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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L40 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 1.6 ए (टीए टीए), 1.4 ए (टीए) 122MOHM @ 1A, 10V, 226MOHM @ 1A, 10V 2.6V @ 1MA, 2V @ 1MA 5.1nc @ 10v, 2.9nc @ 10v 180pf @ 15v, 120pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट, 4v ड
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-GR, LF 0.3200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 100mA, 1V 200MHz
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1102 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
 ECAD 9359 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
TK7A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D (STA4, Q, M) 1.5000
सराय
 ECAD 9633 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 7 ए (टीए) 10V 1.22OHM @ 3.5A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D (STA4, Q, M) 1.3700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 525 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L, LXHQ 1.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ50S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 50 ए (टीए) 6v, 10v 13.8MOHM @ 25A, 10V 3V @ 1MA 124 सना +10V, -20V 6290 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3, S4Q -
सराय
 ECAD 3753 0.00000000 तमाम U-mosvi नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TJ9A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis - 264-TJ9A10M3S4Q Ear99 8541.29.0095 50 पी-पी 100 वी 9 ए (टीए) 10V 170mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 1MA 47 सना ± 20 वी 2900 पीएफ @ 10 वी - 19 क्यूम (टीसी)
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 47KOHMS 22kohms
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 (TE85L, F) 0.6300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S111 700MW एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 12DB 6V 100ma एनपीएन 200 @ 30MA, 5V 11.5GHz 1.2db @ 1GHz
2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (T6cano, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 8525 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W, RVQ 1.8600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK5P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 5.4 ए (टीए () 10V 900MOHM @ 2.7A, 10V 3.7V @ 270µA 10.5 सना ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 4443 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GT8G133 तमाम ६०० तंग 8-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - - 400 वी 150 ए 2.9V @ 4V, 150A - १।
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7R7P10PL, RQ 1.0700
सराय
 ECAD 27 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK7R7P10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 100 वी 55 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7.7MOHM @ 27.5A, 10V 2.5V @ 500µA 44 सना ± 20 वी 2800 पीएफ @ 50 वी - 93W (टीसी)
CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F30, H3F 0.3400
सराय
 ECAD 43 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10F30 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 170pf @ 0v, 1MHz
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2103 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 285MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10v -
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093, L1Q -
सराय
 ECAD 7998 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8093 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार TPCC8093L1Q Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 20 वी 21 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 5.8mohm @ 10.5a, 4.5v 1.2V @ 500µA 16 स्याह @ 5 वी ± 12V 1860 पीएफ @ 10 वी - 1.9W (TA), 30W (टीसी)
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 8410 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6G18 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 112MOHM @ 1A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना ± 8V 270 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 1W (TA)
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 6481 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK10S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 10 ए (टीए) 6v, 10v 28MOHM @ 5A, 10V 3V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 410 पीएफ @ 10 वी - 25W (टीसी)
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1611 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LF 0.2600
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LXHF (( 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1107 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 47
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1, NQ 1.2600
सराय
 ECAD 5815 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 158 KANAK +10V, -20V 7770 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK18A50D (STA4, Q, M) 3.5200
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK18A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 18 ए (टीए) 10V 270mohm @ 9a, 10v 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2600 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ 0.8900
सराय
 ECAD 7428 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK7S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 7 ए (टीए) 10V 48MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 100 @a 7.1 सराय @ 10 वी ± 20 वी 470 पीएफ @ 10 वी - 50w (टीसी)
RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3710 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2902 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W, S4X 3.1200
सराय
 ECAD 4351 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 11.5 ए (टीए) 10V 450MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 570µA 23 सना ± 20 वी 1400 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6818 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8066 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 17W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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