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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N4937GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4937GH 0.0613
सराय
 ECAD 4511 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4937 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
BZD27C13P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P RVG 0.3800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 2 @a @ 10 वी 13.25 वी 10 ओम
RSFGLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfglhmtg -
सराय
 ECAD 2859 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFGL तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 500 एमए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
BZT55B8V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B8V2 L0G 0.0385
सराय
 ECAD 5688 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 6.2 वी 8.2 वी 7 ओम
SK39AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SK39AHM2G -
सराय
 ECAD 6503 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK39 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 850 mV @ 3 ए 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZD27C180P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P MQG -
सराय
 ECAD 5109 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 179.5 वी 450 ओम
SS23LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHRHG -
सराय
 ECAD 8061 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS23 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 @a @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZD27C100PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHRUG 0.3075
सराय
 ECAD 8607 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
PU1BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation PU1BMH M3G 0.5000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Pu1b तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.05 वी @ 1 ए 36 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 18pf @ 4v, 1MHz
BZD27C43P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P MQG -
सराय
 ECAD 9597 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
SK315AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK315AHR3G -
सराय
 ECAD 8974 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK315 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 3 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZT52B36S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36S RRG -
सराय
 ECAD 8437 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल @ 25.2 वी 36 वी 90 ओम
SF23GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF23GHB0G -
सराय
 ECAD 7285 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF23 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 40pf @ 4v, 1MHz
1N4752AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752AH 0.1188
सराय
 ECAD 7826 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4752 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 25.1 V 33 वी 45 ओम
1N4747G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747G R0G 0.0627
सराय
 ECAD 2777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4747 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
TSM13N50ACZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM13N50ACZ C0G -
सराय
 ECAD 9596 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 13 ए (टीसी) 10V 480MOHM @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 31 सना ± 30V 1965 पीएफ @ 25 वी - 52W (टीसी)
HER1005GH Taiwan Semiconductor Corporation HER1005GH 0.6029
सराय
 ECAD 8972 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HER1005GH Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 10 ए 1.3 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1K R3G -
सराय
 ECAD 2657 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA रत्न तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
HERAF1603G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1603G C0G -
सराय
 ECAD 4980 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Heraf1603 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 16 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 150pf @ 4v, 1MHz
MBR3090CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090CT C0G -
सराय
 ECAD 1425 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR3090 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 30 ए 940 mV @ 30 ए 200 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C220P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220P R3G -
सराय
 ECAD 4505 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 160 V 220.5 वी 900 ओम
SF32GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32GHA0G -
सराय
 ECAD 4976 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF32 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
M3Z3V3C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z3V3C 0.0294
सराय
 ECAD 6033 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F M3Z3 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-M3Z3V3CTR Ear99 8541.10.0050 6,000 20 µA @ 1 वी 3.3 वी 85 ओम
MBRAD1560DH Taiwan Semiconductor Corporation Mbrad1560dh 0.9300
सराय
 ECAD 6560 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MBRAD1560 schottky थिंदपक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 750 mV @ 7.5 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMB5943HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5943HR5G -
सराय
 ECAD 3360 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1pgsmb5943 3 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 @a @ 42.6 V 56 वी 86 ओम
BZT52C43S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43S RRG -
सराय
 ECAD 6549 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए ४५ सदा 43 वी 150 ओम
MUR320SB R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR320SB R5G 1.0500
सराय
 ECAD 726 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB MUR320 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BZT52C68-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68-G 0.0424
सराय
 ECAD 6485 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C68-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 47.6 V 68 वी 240 ओम
1SMA5934HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5934HR3G -
सराय
 ECAD 4271 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5934 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 ५०० सदाबहार @ २.२ वी 24 वी 19 ओम
SK25AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK25AHR3G -
सराय
 ECAD 8623 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK25 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 2 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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