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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT (TPL3) 0.3300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1112 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २२ सिपाही
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410, LF 0.1900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F (CT (CT (CT) 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 1MA, 5V ४.7 47
RN2110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2110 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK56A12N1, S4X 2.0900
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली तमाम 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK56A12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 56 ए (टीसी) 10V 7.5MOHM @ 28A, 10V 4V @ 1MA 69 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 60 वी - 45W (टीसी)
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4C51J (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 HN4C51 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100ma 100NA (ICBO) २ (rayrी) ranamamauthak kayair 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
2SK3670(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 (एफ, एम) -
सराय
 ECAD 3769 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK3670 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS406, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS406 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 20 वी 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 50mA 3.9pf @ 0v, 1MHz
SSM3K106TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K106TU (TE85L) -
सराय
 ECAD 1623 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3K106 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 1.2 ए (टीए) 4V, 10V 310mohm @ 600ma, 10v 2.3V @ 100 @a ± 20 वी 36 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36FS, LF 0.2900
सराय
 ECAD 479 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) तमाम 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3J36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.31OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.2 सना ± 8V 43 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LF 0.1800
सराय
 ECAD 184 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
RN2412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LF 0.0309
सराय
 ECAD 8990 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) तमाम - Rohs3 आजthabaira 264-RN2412, LFTR 3,000
TPC6009-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6009-H (TE85L, FM -
सराय
 ECAD 2245 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6009 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 5.3 ए (टीए टीए) 4.5V, 10V 81MOHM @ 2.7A, 10V 2.3V @ 100 @a ४.7 सना ± 20 वी 290 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
2SC4682,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 4429 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC4682 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 15 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 30MA, 3 ए 800 @ 500MA, 1V 150MHz
SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R, LF 0.4500
सराय
 ECAD 112 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) तमाम -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K341 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
2SA949-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2Sa949-y, f (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 1766 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL, LQ 0.9400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) तमाम 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN11006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 17 ए (टीसी) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 8.5a, 10v 2.5V @ 200 @ 23 सना ± 20 वी 2000 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60X, S5x 4.0100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली तमाम 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK25A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 125mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1313 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8679 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1313 १५० तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 47
2SK3127(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3127 (TE24L, Q) -
सराय
 ECAD 2581 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK3127 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 45 ए (टीए) 10V 12mohm @ 25a, 10v 3V @ 1MA 66 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2300 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-GR, LF 0.2600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TTC009,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TTC009, F (j -
सराय
 ECAD 3543 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TTC009 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 80 वी 3 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 5V 150MHz
2SK3868(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3868 -
सराय
 ECAD 4652 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3868 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीए) 10V 1.7OHM @ 2.5A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 550 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 9502 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 300MHz
TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B, S4X 1.6000
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - नली तमाम 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TTD1409 2 डब To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 400 वी 6 ए 20 ए (आईसीबीओ) तमाम 2V @ 40ma, 4 ए 600 @ 2 ए, 2 वी -
2SA949-Y,ONK-1F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (M) -
सराय
 ECAD 6594 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2503 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2503 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TK62Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62Z60X, S1F 17.4600
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम - नली तमाम 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 TK62Z60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 40mohm @ 21a, 10v 3.5V @ 3.1MA 135 सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A65DA (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 7758 0.00000000 तमाम π-mosvii नली तमाम 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 3.5 ए (टीए) 10V 1.9OHM @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK6R7A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7A10PL, S4X 1.5200
सराय
 ECAD 2989 0.00000000 तमाम - नली तमाम 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6R7A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 56 ए (टीसी) 4.5V, 10V 6.7MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 500µA 58 सना ± 20 वी 3455 पीएफ @ 50 वी - 42W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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