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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D (TE16L1, NV) -
सराय
 ECAD 2534 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK2P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK2P60D (TE16L1NV) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 2 ए (टीए) 10V 4.3OHM @ 1A, 10V 4.4V @ 1MA 7 स्याह @ 10 वी ± 30V 280 पीएफ @ 25 वी - 60W (टीसी)
CRZ11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ11 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ11 700 सभा एस-फ तंग रोहस अफ़मार CRZ11 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7 V 11 वी 30 ओम
2SB1481(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481 (TOJS, Q, M) -
सराय
 ECAD 3254 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SB1481 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 4 ए 2 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 6MA, 3 ए 2000 @ 3 ए, 2 वी -
RN4905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TPCL4203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4203 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2304 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFLGA TPCL4203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग 4-एलजीए एलजीए (1.59x1.59) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 २- चैनल-चैनल - - - 1.2V @ 200 @ - 685pf @ 10v -
2SA1020-Y(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (ND1, AF) -
सराय
 ECAD 4519 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 SSM5N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4C51J (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 HN4C51 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100ma 100NA (ICBO) २ (rayrी) ranamamauthak kayair 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1424TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1424 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v ३०० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 7287 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292 (TE85R, F) -
सराय
 ECAD 9325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 12.5 वी सतह rurcur एससी -61AA 3SK292 500MHz MOSFET कांपना - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - 26 डीबी 1.4db 6 वी
HN3A51F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN3A51F (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2214 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN3A51 300MW SM6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LF 0.3000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TPCC8104,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104, L1Q -
सराय
 ECAD 5190 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) - 1 (असीमित) 264-TPCC8104L1QTR Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.8MOHM @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 सना +20V, -25V 2260 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D (STA4, Q, M) 2.4700
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8762 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 100ma, 1v 300MHz
RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1110MFV, L3F 0.1700
सराय
 ECAD 6072 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1110 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V ४.7
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH03 (TE16R, Q) -
सराय
 ECAD 2444 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLH03 तमाम एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 35 एनएस - 3 ए -
2SA1013-O,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O, T6MIBF (J) -
सराय
 ECAD 1634 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1013 900 तंग टू -92 एल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 50MHz
TK25A60X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60x5, S5x 4.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK25A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 140mohm @ 7.5a, 10v 4.5V @ 1.2MA 60 सना ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 1269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1107 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 (T5L, F, T) 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4362 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1303 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107ACT (TPL3) 0.3400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1107 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV (TL3, T) -
सराय
 ECAD 5110 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V ४.7 47
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR, LF 0.1800
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R, LXHF 0.6500
सराय
 ECAD 73 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 60 वी 3.5 ए (टीए) 4V, 10V 134MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 15.1 gapak @ 10 वी +10V, -20V 660 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SC5171,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, ONKQ (J (J) -
सराय
 ECAD 7689 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
2SC2229-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 2366 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV (TPL3) 0.2700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2118 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 47 10 कांपो
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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