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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 1314 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK30S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 30 ए (टीए) 6v, 10v 18ohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W, LVQ 1.5822
सराय
 ECAD 7838 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK16V60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 139W (टीसी)
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 6434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2111 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20G60W, RVQ 2.5000
सराय
 ECAD 5025 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK20G60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 155mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 1MA 48 सना ± 30V 1680 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
TRS6E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65H, S1Q 2.3200
सराय
 ECAD 400 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS6E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 6 ए 0 एनएस 70 @a @ 650 V 175 ° C 6 ए 392pf @ 1V, 1MHz
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 285MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10v -
CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F30, H3F 0.3400
सराय
 ECAD 43 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10F30 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 170pf @ 0v, 1MHz
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1, NQ 1.2600
सराय
 ECAD 5815 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 158 KANAK +10V, -20V 7770 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093, L1Q -
सराय
 ECAD 7998 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8093 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार TPCC8093L1Q Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 20 वी 21 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 5.8mohm @ 10.5a, 4.5v 1.2V @ 500µA 16 स्याह @ 5 वी ± 12V 1860 पीएफ @ 10 वी - 1.9W (TA), 30W (टीसी)
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LXHF (( 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1107 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 47
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 6481 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK10S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 10 ए (टीए) 6v, 10v 28MOHM @ 5A, 10V 3V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 410 पीएफ @ 10 वी - 25W (टीसी)
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1611 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3, S1X (s -
सराय
 ECAD 1444 0.00000000 तमाम यू-यू नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK18E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 18 ए (टीए) 42MOHM @ 9A, 10V - 33 सना हुआ @ 10 वी - -
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LF 0.2600
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2310 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 2672 0.00000000 तमाम π-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4P50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK4P50DT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 4 ए (टीए) 10V 2OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK18A50D (STA4, Q, M) 3.5200
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK18A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 18 ए (टीए) 10V 270mohm @ 9a, 10v 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2600 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866 (एफ) -
सराय
 ECAD 3399 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 2SK2866 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 10 ए (टीए) 10V 750MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2040 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ 0.8900
सराय
 ECAD 7428 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK7S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 7 ए (टीए) 10V 48MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 100 @a 7.1 सराय @ 10 वी ± 20 वी 470 पीएफ @ 10 वी - 50w (टीसी)
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36MFV, L3F 0.4000
सराय
 ECAD 358 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 500ma (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23 ranak @ 4 वी ± 10V 46 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3710 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2902 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6818 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8066 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 17W (TC)
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2103 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P (TE12L, F) 0.3863
सराय
 ECAD 3458 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa MT3S111 1 तंग पीडबmun-मिनी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1,000 10.5db 6V 100ma एनपीएन 200 @ 30MA, 5V 8GHZ 1.25DB @ 1GHz
2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-70, SOT-323 200 सभा कांपना तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TBAT54A,LM Toshiba Semiconductor and Storage Tbat54a, lm 0.2100
सराय
 ECAD 5743 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tbat54 schottky -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 100ma 580 एमवी @ 100 एमए 1.5 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408, LQ (s 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8408 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 2,500 एन rur पी-चैनल 40V 6.1 ए, 5.3 ए 32MOHM @ 3.1A, 10V 2.3V @ 100 @a 24nc @ 10v 850pf @ 10v सराय -स
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W, S4X 3.1200
सराय
 ECAD 4351 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 11.5 ए (टीए) 10V 450MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 570µA 23 सना ± 20 वी 1400 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 8410 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6G18 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 112MOHM @ 1A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना ± 8V 270 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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