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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
 ECAD 9359 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 4115 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SK3670(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 (T6cano, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 5777 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK3670 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971 (TE12L, F) 0.6500
सराय
 ECAD 900 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa ५०० तंग पीडबmun-मिनी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1,000 400 वी ५०० सना हुआ 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 10ma, 100ma 140 @ 100ma, 5v 35MHz
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E, S4X 2.4200
सराय
 ECAD 117 0.00000000 तमाम π-mosviii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 10 ए (टीए) 10V 1ohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA ४६ सना ± 30V 2000 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2427TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 4924 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2427 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LQ 1.0300
सराय
 ECAD 5833 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 12.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 6481 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK10S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 10 ए (टीए) 6v, 10v 28MOHM @ 5A, 10V 3V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 410 पीएफ @ 10 वी - 25W (टीसी)
TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W, RVQ 3.0400
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK10P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 430mohm @ 4.9a, 10v 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4608 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
2SA1721RTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721RTE85LF -
सराय
 ECAD 7347 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 300 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 2MA, 20mA 30 @ 20MA, 10V 50MHz
RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2705, LF 0.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2705 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3024 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U65Z, RQ 2.9200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 15 ए (टीए) 10V 190mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 610µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1370 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2711 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G, LF 0.6700
सराय
 ECAD 4667 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP SSM6J771 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5 ए (टीए) 2.5V, 8.5V 31MOHM @ 3A, 8.5V 1.2V @ 1MA ९। ± 12V 870 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X, S1X 5.6700
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK31E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5MA 65 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL, S4X 1.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4R3A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 68 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 15A, 4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 ranau ± 20 वी 3280 पीएफ @ 30 वी - 36W (टीसी)
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24 (TE12L, Q, M) 0.5400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ24 2 डब एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 17 वी 24 वी 30 ओम
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (एम) -
सराय
 ECAD 9931 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF 0.5600
सराय
 ECAD 101 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN3C10 200MW US6 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 11.5db 12v 80MA 2 एनपीएन (rurी) 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1db @ 1GHz
TK13A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50D (STA4, Q, M) 3.0300
सराय
 ECAD 7833 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK13A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 13 ए (टीए) 10V 400MOHM @ 6.5A, 10V 4V @ 1MA 38 सना ± 30V 1800 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
1SS423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS423 (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 1SS423 schottky एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 100ma 620 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SC2229-O(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (T6MIT1FM -
सराय
 ECAD 3344 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2sc2229ot6mit1fm Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-A (TE85L, F 0.4400
सराय
 ECAD 9755 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30MHz
CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S30, L3F 0.4300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं CBS10S30 schottky Cst2b तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 500 @a @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 135pf @ 0v, 1MHz
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH, L1Q 0.9241
सराय
 ECAD 9919 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R606 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 32 ए (टीए) 6.5V, 10V 4.6MOHM @ 16A, 10V 4V @ 500µA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 3965 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 63W (टीसी)
2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3303-Y (T6L1, NQ) 1.3500
सराय
 ECAD 206 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa 2SC3303 1 डब पीडब-k-मोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 2,000 80 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 400MV @ 150ma, 3 ए 120 @ 1 ए, 1 वी 120MHz
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (एफ, एम) -
सराय
 ECAD 5940 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 500 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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