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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SC4116-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1 (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 4208 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40P03 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 100 @a 17.5 ranak @ 10 वी ± 20 वी 1150 पीएफ @ 10 वी - -
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 SSM5N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LQ 0.9100
सराय
 ECAD 7800 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 200 @ 26 सना ± 20 वी 1650 पीएफ @ 10 वी - 88.2W (टीसी)
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 60 वी 150ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1114, LF 0.2000
सराय
 ECAD 7018 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1114 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
सराय
 ECAD 2897 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K208 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 1.9 ए (टीए) 1.8V, 4V 133MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.9 सभा @ 4 वी ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK58A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीसी) 10V 5.4MOHM @ 29A, 10V 4V @ 500µA ४६ सना ± 20 वी 3400 पीएफ @ 30 वी - 35W (टीसी)
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D (STA4, Q, M) 1.6800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 8 ए (टीए) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
TK10J80E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E, S1E 3.0700
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम π-mosviii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK10J80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 800 वी 10 ए (टीए) 10V 1ohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA ४६ सना ± 30V 2000 पीएफ @ 25 वी - 250W (टीसी)
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 4145 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2108 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V २२ सिपाही 47
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1709 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
SSM6J801R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J801R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 124 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J801 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 32.5MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 840 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LF 0.1800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
TK065N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065N65Z, S1F 7.1500
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK065N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK065N65ZS1F Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 38 ए (टीए) 10V 65MOHM @ 19A, 10V 4V @ 1.69ma 62 सना ± 30V 3650 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
2SA1428-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-Y, T2F (एम) -
सराय
 ECAD 5045 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963FE (TE85L, F) 0.1000
सराय
 ECAD 915 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1963 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H, S1Q 2.8900
सराय
 ECAD 340 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS10E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 10 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 10 ए 649pf @ 1V, 1MHz
2SJ304(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304 (एफ) -
सराय
 ECAD 2391 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SJ304 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 पी-पी 60 वी 14 ए (टीए) 4V, 10V 120MOHM @ 7A, 10V 2V @ 1ma 45 सना ± 20 वी 1200 पीएफ @ 10 वी - 40W (टीसी)
RN1901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901, LXHF (सीटी ((() 0.3600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1901 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE, LXHF (सीटी ((() 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2910 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A10N1, S4X 1.4100
सराय
 ECAD 4640 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK22A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 22 ए (टीसी) 10V 13.8mohm @ 11a, 10v 4V @ 300µA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1800 पीएफ @ 50 वी - 30W (टीसी)
TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1, S1X 3.9800
सराय
 ECAD 147 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK100E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 100 ए (टीए) 10V 3.4MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 140 सना ± 20 वी 8800 पीएफ @ 50 वी - 255W (टीसी)
RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908, LXHF (सीटी) 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 47KOHMS
TK090N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090N65Z, S1F 6.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK090N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK090N65ZS1F Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
2SA1020-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (6MBH1, AF -
सराय
 ECAD 3365 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R, LXHF 1.0200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K819 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 10 ए (टीए) 4.5V, 10V 25.8MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 8.5 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 15 वी - 1.5W (TA)
RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2107 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 47
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 9428 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8066 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 16mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B (TE85L, QM 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS10I40 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 450 mV @ 1 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 62pf @ 10v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

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