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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L, LXHQ 1.6500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 158 KANAK +10V, -20V 7770 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1828TE85LF 0.3800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK1828 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -59 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 50ma (TA) 2.5V 40ohm @ 10MA, 2.5V 1.5V @ 100 @a 10V 5.5 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU, LXHF 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 103MOHM @ 1A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना +6v, -8v 270 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TPH1R204PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL, L1Q 1.5500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH1R204 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.24MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 500µA 74 सना ± 20 वी 7200 पीएफ @ 20 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK58A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीसी) 10V 5.4MOHM @ 29A, 10V 4V @ 500µA ४६ सना ± 20 वी 3400 पीएफ @ 30 वी - 35W (टीसी)
CRS04(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 (TE85L) -
सराय
 ECAD 7404 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS04 schottky एस-फ तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1 ए 100 µa @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3F -
सराय
 ECAD 1968 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2103 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) RN2103MFVL3F Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
TK60E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3, S1X (s -
सराय
 ECAD 6639 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK60E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 60 ए 9MOHM @ 30A, 10V - 75 सभा @ 10 वी - 128W
RN1112(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112 (TE85L, F) 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702TE85LF -
सराय
 ECAD 6945 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2702 200MW 5-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2701JE (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2701 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LF 0.2000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K01T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7187 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 3.2 ए (टीए) 2.5V, 4V 120MOHM @ 1.6A, 4V - ± 10V 152 पीएफ @ 10 वी - 1.25W (TA)
RN1406S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S, LF (डी (() -
सराय
 ECAD 5653 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) RN1406SLF (डी) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE, LF (सीटी ((((() 0.2500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1904 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK10E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W, S1VX 3.0600
सराय
 ECAD 3786 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK10E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R206NC, L1XHQ 1.7500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVIII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) XPH3R206 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 70 ए (टीए) 3.2MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 500µA 65 सना ± 20 वी 4180 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 8048 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8102 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 30MOHM @ 3A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 19 सराय @ 5 वी ± 8V 1550 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LF (सीटी ((((() 0.2000
सराय
 ECAD 633 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1115 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W, S5X 1.5300
सराय
 ECAD 101 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK11A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 11.1 ए (टीए) 10V 390MOHM @ 5.5A, 10V 3.5V @ 450µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65D (STA4, Q, M) 1.6200
सराय
 ECAD 1402 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TK5A65D (STA4QM) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 5 ए (टीए) 10V 1.43OHM @ 2.5A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH, L1Q 2.9800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8 नताया मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 200 वी 33 ए (टीसी) 10V 29MOHM @ 16.5A, 10V 4V @ 1MA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 2200 पीएफ @ 100 वी - 800MW (TA), 142W (TC)
TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5, S1VQ 9.6500
सराय
 ECAD 2743 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK31J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5MA 105 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
2SA1020-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6OMI, FM -
सराय
 ECAD 4882 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1969FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8601 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1969 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
TK15A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 5345 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK15A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15 ए (टीए) 10V 370MOHM @ 7.5A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2600 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA (STA4, Q, M) 1.2100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 2.5 ए (टीए) 10V 2.8OHM @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 30W (टीसी)
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3191 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC5095 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 13DB ~ 7DB 10V 15ma एनपीएन 80 @ 7ma, 6v 10GHz 1.8db @ 2ghz
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D, RQ (s 1.1700
सराय
 ECAD 6966 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK3P50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 3 ए (टीए) 10V 3OHM @ 1.5A, 10V 4.4V @ 1MA 7 स्याह @ 10 वी ± 30V 280 पीएफ @ 25 वी - 60W (टीसी)
TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM, RQ 1.1400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 80 वी 62 ए (टीसी) 6v, 10v 6.9MOHM @ 31A, 10V 3.5V @ 500µA 39 सना ± 20 वी 2700 पीएफ @ 40 वी - 89W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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