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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
UDZS5V6B Taiwan Semiconductor Corporation Udzs5v6b 0.0354
सराय
 ECAD 1587 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZS5V6 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-UDZS5V6BTR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 पायल @ 3 वी 5.6 वी 40 ओम
TPAR3D S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3D S1G 1.0200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Tpar3 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम -2068-TPAR3DS1GDKR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.55 वी @ 3 ए 120 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 58PF @ 4V, 1MHz
BZX79C5V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C5V1 A0G -
सराय
 ECAD 7506 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 100 एमए 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
SFF1602G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1602G C0G -
सराय
 ECAD 1240 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक SFF1602 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 80pf @ 4v, 1MHz
ES1JAL Taiwan Semiconductor Corporation Es1jal 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur Es1j तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N4747AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747AHA0G -
सराय
 ECAD 8164 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4747 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 15.2 V 20 वी 80 ओम
BZT55B16 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B16 L1G -
सराय
 ECAD 2486 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
BZD27C22PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PHRQG -
सराय
 ECAD 5716 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 16 वी 22.05 वी 15 ओम
ES1GLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1glhrtg -
सराय
 ECAD 3496 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1g तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
TSM210N02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX 0.2725
सराय
 ECAD 9842 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM210 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM210N02CXTR Ear99 8541.29.0095 12,000 n- चैनल 20 वी 6.7 ए (टीसी टीसी) 1.8V, 4.5V 21MOHM @ 4A, 4.5V 0.8V @ 250µA 5.8 ranah @ 4.5 वी ± 10V 600 पीएफ @ 10 वी - 1.56W (टीसी)
1SMA5927 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5927 R3G -
सराय
 ECAD 1857 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5927 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 ५०० पायल @ ९। १। 12 वी 6.5 ओम
SK56C Taiwan Semiconductor Corporation SK56C 0.1938
सराय
 ECAD 7689 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SK56 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
BZX585B9V1 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B9V1 RKG -
सराय
 ECAD 4097 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B9 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 450 पायल @ 6 वी 9.1 वी 15 ओम
BC338-40 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40 B1 -
सराय
 ECAD 6103 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ६२५ सदाचार को -92 - तमाम 1801-BC338-40B1 शिर 1 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 700MV @ 50mA, 500mA 250 @ 100ma, 5v 100MHz
BZX585B43 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B43 RSG 0.0476
सराय
 ECAD 1126 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ४५ सदा 43 वी 150 ओम
SRS1650HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1650HMNG -
सराय
 ECAD 5034 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SRS1650 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 16 ए 700 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SF32GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32GHR0G -
सराय
 ECAD 7435 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF32 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
BZT52B20-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B20-G RHG 0.0461
सराय
 ECAD 7331 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 14 वी 20 वी 55 ओम
RS2DAH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2dah 0.0849
सराय
 ECAD 6483 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RS2D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BAS40-04 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS40-04 RFG 0.0581
सराय
 ECAD 5770 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 200MA 1 वी @ 40 एमए 5 एनएस 200 gaba @ 30 वी -65 ° C ~ 125 ° C
1SMA5943H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5943H 0.0995
सराय
 ECAD 1094 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5943 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 42.6 V 56 वी 86 ओम
TSM4N60ECH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N60ECH C5G -
सराय
 ECAD 1356 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa TSM4N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-251 (IPAK) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,750 n- चैनल 600 वी 4 ए (टीसी) 10V 2.5OHM @ 2A, 10V 5V @ 250µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 545 पीएफ @ 25 वी - 86.2W (टीसी)
1PGSMA4757H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4757H 0.1156
सराय
 ECAD 2023 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4757 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 38.8 V 51 वी 95 ओम
BZD27C7V5P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P RVG -
सराय
 ECAD 8414 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 3 वी 7.45 वी 2 ओम
HER3003PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER3003PT C0G -
सराय
 ECAD 7345 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-247-3 HER3003 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 30 ए 1 वी @ 15 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BC817-25 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-25 RFG 0.0346
सराय
 ECAD 8588 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 45 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 700MV @ 50mA, 500mA 160 @ 100ma, 1v 100MHz
M3Z3V3C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z3V3C 0.0294
सराय
 ECAD 6033 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F M3Z3 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-M3Z3V3CTR Ear99 8541.10.0050 6,000 20 µA @ 1 वी 3.3 वी 85 ओम
BZD27C39P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P 0.1101
सराय
 ECAD 1379 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.13% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C39PTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 30 V 39 वी 40 ओम
TUAS3MH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas3mh 0.1885
सराय
 ECAD 4218 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Tuas3 तमाम TO-277A (SMPC4.6U) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TUAS3MHTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 3 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 24PF @ 4V, 1MHz
MUR360S R7 Taiwan Semiconductor Corporation MUR360S R7 -
सराय
 ECAD 2873 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MUR360SR7TR Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
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AD9208BBPZ-3000

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