SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV, L3F 0.1800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2131 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 100 कांप
RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE, LXHF (सीटी ((() 0.3800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2911 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
TK560P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y, RQ 1.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK560P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीसी) 10V 560MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 vapak @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
2SC2235-Y(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (t6fjt, fm -
सराय
ECAD 6913 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU, LF 0.4300
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 285MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10v -
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967 (TE85L, F) 0.4700
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2967 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, WNLF (J) -
सराय
ECAD 5431 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
2SK2993(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2993 (TE24L, Q) -
सराय
ECAD 9210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK2993 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 250 वी 20 ए (टीए) 10V 105mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 4000 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 (शयरा -
सराय
ECAD 9650 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
2SC4793(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (PAIO, F, M) -
सराय
ECAD 2353 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH, L1Q 1.0200
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN7R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 26 ए (टीसी) 6.5V, 10V 7.5mohm @ 13a, 10v 4V @ 200 @ २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1800 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 42W (TC)
TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM, S1X 1.4500
सराय
ECAD 172 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 64 ए (टीसी) 6v, 10v 7MOHM @ 32A, 10V 3.5V @ 500µA 39 सना ± 20 वी 2700 पीएफ @ 40 वी - 87W (टीसी)
RN2404,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LF 0.0289
सराय
ECAD 6844 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE (TE85L, F) 0.4200
सराय
ECAD 22 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6P41 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 720ma 300MOHM @ 400mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10v सराय -स
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417, LXHF 0.3400
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
SSM6K204FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K204FE, LF 0.5400
सराय
ECAD 4982 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K204 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4V 126MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA ३.४ सदा ± 10V 195 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-Y (TE85L, F) 0.3500
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 2SA1873 200MW यूएसवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 the (rurी) rana जोड़ी, आम एमिट एमिट 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 (TE85L) -
सराय
ECAD 1987 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 2V, 4.5V 49MOHM @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 7.5 सराय @ 5 वी ± 12V 590 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 330MW (TA)
1SS413CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413CT, L3F 0.3000
सराय
ECAD 32 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 1SS413 schottky SOD-882 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 20 वी 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी -55 ° C ~ 125 ° C 50mA 3.9pf @ 0v, 1MHz
RN1101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
ECAD 16 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1101 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V ४.7 ४.7
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H, LQ (M) -
सराय
ECAD 1274 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8057 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 42 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 21A, 10V 2.3V @ 500µA 61 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 57W (टीसी)
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA (STA4, Q, M) 1.6400
सराय
ECAD 6704 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 7.5 ए (टीसी) - - - -
RN1302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302, LXHF 0.3900
सराय
ECAD 222 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1302 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
TPCA8055-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8055-H, LQ (M) -
सराय
ECAD 2518 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8055 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 56 ए (टीए) 4.5V, 10V 1.9MOHM @ 28A, 10V 2.3V @ 1MA 91 सना ± 20 वी 7700 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 70W (टीसी)
RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1902 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SA1020-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (F, M) -
सराय
ECAD 9152 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, T6WNLF (J) -
सराय
ECAD 9783 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1972 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 400 वी ५०० तंग 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 10ma, 100ma 140 @ 20MA, 5V 35MHz
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK, LM 0.1500
सराय
ECAD 29 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 200ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 320MW (TA)
2SA1020-O,CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, CKF (J (J (J (J ( -
सराय
ECAD 2405 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU (TE85L, F) -
सराय
ECAD 8093 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L11 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 500ma 145MOHM @ 250mA, 4V 1.1V @ 100 @a - 268pf @ 10v सराय -स
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम