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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LF 0.4100
सराय
 ECAD 318 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J356 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 60 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 8.3 सना +10V, -20V 330 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2103 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
TPC8033-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8033-H (TE12LQM) -
सराय
 ECAD 5341 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8033 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 17 ए (टीए) 5.3mohm @ 8.5a, 10v 2.5V @ 1MA ४२ सना 3713 पीएफ @ 10 वी - -
RN2906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-GR, LF 0.3200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 100mA, 1V 200MHz
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H (T2L1, VM 1.1300
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8052 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) 264-TPCA8052-H (T2L1VMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 200 @ २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 2110 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L (T6L1, NQ 1.4100
सराय
 ECAD 5894 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK35S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 35 ए (टीए) 6v, 10v 10.3mohm @ 17.5a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1370 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
CMZ22(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ22 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 5156 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ22 2 डब एम-फ तंग रोहस अफ़मार CMZ22 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 16 वी 22 वी 30 ओम
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1102 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
2SC2235-Y(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (t6fjt, fm -
सराय
 ECAD 6913 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TK50E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50E10K3 (S1SS-Q) -
सराय
 ECAD 9888 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से - TK50E10 - To-220-3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK50E10K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1102 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (किलो) -
सराय
 ECAD 1323 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK4016 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 13 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 62 सना ± 30V 3100 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y, LF 0.3000
सराय
 ECAD 9838 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1C01 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-Y, LF 0.3200
सराय
 ECAD 61 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 100ma, 1v 300MHz
RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2421 (TE85L, F) 0.0906
सराय
 ECAD 3541 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2421 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 2MA, 50mA 60 @ 100ma, 1v २०० सराय 1 कांप 1 कांप
TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65F, S1Q 2.7600
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 TRS6E65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 22pf @ 650V, 1MHz
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 7373 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 4115 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1 (T6RDS-Q) -
सराय
 ECAD 6022 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40P03 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK40P03M1T6RDSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 100 @a 17.5 ranak @ 10 वी ± 20 वी 1150 पीएफ @ 10 वी - -
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
 ECAD 9359 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 4954 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LQ 1.0300
सराय
 ECAD 5833 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 12.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE, LF (सीटी ((((() 0.2700
सराय
 ECAD 6817 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4907 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2427TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 4924 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2427 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E, S4X 2.4200
सराय
 ECAD 117 0.00000000 तमाम π-mosviii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 10 ए (टीए) 10V 1ohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA ४६ सना ± 30V 2000 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
TTC011B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B, Q 0.6300
सराय
 ECAD 27 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 1.5 डब से -126N तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 250 230 वी 1 ए 200NA (ICBO) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FU, LF 0.3300
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K17 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 50 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 20ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1 @a ± 7V 7 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN1112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1112, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
2SA1020-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (F, M) -
सराय
 ECAD 9152 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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