SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SK84C Taiwan Semiconductor Corporation SK84C 0.2997
सराय
ECAD 4401 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SK84 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8 ए -
SF48GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sf48gha0g -
सराय
ECAD 1594 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF48 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 4 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 80pf @ 4v, 1MHz
SS19LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS19LHMQG -
सराय
ECAD 1816 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS19 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 800 mV @ 1 ए 50 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZV55B47 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B47 L1G -
सराय
ECAD 2914 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 35 वी 47 वी 110 ओम
SS115L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS115L R3G -
सराय
ECAD 8931 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS115 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 1 ए 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
S10KC Taiwan Semiconductor Corporation S10KC 0.2235
सराय
ECAD 7034 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC S10K तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 60pf @ 4v, 1MHz
ES2F R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2F R5G -
सराय
ECAD 7306 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB Es2f तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 2 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
2M6.8Z Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8z 0.1565
सराय
ECAD 8851 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M6.8 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,500 1 पायल @ 5.5 वी 6.8 वी 1.5 ओम
RS1KFS Taiwan Semiconductor Corporation RS1KFS 0.0528
सराय
ECAD 5716 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 रत्न तमाम सोद -128 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
BZS55B2V4 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V4 RXG -
सराय
ECAD 7255 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 85 ओम
TS4K60-A Taiwan Semiconductor Corporation TS4K60-A 0.8100
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, TS4K TS4K60 तमाम Ts4k तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 1 वी @ 2 ए 10 µA @ 600 V 4 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BZV55C56 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C56 L1G -
सराय
ECAD 6281 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 kay @ 42 वी 56 वी 135 ओम
BZD27C20PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20PHRHG -
सराय
ECAD 3408 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
BZD27C180P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P MQG -
सराय
ECAD 5109 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 179.5 वी 450 ओम
SF18G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G 0.0983
सराय
ECAD 6765 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SF18 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
1M150ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150ZHA0G -
सराय
ECAD 3655 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1M150 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 114 वी 150 वी 1000 ओम
SS23LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHRHG -
सराय
ECAD 8061 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS23 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 @a @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
MBRF2060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060HC0G -
सराय
ECAD 1724 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 MBRF2060 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 820 mV @ 20 ए 200 @a @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
UF4005 A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4005 A0G -
सराय
ECAD 5280 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut UF4005 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
BZD17C75P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RVG -
सराय
ECAD 8764 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 56 V 75 वी 100 ओम
BZD27C62PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PHRVG 0.1043
सराय
ECAD 9734 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 47 V 62 वी 80 ओम
2M6.8ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8zh 0.1667
सराय
ECAD 8061 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M6.8 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,500 1 पायल @ 5.5 वी 6.8 वी 1.5 ओम
RSFGLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfglhmtg -
सराय
ECAD 2859 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFGL तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 500 एमए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
SK22AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SK22AHM2G -
सराय
ECAD 1514 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK22 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 2 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
UF4002 R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4002 R1G -
सराय
ECAD 3500 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut UF4002 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
BZX585B51 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B51 RSG 0.0476
सराय
ECAD 1740 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 45 NA @ 35.7 V 51 वी 180 ओम
SS24L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS24L RTG -
सराय
ECAD 2686 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS24 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
SS115L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS115L RQG -
सराय
ECAD 7383 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS115 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 1 ए 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
MBRF3035CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3035CT C0G -
सराय
ECAD 3565 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF3035 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 30 ए 820 mV @ 30 ए 200 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR460 Taiwan Semiconductor Corporation Mur460 0.2730
सराय
ECAD 6654 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun Mur460 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.28 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम