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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TPCC8104,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104, L1Q (सेमी (सेमी सेमी -
सराय
 ECAD 2662 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) - 1 (असीमित) 264-TPCC8104L1Q (CMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.8MOHM @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 सना +20V, -25V 2260 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1709 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8762 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 100ma, 1v 300MHz
2SC2655-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y (T6nd3, AF -
सराय
 ECAD 8423 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC4793,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, TOA1F (J (J) -
सराय
 ECAD 2036 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3403 -
सराय
 ECAD 1637 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3, लघु टैब 2SK3403 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fl तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 13 ए (टीए) 10V 400MOHM @ 6A, 10V 5V @ 1MA 34 सना ± 30V 1600 पीएफ @ 25 वी - 100W (टीसी)
2SC2655-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 8083 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963FE (TE85L, F) 0.1000
सराय
 ECAD 915 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1963 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3F -
सराय
 ECAD 1968 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2103 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) RN2103MFVL3F Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
2SA1428-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-Y, T2F (एम) -
सराय
 ECAD 5045 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F 0.1700
सराय
 ECAD 254 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1103 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2905 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (TPE6, F, M) -
सराय
 ECAD 8590 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2989 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 5 ए (टीजे)
SSM3K72KFS,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 9054 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-75, SOT-416 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 300ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
HN1D04FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D04FUTE85LF -
सराय
 ECAD 7995 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D04 तमाम US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सरायना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 1.6 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A55D (STA4, Q, M) 2.3000
सराय
 ECAD 5713 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 10 ए (टीए) 10V 720MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 30V 1200 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CTC, L3F 0.3200
सराय
 ECAD 4158 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 200ma (TA) 1.5V, 4.5V 2.2OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA ± 10V 12 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN1405,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405, LF 0.2100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1405 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 47
CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry62 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 9.68% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Cry62 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 6.2 वी 60 ओम
TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W5, S1VF 8.1100
सराय
 ECAD 874 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK39N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 38.8 ए (टीए टीए) 10V 74MOHM @ 19.4A, 10V 4.5V @ 1.9ma 135 सना ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK58A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 58 ए (टीसी) 10V 5.4MOHM @ 29A, 10V 4V @ 500µA ४६ सना ± 20 वी 3400 पीएफ @ 30 वी - 35W (टीसी)
1SS402TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS402TE85LF 0.3800
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -82 1SS402 schottky तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 20 वी 50mA 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2195, एलएफ 0.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SA2195 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 1.7 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 2234 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1109 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 २२ सिपाही
2SA1020-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (हिट, एम, एम) -
सराय
 ECAD 3530 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
CLS03(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, SQC, Q) -
सराय
 ECAD 9458 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
2SD2206A(T6SEP,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206A (T6SEP, F, M -
सराय
 ECAD 4911 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2206 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 120 वी 2 ए - एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी -
CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A (TE85L, QM 0.5000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS20I40 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 एमवी @ 2 ए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 35pf @ 10v, 1MHz
2SA1013-O,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O, T6MIBF (J) -
सराय
 ECAD 1634 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1013 900 तंग टू -92 एल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 50MHz
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A, LQ (एम) -
सराय
 ECAD 7420 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम एम-फ तंग Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V 150 ° C 2 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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