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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W, RVQ 1.8600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK5P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 5.4 ए (टीए () 10V 900MOHM @ 2.7A, 10V 3.7V @ 270µA 10.5 सना ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H, LQ 2.3200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 6 ए 0 एनएस 70 @a @ 650 V 175 ° C 6 ए 392pf @ 1V, 1MHz
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7266 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1967 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E, S1E 2.7900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK9J90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 900 वी 9 ए (टीए) 10V 1.3OHM @ 4.5A, 10V 4V @ 900µA ४६ सना ± 30V 2000 पीएफ @ 25 वी - 250W (टीसी)
TK17A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W, S5x 2.9800
सराय
 ECAD 45 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK17A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 200mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900µA 45 सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4985 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TPC8033-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8033-H (TE12LQM) -
सराय
 ECAD 5341 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8033 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 17 ए (टीए) 5.3mohm @ 8.5a, 10v 2.5V @ 1MA ४२ सना 3713 पीएफ @ 10 वी - -
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-GR, LF 0.3200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 100mA, 1V 200MHz
RN2906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H (T2L1, VM 1.1300
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8052 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) 264-TPCA8052-H (T2L1VMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 200 @ २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 2110 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L (T6L1, NQ 1.4100
सराय
 ECAD 5894 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK35S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 35 ए (टीए) 6v, 10v 10.3mohm @ 17.5a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1370 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL, LQ 0.9300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 38 ए (टीसी) 4.5V, 10V 6mohm @ 19a, 10v 2.3V @ 200 @ 17 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (TA), 34W (टीसी)
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE, LF (सीटी ((() 0.2600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2910 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 2896 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN4990FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 6683 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4990 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS -
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LF 0.2200
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905T5LFT 0.1000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5x 6.5000
सराय
 ECAD 8817 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK35A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 35 ए (टीए) 10V 80mohm @ 17.5a, 10v 3.5V @ 2.1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 50w (टीसी)
CLH07(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH07 (TE16R, Q) -
सराय
 ECAD 2938 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLH07 तमाम एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.8 वी @ 5 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L40 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 1.6 ए (टीए टीए), 1.4 ए (टीए) 122MOHM @ 1A, 10V, 226MOHM @ 1A, 10V 2.6V @ 1MA, 2V @ 1MA 5.1nc @ 10v, 2.9nc @ 10v 180pf @ 15v, 120pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट, 4v ड
CMZ22(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ22 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 5156 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ22 2 डब एम-फ तंग रोहस अफ़मार CMZ22 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 16 वी 22 वी 30 ओम
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F (सीटी ((((() 0.1800
सराय
 ECAD 305 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1103 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377 (TE16R1, NQ) -
सराय
 ECAD 5182 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SJ377 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 5 ए (टीए) 4V, 10V 190MOHM @ 2.5A, 10V 2V @ 1ma २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 630 पीएफ @ 10 वी - 20W (टीसी)
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU (TE85L) 0.4000
सराय
 ECAD 104 0.00000000 तमाम U-mosii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J118 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 1.4 ए (टीए) 4V, 10V 240MOHM @ 650mA, 10V - ± 20 वी 137 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1963 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
2SC3668-Y,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y, T2WNLF (J) -
सराय
 ECAD 8244 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3668 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2403, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2403 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
2SC4215-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-O (TE85L, F) 0.0946
सराय
 ECAD 6491 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4215 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 23 डीबी 30V 20ma एनपीएन 40 @ 1MA, 6V 550MHz 5db @ 100mHz
CMS06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS06 (TE12L, Q, M) 0.5400
सराय
 ECAD 60 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS06 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 mV @ 2 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 2 ए 130pf @ 10v, 1MHz
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR, LF 0.1800
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4116 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
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    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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