SIC
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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम Raurautum की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM, RQ 1.1400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 80 वी 62 ए (टीसी) 6v, 10v 6.9MOHM @ 31A, 10V 3.5V @ 500µA 39 सना ± 20 वी 2700 पीएफ @ 40 वी - 89W (टीसी)
RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2101 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR, LXHF 0.3700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 300MV @ 10MA, 100mA / 250MV @ 10MA, 100MA 200 @ 2MA, 6V 120MHz, 150MHz
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5, LVQ 3.4800
सराय
 ECAD 3143 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 245mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 139W (टीसी)
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-Y (TE85L, F) 0.4200
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK879 100 तंग कांपना तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v १.२ सदा 400 एमवी @ 100 सवार
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1A04PL, S4X 1.2700
सराय
 ECAD 3177 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3R1A04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 40 वी 82 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 4670 पीएफ @ 20 वी - 36W (टीसी)
TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W, S5X 1.6700
सराय
 ECAD 2976 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 6.8 ए (टीए टीए) 10V 780MOHM @ 3.4A, 10V 3.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM6N43FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N43FU, LF 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N43 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 500ma 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
TPC8126,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8126, LQ (सेमी सेमी -
सराय
 ECAD 6338 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8126 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 10mohm @ 5.5a, 10v 2V @ 500µA ५६ सना +20V, -25V 2400 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3, S1X (s -
सराय
 ECAD 8993 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK50E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 50 ए (टीसी) 12mohm @ 25a, 10v - ५५ सना - -
2SC4116-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TK34E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1, S1X 1.5900
सराय
 ECAD 1876 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK34E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 75 ए (टीसी) 10V 9.5MOHM @ 17A, 10V 4V @ 500µA 38 सना ± 20 वी 2600 पीएफ @ 50 वी - 103W (टीसी)
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1 (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 4208 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40P03 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 100 @a 17.5 ranak @ 10 वी ± 20 वी 1150 पीएफ @ 10 वी - -
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 SSM5N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LQ 0.9100
सराय
 ECAD 7800 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 200 @ 26 सना ± 20 वी 1650 पीएफ @ 10 वी - 88.2W (टीसी)
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 60 वी 150ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC2655-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O, F (J (J (J (J -
सराय
 ECAD 3435 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3K7002BS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BS, LF -
सराय
 ECAD 5298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 200ma (TA) 4.5V, 10V 2.1ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA ± 20 वी 17 पीएफ @ 25 वी - 200MW (TA)
RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1114, LF 0.2000
सराय
 ECAD 7018 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1114 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1312 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1312 १५० तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage Gt30j341, इल्कस 3.4000
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - शिर शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT30J341 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT30J341Q Ear99 8541.29.0095 100 300V, 30A, 24OHM, 15V 50 एनएस 600 वी 59 ए 120 ए 2V @ 15V, 30A 800 JOT (ON), 600) J (बंद) 80NS/280NS
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
सराय
 ECAD 2897 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K208 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 1.9 ए (टीए) 1.8V, 4V 133MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.9 सभा @ 4 वी ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2901 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y, LF 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SA1832 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L, LXHQ 1.6500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 158 KANAK +10V, -20V 7770 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B (TE85L, QM 0.4100
सराय
 ECAD 9920 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 1 ए 60 @a @ 30 V 150 ° C 1 क 50pf @ 10v, 1MHz
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK58A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीसी) 10V 5.4MOHM @ 29A, 10V 4V @ 500µA ४६ सना ± 20 वी 3400 पीएफ @ 30 वी - 35W (टीसी)
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D (STA4, Q, M) 1.6800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 8 ए (टीए) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 3760 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 16 ए (टीए) 330MOHM @ 8A, 10V 4V @ 1MA 45 सना 2600 पीएफ @ 25 वी - -
TPC8227-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8227-H, LQ -
सराय
 ECAD 5995 0.00000000 तमाम U-mosvi-h थोक शिर 150 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8227 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W (TA) 8-सेप तंग 264-TPC8227-HLQ Ear99 8541.29.0095 1 2 the-चैनल (therी) 40V 5.1 ए 33MOHM @ 2.6A, 10V 2.3V @ 100 @a 10nc @ 10v 640pf @ 10v -
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