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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SK3670(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 (T6cano, एम।, एम।, एम। -
सराय
 ECAD 3113 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK3670 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5, RVQ 1.5900
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK8P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 8 ए (टीए) 10V 560MOHM @ 4A, 10V 4.5V @ 400µA २२ सदाबहार @ १० ± 30V 590 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1A04PL, S4X 1.2700
सराय
 ECAD 3177 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3R1A04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 40 वी 82 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 4670 पीएफ @ 20 वी - 36W (टीसी)
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D (STA4, Q, M) 2.1600
सराय
 ECAD 3743 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK11A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 11 ए (टीए) 10V 600mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 30V 1200 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT, L3F 0.4700
सराय
 ECAD 188 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 1.4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W, S1VQ 2.1200
सराय
 ECAD 4963 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK7Q60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीए) 10V 600MOHM @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R, LXHF 0.5000
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 29.8MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 840 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SC2655-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y (T6nd3, AF -
सराय
 ECAD 8423 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
सराय
 ECAD 1640 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1102 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN2C01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 60MHz
2SC3328-O,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-O, T6KEHF (M) -
सराय
 ECAD 3158 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC3328 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, केहिनक (केहिनक () -
सराय
 ECAD 4854 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2257 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 2 ए, 2 वी -
DSR01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SL, L3F 0.3500
सराय
 ECAD 49 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं DSR01S30 schottky SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 620 एमवी @ 100 एमए 700 पायल @ 30 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 8.2pf @ 0v, 1MHz
2SA1428-Y(T2TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-Y (T2TR, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 4372 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SD2206A(T6SEP,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206A (T6SEP, F, M -
सराय
 ECAD 4911 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2206 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 120 वी 2 ए - एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी -
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1962FE (TE85L, F) 0.1500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1962 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
TTB1067B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1067B, Q (s -
सराय
 ECAD 8529 0.00000000 तमाम * नली शिर TTB1067 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 250
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2405, LF 0.2200
सराय
 ECAD 1371 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2405 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 2591 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1110 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V ४.7
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1503 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B, S1Q 32.4200
सराय
 ECAD 104 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TW070J120 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) से 3 पी (एन) तंग 1 (असीमित) 264-TW070J120BS1Q Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 1200 वी 36 ए (टीसी) 20 वी 90MOHM @ 18A, 20V 5.8v @ 20ma 67 सना ± 25V, -10V 1680 पीएफ @ 800 वी तमाम 272W (टीसी)
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 4367 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2102 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TU, LF 0.5200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K2615 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 2 ए (टीए) 3.3V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 6 सना ± 20 वी 150 पीएफ @ 10 वी - 800MW (TA)
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W, S1X 3.6500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 9.5 ए (टीए टीए) 10V 550MOHM @ 4.8A, 10V 4V @ 450µA 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1150 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65W, S5x 1.7300
सराय
 ECAD 4293 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 5.8 ए (टीए () 10V 1ohm @ 2.9a, 10v 3.5V @ 180µA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
2SC2235-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (t6fjt, AF -
सराय
 ECAD 6044 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE, LM 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 13.5pf @ 3V सराय -स
HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01FTE85LF 0.4700
सराय
 ECAD 201 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN2D01 तमाम एससी -74 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 80MA 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM, L1Q 1.7000
सराय
 ECAD 3476 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH2R408 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 120 ए (टीसी) 6v, 10v 2.43MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 1MA 87 सना ± 20 वी 8300 पीएफ @ 40 वी - 3 डबthautun (टीए), 210W (टीसी)
CMS01(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01 (TE12L) -
सराय
 ECAD 6249 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS01 schottky एम-फ तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 mV @ 3 ए 5 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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