SIC
close

अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZY55C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C22 0.0350
सराय
 ECAD 1720 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZY55C22TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gay @ 16 वी 22 वी 55 ओम
AZ23C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation Az23c3v6 0.0786
सराय
 ECAD 1090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C3V6TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 3.6 वी 95 ओम
BAT54CD-G Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CD-G 0.1224
सराय
 ECAD 9967 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 schottky एसओटी -363 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54CD-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200MA 240 एमवी @ 100 एमए 2 @ ए @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
UF1KH Taiwan Semiconductor Corporation Uf1kh 0.1044
सराय
 ECAD 2260 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Uf1k तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
FR152GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152GHB0G -
सराय
 ECAD 8070 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FR152 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
BZX84C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C9V1 0.0511
सराय
 ECAD 2648 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX84C9V1TR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
RS1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL RHG -
सराय
 ECAD 1891 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
BZX85C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C9V1 0.0645
सराय
 ECAD 1489 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX85C9V1TR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए 1 µa @ 6.9 V 9.1 वी 5 ओम
BZD27C15PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHRFG -
सराय
 ECAD 1361 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
HER3L06GH Taiwan Semiconductor Corporation Her3l06gh 0.2535
सराय
 ECAD 7930 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HER3L06GHTR Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 54PF @ 4V, 1MHz
BAS20W Taiwan Semiconductor Corporation BAS20W 0.0498
सराय
 ECAD 1900 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 BAS20 तमाम SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAS20WTR Ear99 8541.10.0070 45,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 150 वी 1.25 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 gay @ 150 वी 125 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
S1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1GHR3G -
सराय
 ECAD 7958 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 जी तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.5 µs 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
BZT52C68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 RHG 0.0453
सराय
 ECAD 4551 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 47.6 V 68 वी 240 ओम
ES1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL RHG -
सराय
 ECAD 5966 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1b तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 1v, 1MHz
MBR10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150CTC0 -
सराय
 ECAD 4695 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR1015 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 980 mV @ 10 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM5NC50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ C0G 2.8500
सराय
 ECAD 671 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TSM5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 4,000 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीसी) 10V 1.38OHM @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 586 पीएफ @ 50 वी - 89W (टीसी)
SR2060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2060HC0G -
सराय
 ECAD 8732 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SR2060 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 700 एमवी @ 10 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045CT -
सराय
 ECAD 3729 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR104 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 800 mV @ 10 ए 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
BAS70-04 Taiwan Semiconductor Corporation BAS70-04 0.0453
सराय
 ECAD 1605 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAS70-04TR Ear99 8541.10.0070 6,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 70 वी 70ma 1 वी @ 15 सना हुआ 5 एनएस 100 gapa @ 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C
BZD17C16P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P RFG -
सराय
 ECAD 3727 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16 वी 15 ओम
SS36LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHRFG -
सराय
 ECAD 8063 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS36 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZD27C16P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RVG -
सराय
 ECAD 5507 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16.2 वी 15 ओम
BZD27C130PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHMTG -
सराय
 ECAD 5678 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 100 वी 132.5 वी 300 ओम
S3BHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S3BHR7G -
सराय
 ECAD 7680 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 बी तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 30pf @ 4v, 1MHz
S1MLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation S1MLHMTG -
सराय
 ECAD 3262 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1ML तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
ES1JFS Taiwan Semiconductor Corporation ES1JFS 0.1062
सराय
 ECAD 6807 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Es1j तमाम सोद -128 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
ES3DVHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3dvhm6g -
सराय
 ECAD 2512 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3D तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
1PGSMB5938 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5938 0.1689
सराय
 ECAD 2495 0.00000000 तमाम 1pgsmb59 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 .A @ 27.4 वी 36 वी 38 ओम
1PGSMA4752H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4752h 0.1156
सराय
 ECAD 4649 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4752 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 25.1 V 33 वी 45 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें