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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2105 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc6135, एलएफ 0.4700
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6135 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 120MV @ 6MA, 300mA 400 @ 100ma, 2v -
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 7254 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK6A60DSTA4QM Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 6 ए (टीए) 10V 1.25OHM @ 3A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F60, H3F 0.4900
सराय
 ECAD 9628 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 730 mV @ 1.5 ए 50 µa @ 60 V 150 ° C 1.5 ए 130pf @ 0v, 1MHz
TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P60Y, RQ 1.6900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK380P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीसी टीसी) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 4V @ 360µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 590 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS05 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2964 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS05 schottky यूएस-फ - रोहस अफ़मार CUS05 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 370 एमवी @ 700 एमए 1 पायल @ 20 वी -40 ° C ~ 125 ° C 1 क 40pf @ 10v, 1MHz
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2304 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1220 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2304 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH, L1Q 2.7900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीसी) 10V 4.5MOHM @ 30A, 10V 4V @ 1MA 58 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 50 वी - 1.6W (TA), 78W (टीसी)
RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE, LXHF (सीटी ((((() 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4911 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
TK16A60W5,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W5, S4VX 2.9700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 1.5MA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
1SS309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS309 (TE85L, F) 0.4100
सराय
 ECAD 385 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 1SS309 तमाम एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 4 आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2963 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H, LQ 1.8500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.34 वी @ 4 ए 0 एनएस 55 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 263pf @ 1V, 1MHz
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J424TU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J424 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 22.5MOHM @ 6A, 4.5V 1V @ 1MA २३.१ सना हुआ @ ४.५ वी +6v, -8v 1650 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK56E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK56E12N1, S1X 1.6800
सराय
 ECAD 7085 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK56E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 56 ए (टीए) 10V 7MOHM @ 28A, 10V 4V @ 1MA 69 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 60 वी - 168W (टीसी)
TPCP8011,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8011, LF 1.0900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीएस -8 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 5 ए (टीए) 6v, 10v 51.2MOHM @ 2.5A, 10V 3V @ 1MA 11.8 ranak @ 10 वी ± 20 वी 505 पीएफ @ 10 वी - 940MW (TA)
TK28E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK28E65W, S1X 5.8100
सराय
 ECAD 6456 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 110mohm @ 13.8a, 10v 3.5V @ 1.6MA 75 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W, S4X 2.8900
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 6.5 ए (टीए) 10V 950MOHM @ 3.3A, 10V 4V @ 280µA 13 सराय @ 10 वी ± 20 वी 700 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
TK090E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK090E65Z, S1X 5.1200
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008QM, LQ 1.5600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 86 ए (टीसी) 6v, 10v 4MOHM @ 43A, 10V 3.5V @ 600µA 57 सना ± 20 वी 5300 पीएफ @ 40 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK370A60F, S4X (s -
सराय
 ECAD 9742 0.00000000 तमाम यू-मोसिक थोक शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Ear99 8541.29.0095 1 n- चैनल 600 वी 15 ए (टीए) 10V 370MOHM @ 7.5A, 10V 4V @ 2.04MA ५५ सना ± 30V 2200 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL, LQ 0.7800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R803 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 48 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.8MOHM @ 24A, 10V 2.1V @ 200 @a २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1975 पीएफ @ 15 वी - 830MW (TA), 69W (TC)
SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K404TU, LF 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K404 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4V 55MOHM @ 2A, 4V 1V @ 1MA ५. ९ सराय @ ४ वी ± 10V 400 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B, LF 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30A 350 @ 4MA, 2V 30MHz
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E, LM 0.1800
सराय
 ECAD 3791 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 88 @ 5MA, 5V २५० तंग 47
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB, L1XHQ 2.3200
सराय
 ECAD 22 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 70A 6v, 10v 4.1MOHM @ 35A, 10V 3.5V @ 1MA 75 सभा @ 10 वी ± 20 वी 4970 पीएफ @ 10 वी तमाम 170W (टीसी)
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU (TE85L) 0.4000
सराय
 ECAD 104 0.00000000 तमाम U-mosii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J118 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 1.4 ए (टीए) 4V, 10V 240MOHM @ 650mA, 10V - ± 20 वी 137 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN1702 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300, एलएफ 0.2200
सराय
 ECAD 127 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS300 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
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