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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 55MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 10.4 सना +6v, -8v 630 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-70, SOT-323 200 सभा कांपना तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866 (एफ) -
सराय
 ECAD 3399 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 2SK2866 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 10 ए (टीए) 10V 750MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2040 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36MFV, L3F 0.4000
सराय
 ECAD 358 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 500ma (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23 ranak @ 4 वी ± 10V 46 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LF 0.4100
सराय
 ECAD 318 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J356 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 60 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 8.3 सना +10V, -20V 330 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE, LXHF (सीटी ((() 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4910 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS -
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200 सभा एस-एस तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 45 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 400MV @ 50mA, 500mA 180 @ 100ma, 1v 80MHz
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-Y (TE85L, F -
सराय
 ECAD 4533 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN2A01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1102 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40, L3F 0.4800
सराय
 ECAD 93 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०४०२ (१००६ सवार) CLS10F40 schottky सीएल 2 ई - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 570 mV @ 1 ए 25 µa @ 40 V 150 ° C 1 क 130pf @ 0v, 1MHz
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 1620 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 22 ए (टीए) 4.5V, 10V 8mohm @ 11a, 10v 2.3V @ 200 @ 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2200 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड 1SS417 schottky फंसी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 620 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 15pf @ 0v, 1MHz
CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 9954 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG09 तमाम एस-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CRG09 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 7612 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8111 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 11 ए (टीए) 4V, 10V 12mohm @ 5.5a, 10v 2V @ 1ma 107 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5710 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W, RQ 1.9100
सराय
 ECAD 8048 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 7.8 ए (टीए टीए) 10V 670MOHM @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300µA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL, L1Q 1.1500
सराय
 ECAD 7068 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R30 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 66 ए (टीए टीए), 45 टीसी (टीसी) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 22.5a, 10v 2.5V @ 500µA ५५ सना ± 20 वी 4300 पीएफ @ 50 वी - 2.5W (टीए), 54W (टीसी)
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 3679 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ47 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) CRZ47TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 37.6 V 47 वी 65 ओम
RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1909 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6291 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8067 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10v 2.3V @ 100 @a ९। ± 20 वी 690 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 15W (टीसी)
TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H, LQ 2.7700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 8 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 ° C 8 ए 520pf @ 1V, 1MHz
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH, L1Q 1.0200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN7R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 26 ए (टीसी) 6.5V, 10V 7.5mohm @ 13a, 10v 4V @ 200 @ २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1800 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 42W (TC)
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 (TE85L) -
सराय
 ECAD 1987 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 2V, 4.5V 49MOHM @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 7.5 सराय @ 5 वी ± 12V 590 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 330MW (TA)
TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL, LQ 0.8300
सराय
 ECAD 112 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH9R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 34 ए (टीसी) 4.5V, 10V 9.5MOHM @ 17A, 10V 2.5V @ 200 @ 21 सना ± 20 वी 1910 पीएफ @ 30 वी - 830MW (TA), 81W (TC)
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE, LF (सीटी ((((() 0.2700
सराय
 ECAD 6817 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4907 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47KOHMS
TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B, Q 0.6600
सराय
 ECAD 5712 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 1.5 डब से -126N तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 250 80 वी 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 2V 150MHz
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड SSM5H08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 1.5 ए (टीए) 2.5V, 4V 160MOHM @ 750mA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 12V 125 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 500MW (TA)
TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W, S1VQ 1.9900
सराय
 ECAD 8673 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK6Q60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 600 वी 6.2 ए (टीए टीए) 10V 820MOHM @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC, L1XHQ 1.4200
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN6R706 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.7MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 सना ± 20 वी 2000 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA), 100W (TC)
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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