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असतत अर्धचालक उत्पाद (2909)
| छवि | उत्पाद संख्या | मूल्य निर्धारण (USD) | मात्रा | इकैड | उपलब्धि | वजन (किग्रा) | मंचित | शृंखला | पैकेट | उत्पाद की स्थिति | परिचालन तापमान | माउन्टिंग का प्रकार | पैकेज / मामला | आधार उत्पाद संख्या | तकनीकी | पावर - मैक्स | आपूर्तिकर्ता युक्ति पैकेज | डेटा शीट | रोह्स स्टेटस | नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | अन्य नामों | ईसीसीएन | HTSUS | मानक पैकेज | विन्यास | रफ़्तार | भ्रूण प्रकार | स्रोत वोल्टेज (VDSS) के लिए नाली | वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी पर) | आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | Vgs (th) (अधिकतम) @ id | गेट चार्ज (QG) (अधिकतम) @ vgs | वीजीएस (अधिकतम) | इनपुट कैपेसिटेंस (CISS) (अधिकतम) @ vds | फेट फ़ीचर | शक्ति अपव्यय | डायोड विन्यास | वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम) | वर्तमान - औसत सुधार (IO) (प्रति डायोड) | वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर | रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर) | वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ वीआर | ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | वर्तमान - औसत सुधार (io) | कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ | वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) | वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) | डायोड प्रकार | वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम) | वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) | ट्रांजिस्टर प्रकार | वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी | डीसी करंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई | आवृत्ति - संक्रमण | रोकनेवाला - आधार (आर 1) | रोकनेवाला - एमिटर बेस (आर 2) | समाई अनुपात | समाई अनुपात की स्थिति | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TK5Q65W, S1Q | 1.2700 |  | 75 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | Dtmosiv | नली | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | होल के माध्यम से | TO-251-3 स्टब लीड्स, IPAK | TK5Q65 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | आई-पाक | - | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n- चैनल | 650 वी | 5.2 ए (टीए) | 10V | 1.22OHM @ 2.6A, 10V | 3.5V @ 170µA | 10.5 नेकां @ 10 वी | ± 30V | 380 पीएफ @ 300 वी | - | 60W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS374 (TE85L, F) | 0.3700 | | 6 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | सतह पर्वत | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS374 | schottky | एससी -59 | डाउनलोड करना | ROHS आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | छोटा संकेत =<200ma (io), कोई भी गति | 1 जोड़ी श्रृंखला कनेक्शन | 10 वी | 100ma | 500 एमवी @ 100 एमए | 20 µa @ 10 V | 125 ° C (अधिकतम) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK12Q60W, S1VQ | 2.0600 | | 75 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | Dtmosiv | नली | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | होल के माध्यम से | TO-251-3 स्टब लीड्स, IPAK | TK12Q60 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | आई-पाक | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | TK12Q60WS1VQ | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n- चैनल | 600 वी | 11.5 ए (टीए) | 10V | 340MOHM @ 5.8A, 10V | 3.7V @ 600µA | 25 नेकां @ 10 वी | ± 30V | 890 पीएफ @ 300 वी | - | 100W (टीसी) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ438, MDKQ (एम) | - | | 6890 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | थोक | अप्रचलित | होल के माध्यम से | To-220-3 पूर्ण पैक | 2SJ438 | To-220nis | डाउनलोड करना | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 5 ए (टीजे) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TK11P65W, RQ | 1.7300 | | 2 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | Dtmosiv | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | TO-252-3, DPAK (2 लीड + टैब), SC-63 | TK11P65 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | डीपैक | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n- चैनल | 650 वी | 11.1 ए (टीए) | 10V | 440MOHM @ 5.5a, 10V | 3.5V @ 450µA | 25 नेकां @ 10 वी | ± 30V | 890 पीएफ @ 300 वी | - | 100W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TK13E25D, S1X (s | 2.2900 | | 4902 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | नली | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | होल के माध्यम से | To-220-3 | TK13E25 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | To-220-3 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n- चैनल | 250 वी | 13 ए (टीए) | 10V | 250mohm @ 6.5a, 10v | 3.5V @ 1MA | 25 नेकां @ 10 वी | ± 20 वी | 1100 पीएफ @ 100 वी | - | 102W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6J505NU, LF | 0.5100 | | 19 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosvi | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | 6-WDFN ने पैड को उजागर किया | SSM6J505 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | 6-UDFNB (2x2) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | पी-चैनल | 12 वी | 12 ए (टीए) | 1.2V, 4.5V | 12MOHM @ 4A, 4.5V | 1V @ 1MA | 37.6 नेकां @ 4.5 वी | ± 6V | 2700 पीएफ @ 10 वी | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TK16E60W5, S1VX | 3.1200 | | 9278 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | Dtmosiv | नली | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | होल के माध्यम से | To-220-3 | TK16E60 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | को-220 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n- चैनल | 600 वी | 15.8 ए (टीए) | 10V | 230mohm @ 7.9a, 10v | 4.5V @ 790µA | 43 नेकां @ 10 वी | ± 30V | 1350 पीएफ @ 300 वी | - | 130W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3J304T (TE85L, F) | - | | 9160 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosiii | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3J304 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | टीएसएम | डाउनलोड करना | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | पी-चैनल | 20 वी | 2.3 ए (टीए) | 1.8V, 4V | 127MOHM @ 1A, 4V | - | 6.1 नेकां @ 4 वी | ± 8V | 335 पीएफ @ 10 वी | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CMG06A, LQ (एम) | - | | 9033 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | डिब्बा | सक्रिय | सतह पर्वत | सोद -128 | मानक | एम-फ्लैट (2.4x3.8) | डाउनलोड करना | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | मानक पुनर्प्राप्ति> 500NS,> 200mA (IO) | 600 वी | 1.1 वी @ 1 ए | 5 µA @ 600 V | 150 ° C | 1 क | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N7002BFU, LF | - | | 3756 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N7002 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | 300MW | US6 | डाउनलोड करना | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 एन-चैनल (दोहरी) | 60V | 200MA | 2.1ohm @ 500mA, 10V | 3.1V @ 250µA | - | 17pf @ 25v | तर्क -स्तरीय द्वार | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1sv324tph3f | 0.4200 | | 972 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 125 ° C (TJ) | सतह पर्वत | SC-76, SOD-323 | 1SV324 | यूएससी | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 12pf @ 4v, 1MHz | अकेला | 10 वी | 4.3 | सी 1/सी 4 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6J501NU, LF | 0.4900 | | 123 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosvi | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | 6-WDFN ने पैड को उजागर किया | SSM6J501 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | 6-UDFNB (2x2) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | पी-चैनल | 20 वी | 10 ए (टीए) | 1.5V, 4.5V | 15.3MOHM @ 4A, 4.5V | 1V @ 1MA | 29.9 नेकां @ 4.5 वी | ± 8V | 2600 पीएफ @ 10 वी | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TK65S04N1L, LQ | 2.0100 | | 5 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosviii-h | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 175 ° C (TJ) | सतह पर्वत | TO-252-3, DPAK (2 लीड + टैब), SC-63 | TK65S04 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | Dpak+ | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n- चैनल | 40 वी | 65 ए (टीए) | 10V | 4.3MOHM @ 32.5A, 10V | 2.5V @ 300µA | 39 नेकां @ 10 वी | ± 20 वी | 2550 पीएफ @ 10 वी | - | 107W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RN2113ACT (TPL3) | 0.0527 | | 10 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | सतह पर्वत | SC-101, SOT-883 | RN2113 | 100 मेगावाट | Cst3 | डाउनलोड करना | ROHS आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 वी | 80 मा | 100NA (ICBO) | पीएनपी - पूर्व -पक्षपाती | 150MV @ 250µA, 5ma | 120 @ 1MA, 5V | 47 कोहम्स | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2154CT-GR, L3F | 0.3200 | | 5 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | SC-101, SOT-883 | 2SA2154 | 100 मेगावाट | Cst3 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 वी | 100 मा | 100NA (ICBO) | स्वामी | 300MV @ 10MA, 100mA | 200 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPH2010FNH, L1Q | 1.6200 | | 10 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosviii-h | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | 8-powervdfn | TPH2010 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | 8-SOP एडवांस (5x5) | डाउनलोड करना | ROHS आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n- चैनल | 250 वी | 5.6 ए (टीए) | 10V | 198MOHM @ 2.8A, 10V | 4V @ 200 @ | 7 नेकां @ 10 वी | ± 20 वी | 600 पीएफ @ 100 वी | - | 1.6W (TA), 42W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CMH04 (TE12L, Q, M) | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | सतह पर्वत | सोद -128 | CMH04 | मानक | एम-फ्लैट (2.4x3.8) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | तेजी से वसूली =<500ns,>200ma (IO) | 200 वी | 980 mV @ 1 ए | 35 एनएस | 10 µa @ 200 वी | -40 ° C ~ 150 ° C | 1 क | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN1309 (TE85L, F) | 0.2700 | | 895 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | सतह पर्वत | SC-70, SOT-323 | RN1309 | 100 मेगावाट | एससी -70 | डाउनलोड करना | ROHS आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 वी | 100 मा | 500na | एनपीएन - पूर्व -पक्षपाती | 300MV @ 250µA, 5ma | 70 @ 10MA, 5V | 250 मेगाहर्ट्ज | 47 कोहम्स | 22 कोहम्स | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6K403TU, LF | 0.4900 | | 6811 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosiii | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | 6-एसएमडी, फ्लैट लीड | SSM6K403 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | Uf6 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n- चैनल | 20 वी | 4.2 ए (टीए) | 1.5V, 4V | 28MOHM @ 3A, 4V | 1V @ 1MA | 16.8 नेकां @ 4 वी | ± 10V | 1050 पीएफ @ 10 वी | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2sa1869-y, q (j (j (j) | - | | 3028 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | थोक | अप्रचलित | 150 ° C (TJ) | होल के माध्यम से | To-220-3 पूर्ण पैक | 2SA1869 | 10 डब्ल्यू | To-220nis | डाउनलोड करना | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 वी | 3 ए | 1A (ICBO) | स्वामी | 600MV @ 200ma, 2a | 70 @ 500mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN2114MFV, L3F | 0.2000 | | 7888 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | सतह पर्वत | एसओटी -723 | RN2114 | 150 मेगावाट | Vesm | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 वी | 100 मा | 500na | पीएनपी - पूर्व -पक्षपाती | 300MV @ 500µA, 5ma | 50 @ 10MA, 5V | 1 कोहम्स | 10 कोहम्स | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLS03 (TE16L, PCD, Q) | - | | 5355 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | थोक | अप्रचलित | सतह पर्वत | एल-फ्लैट ™ | CLS03 | schottky | एल-फ्लैट ™ (4x5.5) | डाउनलोड करना | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | तेजी से वसूली =<500ns,>200ma (IO) | 60 वी | 580 mV @ 10 ए | 1 मा @ 60 वी | -40 ° C ~ 125 ° C | 10 ए | 345pf @ 10v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ438 (कैनो, ए, क्यू) | - | | 6374 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | थोक | अप्रचलित | होल के माध्यम से | To-220-3 पूर्ण पैक | 2SJ438 | To-220nis | डाउनलोड करना | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 5 ए (टीजे) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K37CT, L3F | 0.2900 | | 3 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosiii | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | SC-101, SOT-883 | SSM3K37 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | Cst3 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n- चैनल | 20 वी | 200ma (TA) | 1.5V, 4.5V | 2.2OHM @ 100mA, 4.5V | 1V @ 1MA | ± 10V | 12 पीएफ @ 10 वी | - | 100MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N815R, LF | 0.4500 | | 5 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosviii-h | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C | सतह पर्वत | 6-एसएमडी, फ्लैट लीड | SSM6N815 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | 1.8W (TA) | 6-tsop-f | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 एन-चैनल (दोहरी) | 100V | 2 ए (टीए) | 103MOHM @ 2A, 10V | 2.5V @ 100 @a | 3.1NC @ 4.5V | 290pf @ 15v | लॉजिक लेवल गेट, 4V ड्राइव | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TK35N65W5, S1F | 9.0900 | | 7466 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | Dtmosiv | नली | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | होल के माध्यम से | To-247-3 | TK35N65 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | टू-247 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n- चैनल | 650 वी | 35 ए (टीए) | 10V | 95MOHM @ 17.5A, 10V | 4.5V @ 2.1MA | 115 नेकां @ 10 वी | ± 30V | 4100 पीएफ @ 300 वी | - | 270W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N44FE, LM | 0.4300 | | 111 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | सतह पर्वत | SOT-563, SOT-666 | SSM6N44 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | 150 मेगावाट | Es6 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 एन-चैनल (दोहरी) | 30V | 100ma | 4ohm @ 10ma, 4v | 1.5V @ 100 @a | - | 8.5pf @ 3V | तर्क -स्तरीय द्वार | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TK100E08N1, S1X | 3.9800 | | 7657 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosviii-h | नली | सक्रिय | 150 ° C (TJ) | होल के माध्यम से | To-220-3 | TK100E08 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | को-220 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n- चैनल | 80 वी | 100 ए (टीए) | 10V | 3.2MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 1MA | 130 नेकां @ 10 वी | ± 20 वी | 9000 पीएफ @ 40 वी | - | 255W (टीसी) | ||||||||||||||||||||||||||||
| TJ60S04M3L, LXHQ | 1.4100 | | 3162 | 0.00000000 | तोशिबा अर्धचालक और भंडारण | U-mosvi | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 175 ° C | सतह पर्वत | TO-252-3, DPAK (2 लीड + टैब), SC-63 | TJ60S04 | मोसफेट (धातु ऑक्साइड) | Dpak+ | डाउनलोड करना | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | पी-चैनल | 40 वी | 60 ए (टीए) | 6v, 10v | 6.3MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 1MA | 125 नेकां @ 10 वी | +10V, -20V | 6510 पीएफ @ 10 वी | - | 90W (टीसी) |
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