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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SS12LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHMHG -
सराय
 ECAD 9698 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS12 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
ES1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1DL RHG -
सराय
 ECAD 5587 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab ES1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 1v, 1MHz
BZT55C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C30 0.0350
सराय
 ECAD 8049 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55C30TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 22 वी 30 वी 80 ओम
TSM10N60CI C0 Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N60CI C0 -
सराय
 ECAD 3796 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ITO-220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम TSM10N60CIC0 Ear99 8541.29.0095 1 n- चैनल 600 वी 10 ए (टीसी) 10V 750MOHM @ 5A, 10V 4V @ 250µA 45.8 ranak @ 10 वी ± 30V 1738 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
1N4752AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752AH 0.1188
सराय
 ECAD 7826 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4752 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 25.1 V 33 वी 45 ओम
BZD17C12P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P MHG -
सराय
 ECAD 8171 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 3 µa @ 9.1 V 12 वी 7 ओम
SS110 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS110 R3G 0.4500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SS110 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 1 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZV55C22 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C22 L1G -
सराय
 ECAD 4273 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gay @ 16 वी 22 वी 55 ओम
BZS55B6V2 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B6V2 RAG -
सराय
 ECAD 3042 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B6V2RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
BZX85C33 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C33 0.0645
सराय
 ECAD 4733 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX85C33TR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए ५०० सदा 33 वी 35 ओम
SRS2020 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2020 MNG -
सराय
 ECAD 5750 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SRS2020 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 20 ए 550 mV @ 10 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C
MBR1545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1545CT -
सराय
 ECAD 8809 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR1545 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 15 ए 840 mV @ 15 ए 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFAF1603G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1603G C0G -
सराय
 ECAD 7065 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF1603 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 975 mV @ 16 ए 35 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 130pf @ 4v, 1MHz
BZD27C7V5PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHRVG -
सराय
 ECAD 1893 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 3 वी 7.45 वी 2 ओम
PU1JLW Taiwan Semiconductor Corporation Pu1jlw 0.0933
सराय
 ECAD 9454 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W Pu1j तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-PU1JLWTR Ear99 8541.10.0080 20,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 1 ए 25 एनएस 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
BZD27C20PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20PHRHG -
सराय
 ECAD 3408 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
BZT52B2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7 0.0412
सराय
 ECAD 1573 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52B ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B2V7TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 18 @a @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
1SMA200ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA200ZHR3G -
सराय
 ECAD 4413 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA200 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 @a @ 152 वी 200 वी 1500 ओम
1N4762AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4762AH 0.1188
सराय
 ECAD 9089 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4762 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 @a @ 62.2 V 82 वी 200 ओम
BZD27C68P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P SALA -
सराय
 ECAD 2664 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
F1T6GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1t6gha1g -
सराय
 ECAD 6503 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun F1t6 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZY55C3V6 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C3V6 RYG 0.0350
सराय
 ECAD 3210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 3.6 वी 85 ओम
S10KC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S10KC R7 -
सराय
 ECAD 3800 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S10KCR7TR Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 10 ए 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 60pf @ 4v, 1MHz
MUR4L20HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur4l20hb0g -
सराय
 ECAD 8152 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun Mur4l20 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 890 mV @ 4 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
SRA10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA10100HC0G -
सराय
 ECAD 2489 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SRA10100 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
ES3CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3chm6g -
सराय
 ECAD 5673 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3C तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
SF31G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G B0G -
सराय
 ECAD 6832 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF31 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
BAT54SW RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54SW RVG -
सराय
 ECAD 7622 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 BAT54 schottky SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 30 वी 200ma (डीसी) 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RS3K M6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3k m6g -
सराय
 ECAD 3978 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC RS3K तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 3 ए 500 एनएस 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZY55B18 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B18 RYG 0.0486
सराय
 ECAD 6820 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 13 वी 18 वी 50 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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