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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम Raurautum की स तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5086-y, lf -
सराय
 ECAD 9674 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12v 80MA एनपीएन 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
सराय
 ECAD 1640 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1102 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 500ma (TA) 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC4116FU, LF 0.2400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 TTC4116 100 तंग एससी -70 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D (STA4, Q, M) 2.4700
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
SSM3K35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AFS, LF 0.2500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 250ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34 NC @ 4.5 V ± 10V 36 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN4905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905, LXHF (सीटी) 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
GT50J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage Gt50j341, q 3.5900
सराय
 ECAD 3865 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम 200 सेम से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 - - 600 वी 50 ए 100 ए 2.2V @ 15V, 50 ए - -
2SK2883(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2883 (TE24L, Q) -
सराय
 ECAD 9932 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK2883 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 800 वी 3 ए (टीए) 10V 3.6OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 750 पीएफ @ 25 वी - 75W (टीसी)
SSM3K344R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K344R, LF 0.4400
सराय
 ECAD 32 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K344 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 71MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 2 सना हुआ @ 4 वी ± 8V 153 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TW107Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107Z65C, S1F 8.7500
सराय
 ECAD 110 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 20 ए (टीसी) 18V 152MOHM @ 10A, 18V 5V @ 1.2MA 21 सना +25v, -10v 600 पीएफ @ 400 वी - 76W (टीसी)
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 6517 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK11A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीए) 10V 650mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1550 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SA1020-Y,F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, F (M (M) -
सराय
 ECAD 1478 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SA1020-yf (एम) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB, LXHQ 1.9500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK1R4S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.9MOHM @ 60A, 6V 3V @ 500 @ 103 सनाह ± 20 वी 5500 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R, LXHF 0.7700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N813 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W (TA) 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 100V 3.5 ए (टीए) 112MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 100 @a 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट, 4.5V पचुर
TPCC8002-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 2822 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 22 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2500 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1105CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 8471 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1105 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
SSM3K56CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56CT, L3F 0.4600
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TA) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J327R, LF 0.4000
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J327 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3.9 ए (टीए टीए) 1.5V, 4.5V 93MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना ± 8V 290 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड SSM5H16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 1.9 ए (टीए) 1.8V, 4V 133MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.9 सभा @ 4 वी ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी अणु (पृथक) 500MW (TA)
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357, H3F 0.1900
सराय
 ECAD 96 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS357 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 11pf @ 0v, 1MHz
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 5-फ, फthu लीड SSM5H90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 2.4 ए (टीए) 2.5V, 4V 65MOHM @ 1.5A, 4V 1.2V @ 1MA २.२ सना ± 10V 200 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LQ 2.8100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK100S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 सना ± 20 वी 5490 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1106 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES388, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 52 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 CES388 schottky ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 25pf @ 0v, 1MHz
TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W, LQ 3.4300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK17V65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 210mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900µA 45 सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 156W (टीसी)
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 6271 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMH05A तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.8 वी @ 1 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT, L3F 0.4700
सराय
 ECAD 188 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 1.4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R206NC, L1XHQ 1.7500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVIII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) XPH3R206 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 70 ए (टीए) 3.2MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 500µA 65 सना ± 20 वी 4180 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM, S4X 2.8700
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 100 ए (टीसी) 6v, 10v 2.44MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 2.2MA 179 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 13000 पीएफ @ 40 वी - 47W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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