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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y, SWFF (एम। एम। -
सराय
 ECAD 8844 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q 0.8200
सराय
 ECAD 3350 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 23 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 11.5a, 10v 2V @ 500µA 76 सना +20V, -25V 3240 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE (TE85L, F) 0.0639
सराय
 ECAD 7284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1908 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
सराय
 ECAD 4425 0.00000000 तमाम * नली शिर 2SA166 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 2SA1668TS 0000.00.0000 50
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 5975 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1110 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL, L1Q 1.9400
सराय
 ECAD 5381 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPHR8504 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 0.85MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 1MA 103 सनाह ± 20 वी 9600 पीएफ @ 20 वी - 1W (TA), 170W (टीसी)
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2706 100MW तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0.1485
सराय
 ECAD 6796 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1C03 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 350 @ 4MA, 2V 30MHz
RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1108MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1108 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २२ सिपाही 47
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2110 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V ४.7
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 5999 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1113 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V 47
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 32 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4987 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47KOHMS
1SS308(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS308 (TE85L, एफ 0.4300
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 1SS308 तमाम एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ४ सदा 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPCA8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8062-H, LQ (CM (CM (CM (CM) -
सराय
 ECAD 4497 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8062 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 28 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 14a, 10v 2.3V @ 300µA 34 सना ± 20 वी 2900 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 42W (टीसी)
1SS360(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 2413 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 1SS360 तमाम एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40, H3F 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10F40 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 670 mV @ 1 ए 20 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 74pf @ 0v, 1MHz
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2102 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa1244-y (कtun) -
सराय
 ECAD 1152 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa 2SA1244 1 डब पीडब-k-मोल - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 150ma, 3 ए 120 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08 (TE12L, Q, M) 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS08 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 mV @ 3 ए 1.5 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 1 क 70pf @ 10v, 1MHz
RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1102ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 6140 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1102 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 (TE16L1, NV) 0.6300
सराय
 ECAD 7769 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SC6076 १० सन्निक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 2,000 80 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 180 @ 500ma, 2V 150MHz
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5, RVQ 1.3300
सराय
 ECAD 1789 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 4.5 ए (टीए () 10V 990MOHM @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230µA 11.5 vapak ± 30V 370 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
RN2304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2304 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B, S4X (s -
सराय
 ECAD 8142 0.00000000 तमाम * नली शिर TTB1020 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 247 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2504 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2840 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMH02A तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMH02A (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.8 वी @ 3 ए 100 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sk2989, t6f (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 7347 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2989 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 5 ए (टीजे)
RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2303 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 367 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2303 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 (किलो) -
सराय
 ECAD 1117 0.00000000 तमाम U-mosiii थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak 2SK4017 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडबmun-मोल २ २ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 200 n- चैनल 60 वी 5 ए (टीए) 4V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 1MA 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 10 वी - 20W (टीसी)
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1, LXGQ 3.8300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK160F10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.21.0095 1,000 n- चैनल 100 वी 160 ए (टीए) 10V 2.4MOHM @ 80A, 10V 4V @ 1MA 121 सभा @ 10 वी ± 20 वी 8510 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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