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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
CRY82(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry82 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 3176 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Cry82 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 4.9 V 8.2 वी 30 ओम
TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL, L1Q 2.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPHR9003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 60 ए (टीसी) 4.5V, 10V 0.9MOHM @ 30A, 10V 2.3V @ 1MA 74 सना ± 20 वी 6900 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (TA), 78W (टीसी)
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
सराय
 ECAD 5685 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30 सराय 5.6
2SC5201(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 1063 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC5201 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 600 वी ५० सदा 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20ma, 5v -
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2507 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2964 100MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
2SA1428-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-Y, T2F (J (J) -
सराय
 ECAD 9599 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-Y, LF 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3265 200 सभा To-236 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 20MA, 500mA 160 @ 100ma, 1v 120MHz
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-Y (TE85L, F -
सराय
 ECAD 4533 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN2A01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK56E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK56E12N1, S1X 1.6800
सराय
 ECAD 7085 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK56E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 56 ए (टीए) 10V 7MOHM @ 28A, 10V 4V @ 1MA 69 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 60 वी - 168W (टीसी)
2SA949-Y(T6ONK1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6ONK1, FM -
सराय
 ECAD 8591 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SC3668-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-O, T2CLAF (J) -
सराय
 ECAD 9779 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3668 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN111111ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 3758 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1111 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 10 कांपो
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-O (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7051 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 300MHz
CRZ11(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ11 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 6761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ11 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) CRZ11TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7 V 11 वी 30 ओम
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 285MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10v -
TPC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8067-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 9337 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8067 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10v 2.3V @ 100 @a ९। ± 20 वी 690 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K329 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 3.5 ए (टीए) 1.8V, 4V 126MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.5 सना ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
TK155E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E65Z, S1X 3.2600
सराय
 ECAD 181 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 18 ए (टीए) 10V 155mohm @ 9a, 10v 4V @ 730µA २ ९ सराय @ १० वी ± 30V 1635 पीएफ @ 300 वी - 150W (टीसी)
TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8129, LQ (s 0.5600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8129 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 22mohm @ 4.5a, 10v 2V @ 200 @ 39 सना +20V, -25V 1650 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6115 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8065 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 13 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 6.5a, 10v 2.3V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE, LXHF (सीटी ((() 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2911 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3244 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5, LVQ 3.0900
सराय
 ECAD 133 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK20V60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 190mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 1MA ५५ सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 156W (टीसी)
RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1102CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 2266 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1102 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 60 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z, LQ 1.5500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 4V @ 500µA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2050 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-GR, LF 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1588 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 100mA, 1V 200MHz
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2110 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W, RVQ 1.7400
सराय
 ECAD 4404 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK6P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 6.2 ए (टीए टीए) 10V 820MOHM @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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