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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF (डी (() -
सराय
 ECAD 5535 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1103MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV (TPL3) 0.0433
सराय
 ECAD 6128 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1103 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4C51J (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 HN4C51 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100ma 100NA (ICBO) २ (rayrी) ranamamauthak kayair 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W, S1VX 5.3700
सराय
 ECAD 1878 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK20E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 155mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 1MA 48 सना ± 30V 1680 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
2SC5171,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, ONKQ (J (J) -
सराय
 ECAD 7689 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564 (STA4, Q, M) 1.6200
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तमाम π-Mosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3564 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 3 ए (टीए) 10V 4.3OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA 17 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O (Q) 2.9800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 2SA1943 150 से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0075 100 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ36 (TE12L, Q, M) 0.5800
सराय
 ECAD 2937 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 2 डब एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 28.8 V 36 वी 30 ओम
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 5359 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1111 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V 10 कांपो
TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC, LQ 0.9900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R704 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 82 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.7MOHM @ 41A, 10V 2.4V @ 300µA 47 सना ± 20 वी 3615 पीएफ @ 20 वी - 830MW (TA), 90W (TC)
TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110P10PL, RQ 0.9600
सराय
 ECAD 8728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK110P10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 100 वी 40 ए (टीसी) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 300µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 50 वी - 75W (टीसी)
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 9279 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 4 ए (टीए) 4V, 10V 71MOHM @ 3A, 10V 2V @ 100 @a ५. ९ सराय @ १० वी +10V, -20V 280 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R, LF 0.7200
सराय
 ECAD 5425 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K809 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-Y, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SA2154 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-OTE85LF 0.2000
सराय
 ECAD 23 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग To-236 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305, LF 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2305 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1119MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 6434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1119 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 1 कांप
RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2116 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 10 कांपो
RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2107 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 47
TBAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAV99, LM 0.2000
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tbav99 तमाम -23-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB, LXHQ 1.9500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK1R4S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.9MOHM @ 60A, 6V 3V @ 500 @ 103 सनाह ± 20 वी 5500 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
TK110E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z, S1X 4.3100
सराय
 ECAD 129 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K361 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11003NL, LQ 0.8000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH11003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 32 ए (टीए) 4.5V, 10V 11mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 7.5 सराय @ 10 वी ± 20 वी 660 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (TA), 21W (टीसी)
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N40 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 1.6 ए (टीए) 122MOHM @ 1A, 10V 2.6V @ 1MA 5.1nc @ 10v 180pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट, 4v ड
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D (STA4, Q, M) 1.4400
सराय
 ECAD 6893 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK2A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 2 ए (टीए) 10V 3.26OHM @ 1A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
HN1B04FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LXHF 0.4500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10MA, 100mA / 300MV @ 10MA, 100MA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH, LQ 0.9600
सराय
 ECAD 3455 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN22006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 9 ए (टीए) 6.5V, 10V 22mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 100 @a 12 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 710 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 18W (TC)
TK5R1A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1A08QM, S4X 1.5900
सराय
 ECAD 66 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 70 ए (टीसी) 6v, 10v 5.1mohm @ 35a, 10v 3.5V @ 700µA ५४ सना ± 20 वी 3980 पीएफ @ 40 वी - 45W (टीसी)
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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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