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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4985 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3, S4Q -
सराय
 ECAD 3753 0.00000000 तमाम U-mosvi नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TJ9A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis - 264-TJ9A10M3S4Q Ear99 8541.29.0095 50 पी-पी 100 वी 9 ए (टीए) 10V 170mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 1MA 47 सना ± 20 वी 2900 पीएफ @ 10 वी - 19 क्यूम (टीसी)
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1708, LF 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1708 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU, LF 0.3600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma (TA) 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 8.5pf @ 3V -
RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
TK7A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D (STA4, Q, M) 1.5000
सराय
 ECAD 9633 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 7 ए (टीए) 10V 1.22OHM @ 3.5A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D (STA4, Q, M) 1.3700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 525 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7R7P10PL, RQ 1.0700
सराय
 ECAD 27 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK7R7P10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 100 वी 55 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7.7MOHM @ 27.5A, 10V 2.5V @ 500µA 44 सना ± 20 वी 2800 पीएफ @ 50 वी - 93W (टीसी)
RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1313, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1313 100 तंग कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 47
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 3491 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK20S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 20 ए (टीए) 6v, 10v 29MOHM @ 10A, 10V 3V @ 1MA 18 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 780 पीएफ @ 10 वी - 38W (टीसी)
RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 4443 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GT8G133 तमाम ६०० तंग 8-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - - 400 वी 150 ए 2.9V @ 4V, 150A - १।
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P69NU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6P69 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1W (TA) 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 4 ए (टीए) 45MOHM @ 3.5A, 10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 180ma, 100ma 3OHM @ 50ma, 4v 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1301 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H, S1Q 1.5500
सराय
 ECAD 300 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS2E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 2 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 2 ए 135pf @ 1V, 1MHz
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 10 कांपो
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D01JU (TE85L, F) 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 HN4D01 तमाम 5-एसओपी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 1.6 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701, LF 0.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2701 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P50D (T6RSS-Q) 1.2900
सराय
 ECAD 8949 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK5P50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1703JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN1703 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305TE85LF 0.5400
सराय
 ECAD 21 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SJ305 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 200ma (TA) 2.5V 4ohm @ 50ma, 2.5v - ± 20 वी 92 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
RN1112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1112, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FU, LF 0.3300
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K17 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 50 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 20ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1 @a ± 7V 7 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H, S1Q 1.8500
सराय
 ECAD 400 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS4E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 4 ए 0 एनएस 55 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 263pf @ 1V, 1MHz
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFS, LF 0.2800
सराय
 ECAD 107 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 13.5 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 55MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 10.4 सना +6v, -8v 630 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK11S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L, LQ 0.9400
सराय
 ECAD 6545 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK11S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 850 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4R3A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 68 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 15A, 4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 ranau ± 20 वी 3280 पीएफ @ 30 वी - 36W (टीसी)
RN4981FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4981 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
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