SIC
close

अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS06 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 6944 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS06 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS06 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 एमवी @ 700 एमए 30 µA @ 20 वी -40 ° C ~ 150 ° C 1 क 40pf @ 10v, 1MHz
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P (TE12L, F) -
सराय
 ECAD 2879 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa MT3S20 1.8W पीडबmun-मिनी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 16.5db 12v 80MA एनपीएन 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45db @ 1GHz
HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU, LF (t (t (t (t) 0.4600
सराय
 ECAD 137 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D01 तमाम US6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352, H3F 0.1800
सराय
 ECAD 236 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -76a 1SS352 तमाम एससी -76-2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3pf @ 0v, 1MHz
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2305 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 635 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS401 schottky एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 एमवी @ 300 एमए 50 µa @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 300ma 46pf @ 0v, 1MHz
1SS413CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413CT, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 32 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 1SS413 schottky SOD-882 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 20 वी 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी -55 ° C ~ 125 ° C 50mA 3.9pf @ 0v, 1MHz
1SS272TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS272TE85LF 0.4900
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -61AA 1SS272 तमाम एससी -61 बी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F, S1Q 1.0500
सराय
 ECAD 1763 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 TRS2E65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 2 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 8.7pf @ 650V, 1MHz
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 4043 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ18 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 13 वी 18 वी 30 ओम
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (T6cano, F, M -
सराय
 ECAD 2604 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LF 0.1700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2310 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D01JU (TE85L, F) 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 HN4D01 तमाम 5-एसओपी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 1.6 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1154 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2963 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881, LS1SUMIF (एम) -
सराय
 ECAD 5712 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4881 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 400MV @ 125ma, 2.5a 100 @ 1 ए, 1 वी 100MHz
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X, LQ 2.5193
सराय
 ECAD 9782 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK25V60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) TK25V60XLQ Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 135mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1701, LF 0.3000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1701 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B (TE85L, QM 0.5000
सराय
 ECAD 8276 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS20I40 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 2 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 62pf @ 10v, 1MHz
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z, S4X 3.0000
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK190A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 15 ए (टीए) 10V 190mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 610µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1370 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P50D (T6RSS-Q) 1.2900
सराय
 ECAD 8949 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK5P50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8712 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur SOT-553 RN1706 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6SCMDF (J) -
सराय
 ECAD 3084 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1680 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 120 @ 100ma, 2v 100MHz
RN4981,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4981 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TBAT54S,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54S, LM 0.2100
सराय
 ECAD 95 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tbat54 schottky -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 30 वी 200MA 580 एमवी @ 100 एमए 1.5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 150 ° C
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4213 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30A 350 @ 4MA, 2V 30MHz
1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 98 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS307 तमाम एससी -79 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.3 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 0v, 1MHz
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701, LF 0.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2701 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 1344 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1106 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V ४.7 47
2SC2655-O(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O (ND1, AF) -
सराय
 ECAD 1084 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC5242-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5242-O (Q) 2.9300
सराय
 ECAD 441 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SC5242 130 किल्विक से 3 पी (एन) तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.29.0075 100 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें