SIC
close

अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH, L1Q 2.9800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8 नताया मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 200 वी 33 ए (टीसी) 10V 29MOHM @ 16.5A, 10V 4V @ 1MA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 2200 पीएफ @ 100 वी - 800MW (TA), 142W (TC)
SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 391 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N37 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 2.2OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
TK60E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3, S1X (s -
सराय
 ECAD 6639 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK60E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 60 ए 9MOHM @ 30A, 10V - 75 सभा @ 10 वी - 128W
TK040Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040Z65Z, S1F 12.5400
सराय
 ECAD 2107 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 TK040Z65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK040Z65ZS1F Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 650 वी 57 ए (टीए) 10V 40mohm @ 28.5a, 10v 4V @ 2.85ma 105 सना ± 30V 6250 पीएफ @ 300 वी - 360W (टीसी)
RN4990(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4990 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS -
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W, S1VQ 2.1200
सराय
 ECAD 4963 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK7Q60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीए) 10V 600MOHM @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
RN2907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F, LF 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J352 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 10V 110MOHM @ 2A, 10V 1.2V @ 1MA ५.१ सना हुआ @ ५ ± 12V 210 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
2SC1627A-O,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC1627A-O, PASF (M) -
सराय
 ECAD 7005 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC1627 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 80 वी ४०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 20MA, 200A 70 @ 50mA, 2V 100MHz
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7491 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2107 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R, LF 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J374 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 4 ए (टीए) 4V, 10V 71MOHM @ 3A, 10V 2V @ 100 @a ५. ९ सराय @ १० वी +10V, -20V 280 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
RN2307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2307 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 47
TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LQ 1.6400
सराय
 ECAD 4104 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK15S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 610 पीएफ @ 10 वी - 46W (टीसी)
CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A (TE85L, QM 0.4500
सराय
 ECAD 8628 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS15I40 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1.5 ए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए 35pf @ 10v, 1MHz
HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FTE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 66 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1D03 तमाम एससी -74 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी सीए + सीसी 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPCC8008(TE12L,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008 (TE12L, QM) -
सराय
 ECAD 3585 0.00000000 तमाम यू-यू कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 12.5a, 10v 2.5V @ 1 ए 30 एनसी @ 10 वी ± 25V 1600 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
RN1105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1105 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 47
TPC8212-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H (TE12LQ, M -
सराय
 ECAD 9667 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8212 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 6 ए 21MOHM @ 3A, 10V 2.3V @ 1MA 16NC @ 10v 840pf @ 10v सराय -स
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL, L1Q 1.6500
सराय
 ECAD 7346 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 92 ए (टीए टीए), 70 टीसी (टीसी) 4.5V, 10V 4.1MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 1MA 75 सभा @ 10 वी ± 20 वी 6300 पीएफ @ 50 वी - 2.5W (टीए), 67W (टीसी)
CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07 (TE12L, Q, M) 0.1916
सराय
 ECAD 2620 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS07 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 2 ए 500 @a @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 397 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3K123 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 4.2 ए (टीए () 1.5V, 4V 28MOHM @ 3A, 4V 1V @ 1MA 13.6 ranak @ 4 वी ± 10V 1010 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
1SS361CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361CT (TPL3) 0.3400
सराय
 ECAD 242 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 1SS361 तमाम Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 1.6 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TK5A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65DA (STA4, Q, M) 1.5900
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 4.5 ए (टीए () 10V 1.67OHM @ 2.3A, 10V 4.4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TPC8021-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8021-H (TE12LQ, M -
सराय
 ECAD 1471 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8021 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 17mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 640 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH, L1Q 2.7900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 60 ए (टीसी) 10V 4MOHM @ 30A, 10V 4V @ 1MA ५ ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 5300 पीएफ @ 40 वी - 1.6W (TA), 78W (टीसी)
TK5A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A45DA (STA4, Q, M) 1.0600
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 4.5 ए (टीए () 10V 1.75OHM @ 2.3A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2318 (TE85L, F) 0.2600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2318 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 3304 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1106 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V ४.7 47
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 2234 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1109 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 २२ सिपाही
2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SC6026 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें