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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1105CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 8471 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1105 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
SSM3K56CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56CT, L3F 0.4600
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TA) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J327R, LF 0.4000
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J327 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3.9 ए (टीए टीए) 1.5V, 4.5V 93MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना ± 8V 290 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड SSM5H16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 1.9 ए (टीए) 1.8V, 4V 133MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.9 सभा @ 4 वी ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी अणु (पृथक) 500MW (TA)
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357, H3F 0.1900
सराय
 ECAD 96 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS357 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 11pf @ 0v, 1MHz
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 5-फ, फthu लीड SSM5H90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 2.4 ए (टीए) 2.5V, 4V 65MOHM @ 1.5A, 4V 1.2V @ 1MA २.२ सना ± 10V 200 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LQ 2.8100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK100S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 सना ± 20 वी 5490 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1106 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES388, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 52 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 CES388 schottky ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 25pf @ 0v, 1MHz
TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W, LQ 3.4300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK17V65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 210mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900µA 45 सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 156W (टीसी)
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 6271 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMH05A तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.8 वी @ 1 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT, L3F 0.4700
सराय
 ECAD 188 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 1.4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R206NC, L1XHQ 1.7500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVIII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) XPH3R206 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 70 ए (टीए) 3.2MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 500µA 65 सना ± 20 वी 4180 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM, S4X 2.8700
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 100 ए (टीसी) 6v, 10v 2.44MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 2.2MA 179 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 13000 पीएफ @ 40 वी - 47W (टीसी)
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 61 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-udfn ने पैड को को ranahar rab SSM6H19 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFN (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 8V 185mohm @ 1a, 8v 1.2V @ 1MA २.२ सदा ± 12V 130 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE, LXHF (CT 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1911 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk3a60da (कmus, एम) 1.2000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 2.5 ए (टीए) 10V 2.8OHM @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
TPCC8009,LQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8009, LQ (O (O) -
सराय
 ECAD 6494 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8009 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 24 ए (टीए) 7mohm @ 12a, 10v 3V @ 200 @ 26 सना 1270 पीएफ @ 10 वी - -
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 4367 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2102 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564 (STA4, Q, M) 1.6200
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तमाम π-Mosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3564 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 3 ए (टीए) 10V 4.3OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA 17 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6P15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100 @a - 9.1pf @ 3V -
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415, LF 0.1800
सराय
 ECAD 7792 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R, LF 0.4700
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J340 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 4 ए (टीए) 4V, 10V 45MOHM @ 4A, 10V 2.2V @ 250µA ६.२ सना +20V, -25V 492 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1112MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1112 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २२ सिपाही
RN2105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV, L3F -
सराय
 ECAD 8823 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2105 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) RN2105MFVL3F Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 1031 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1110 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R, LF 0.7200
सराय
 ECAD 5425 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K809 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
TPCA8056-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8056-H, LQ (M) -
सराय
 ECAD 5127 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8056 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 48 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 24A, 10V 2.3V @ 1MA 74 सना ± 20 वी 6200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 63W (टीसी)
TK60D08J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1 (CHANTH) -
सराय
 ECAD 6420 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK60D08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220 (w) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 60 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.8MOHM @ 30A, 10V 2.3V @ 1MA 86 सभा @ 10 वी ± 20 वी 5450 पीएफ @ 10 वी - 140W (टीसी)
2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168TE85LF 0.9000
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SJ168 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 60 वी 200ma (TA) 10V 2OHM @ 50ma, 10v - ± 20 वी 85 पीएफ @ 10 वी - 200MW (TA)
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    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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