराय
 ECAD 9325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 12.5 वी सतह rurcur एससी -61AA 3SK292 500MHz MOSFET कांपना - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - 26 डीबी 1.4db 6 वी
2SA1588-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-O, LF 0.0478
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1588 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321, एलएफ 0.3200
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS321 schottky एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 10 वी 1 वी @ 50 सना हुआ ५०० सदाबहार @ १० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 50mA 3.2pf @ 0v, 1MHz
RN2309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2309 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
RN2906,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TK9A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E, S4X 2.2100
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम π-mosviii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK9A90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 9 ए (टीए) 10V 1.3OHM @ 4.5A, 10V 4V @ 900µA ४६ सना ± 30V 2000 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE, LF 0.4200
सराय
 ECAD 9048 0.00000000 तमाम U-mosii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J207 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 30 वी 1.4 ए (टीए) 4V, 10V 251MOHM @ 650mA, 10V 2.6V @ 1MA ± 20 वी 137 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8038-H (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 2841 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8038 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 12 ए (टीए) 11.4mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना 2150 पीएफ @ 10 वी - -
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 9502 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 300MHz
TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL1, LQ 1.5900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 0.9MOHM @ 50A, 10V 2.3V @ 1MA 74 सना ± 20 वी 6900 पीएफ @ 15 वी - 800MW (TA), 170W (TC)
SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L, EFF 0.9900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं SSM6N951 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक - 6-TCSPA (2.14x1.67) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 10,000 2 एन-चैनल 12v 8 ए 5.1MOHM @ 8A, 4.5V - - - -
2SJ438(AISIN,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 (आइसिन, क, क, एम) -
सराय
 ECAD 2864 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SJ438 To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 5 ए (टीजे)
TK5A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A45DA (STA4, Q, M) 1.0600
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 4.5 ए (टीए () 10V 1.75OHM @ 2.3A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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