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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
BZD27C160P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P M2G -
सराय
 ECAD 5506 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 120 V 162 वी 350 ओम
RS1JHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jhr3g -
सराय
 ECAD 4893 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA RS1J तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
MUR840 C0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur840 C0g -
सराय
 ECAD 8898 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 Mur840 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
1N4746G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746G R0G 0.0627
सराय
 ECAD 2955 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4746 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 13.7 V 18 वी 20 ओम
2M13ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m13zha0g -
सराय
 ECAD 9853 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M13 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 ५०० सवार @ ९। ९। 13 वी 5 ओम
SS115L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS115L RHG -
सराय
 ECAD 6399 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS115 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 1 ए 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SK54CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK54CHR7G -
सराय
 ECAD 3917 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SK54 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
BZT52C15K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C15K RKG 0.0474
सराय
 ECAD 2965 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZT52C 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 15 वी 30 ओम
BC817-16 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-16 RFG 0.0346
सराय
 ECAD 4048 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 45 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 700MV @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 1v 100MHz
TSM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04DCR RLG 2.2400
सराय
 ECAD 423 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव TSM150 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA), 40W (टीसी) 8-PDFN (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 40V 8 ए (टीए), 38 टीसी (टीसी () 15mohm @ 8a, 10v 4V @ 250µA 18NC @ 10V 1132pf @ 20V -
TPMR6J Taiwan Semiconductor Corporation Tpmr6j 0.2799
सराय
 ECAD 9394 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन TPMR6 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TPMR6JTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 6 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
HS2GA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2GA R3G 0.2251
सराय
 ECAD 8720 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA Hs2g तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
MBRS1650HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1650HMNG -
सराय
 ECAD 8501 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS1650 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 750 mV @ 16 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
MBR30L45CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L45CTH -
सराय
 ECAD 5070 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR30 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 30 ए 550 mV @ 15 ए 400 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM280NB06LCR RLG 1.4800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया TSM280 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-PDFN (5.2x5.75) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 60 वी 7 ए (टीए), 28 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 28MOHM @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 18 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 969 पीएफ @ 30 वी - 3.1W (TA), 56W (टीसी)
SS36 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SS36 R6 -
सराय
 ECAD 1494 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SS36R6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZX85C9V1 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C9V1 R0G 0.0645
सराय
 ECAD 3265 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए 1 µa @ 6.9 V 9.1 वी 5 ओम
KBU1006G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1006G 1.9362
सराय
 ECAD 5949 0.00000000 तमाम - शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU KBU1006 तमाम KBU तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 10 ए 5 µA @ 800 V 10 ए सिंगल फेज़ 800 वी
S8GCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCHR7G -
सराय
 ECAD 8906 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S8GC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 985 mV @ 8 ए 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 48pf @ 4v, 1MHz
SFT11G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT11G R0G -
सराय
 ECAD 5400 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun SFT11 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
RS1DAL Taiwan Semiconductor Corporation RS1DAL 0.4800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur RS1D तमाम तंग - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
S1MLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation S1MLHMQG -
सराय
 ECAD 2712 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1ML तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
SK210A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK210A R3G -
सराय
 ECAD 6698 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK210 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 2 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZX584B68 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B68 0.0379
सराय
 ECAD 8767 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX584B68TR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 पायल @ 52 वी 68 वी 240 ओम
MBRF30200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF30200CT 1.2993
सराय
 ECAD 6589 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF30200 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 30 ए 1.05 वी @ 30 ए 200 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
ES3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B M6G -
सराय
 ECAD 6415 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC Es3b तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
1N4734G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4734G A0G -
सराय
 ECAD 8914 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4734 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µA @ 2 वी 5.6 वी 5 ओम
ES3H R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3H R6 -
सराय
 ECAD 2916 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES3HR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.7 वी @ 3 ए 35 एनएस 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 30pf @ 4v, 1MHz
SS110HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS110HR3G -
सराय
 ECAD 4072 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SS110 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 500 एमवी @ 1 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
S2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2K R5G -
सराय
 ECAD 8725 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB S2K तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.15 वी @ 2 ए 1.5 µs 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 30pf @ 4v, 1MHz
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AD9208BBPZ-3000

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