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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965 (TE85L, F) 0.0865
सराय
 ECAD 3211 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1965 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, HFEYHF (M) -
सराय
 ECAD 6958 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F, S4X 0.9000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K7A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 4 ए (टीए) 10V 1.7OHM @ 2A, 10V 4V @ 460µA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 560 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W, S5X 1.6700
सराय
 ECAD 2976 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 6.8 ए (टीए टीए) 10V 780MOHM @ 3.4A, 10V 3.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2712JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2712 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 22kohms -
RN1404,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404, LF 0.2200
सराय
 ECAD 5315 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1404 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2709JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2709 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114E, LM 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA114 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 8145 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40P04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 11MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 200 @ २ ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 1920 पीएफ @ 10 वी - 47W (टीसी)
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D (STA4, Q, M) 2.1600
सराय
 ECAD 3743 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK11A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 11 ए (टीए) 10V 600mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 30V 1200 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K48FU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 22 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K48 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 3.2OHM @ 10MA, 4V 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 15.1 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1424TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1424 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v ३०० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LF (सीटी ((((() 0.2000
सराय
 ECAD 633 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1115 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2101 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TRS16N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65D, S1F -
सराय
 ECAD 6491 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS16N schottky टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 8 ए (डीसी) 1.7 वी @ 8 ए 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TK10E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W, S1VX 3.0600
सराय
 ECAD 3786 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK10E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W5, S1VF 8.1100
सराय
 ECAD 874 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK39N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 38.8 ए (टीए टीए) 10V 74MOHM @ 19.4A, 10V 4.5V @ 1.9ma 135 सना ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
CLS02(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (T6L, CANO-O, Q -
सराय
 ECAD 4848 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS02 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 10 ए 1 पायल @ 40 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 420pf @ 10v, 1MHz
TPCA8008-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 6237 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 250 वी 4 ए (टीए) 10V 580MOHM @ 2A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN1103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1103 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8048-H (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 7690 0.00000000 तमाम U-mosvi-h कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8048 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 16 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.9MOHM @ 8A, 10V 2.3V @ 1MA 87 सना ± 20 वी 7540 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
CLS03,LNITTOQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLS03, LNITTOQ (O) -
सराय
 ECAD 6921 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE, LXHF (सीटी (((() 0.3800
सराय
 ECAD 1250 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4983 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014, L1NV 0.9900
सराय
 ECAD 8196 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 800 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v -
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J09FU, LF 0.4100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3J09 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 200ma (TA) 3.3V, 10V 2.7ohm @ 100ma, 10v 1.8V @ 100 @a ± 20 वी 22 पीएफ @ 5 वी - 150MW (TA)
TPH1R204PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL, L1Q 1.5500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH1R204 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.24MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 500µA 74 सना ± 20 वी 7200 पीएफ @ 20 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310, LF 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1310 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
DSF05S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF05S30U (TPH3, F) -
सराय
 ECAD 8061 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 DSF05 schottky यूएससी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 एमवी @ 500 एमए 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-BL, LF 0.3200
सराय
 ECAD 6073 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 1MA, 10MA 350 @ 2ma, 6v 100MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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