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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR, LF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L, EFF 1.3600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TCSPAC-153001 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 10,000 n- चैनल 12 वी 13.5 ए (टीए टीए) 2.5V, 4.5V 2.75MOHM @ 6A, 4.5V 1.4V @ 1.11ma २५ सना हुआ @ ४ वी ± 8V - 800MW (TA)
TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB, L1XHQ 2.9900
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPWR7904 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीए) 6v, 10v 0.79MOHM @ 75A, 10V 3V @ 1MA 85 सभा @ 10 वी ± 20 वी 6650 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B, LF 0.4000
सराय
 ECAD 205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 १५० तंग To-236 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30mA 350 @ 4MA, 2V 30MHz
2SD1221-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sd1221-y (कtun) -
सराय
 ECAD 3084 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SD1221 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 200 60 वी 3 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 300ma, 3 ए 100 @ 500mA, 5V 3 मेगाहर्ट्ज
1SS181,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181, lf 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS181 तमाम एस-एस - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CMF02A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A, LQ (एम) -
सराय
 ECAD 5343 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम एम-फ तंग Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 1 ए 100 एनएस 50 µa @ 600 V 150 ° C 1 क -
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (LBSAN, F, M) -
सराय
 ECAD 2923 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507 (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1507 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 7160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N39 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 1.6 ए (टीए) 119MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 7.5NC @ 4V 260pf @ 10v -
TK12A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A53D (STA4, Q, M) 2.5900
सराय
 ECAD 4943 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 525 वी 12 ए (टीए) 10V 580MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SC2229-Y(MIT1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y (Mit1, f, m -
सराय
 ECAD 1503 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15 (TE12L, Q, M) 0.6800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS15 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 3 ए 300 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए 102pf @ 10v, 1MHz
CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F60, H3F 0.4900
सराय
 ECAD 9628 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 730 mV @ 1.5 ए 50 µa @ 60 V 150 ° C 1.5 ए 130pf @ 0v, 1MHz
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403, H3F 0.3700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS403 तमाम यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 200 वी 1.2 वी @ 100 एमए 60 एनएस 1 µa @ 200 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3pf @ 0v, 1MHz
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, नेटक -
सराय
 ECAD 6462 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
CLS02(TE16L,HIT,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16L, HIT, Q) -
सराय
 ECAD 7549 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS02 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 10 ए 1 पायल @ 40 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 420pf @ 10v, 1MHz
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1502 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Y, LF 0.1800
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4116 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W, S1VQ 9.3800
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK31J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5MA 86 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS551V30, H3F 0.2700
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS551 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 470 एमवी @ 500 एमए 100 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2903 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W, S1VF 9.2900
सराय
 ECAD 1508 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK31N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5MA 86 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, LBS2DIAQ (j -
सराय
 ECAD 1334 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1930 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K333R, LF 0.4500
सराय
 ECAD 86 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K333 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 4.5V, 10V 28MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.४ सदा ± 20 वी 436 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305, LF 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1305 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 47
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 10 कांपो
CLS02(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16R, Q) -
सराय
 ECAD 9054 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS02 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 10 ए 1 पायल @ 40 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 420pf @ 10v, 1MHz
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6USNF (M) -
सराय
 ECAD 4600 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1611 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
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