SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZD17C39P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P RHG -
सराय
ECAD 3823 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 30 V 39 वी 40 ओम
HS1GH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1gh 0.0907
सराय
ECAD 8913 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HS1GHTR Ear99 8541.10.0080 15,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
BAT54 Taiwan Semiconductor Corporation BAT54 0.0326
सराय
ECAD 9586 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54TR Ear99 8541.10.0070 6,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
UG54G B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG54G B0G -
सराय
ECAD 7437 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun UG54 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 5 ए 20 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए -
SS33HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SS33HM6G -
सराय
ECAD 5869 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SS33 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
SS310L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS310L MQG -
सराय
ECAD 5808 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS310 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 3 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
ES3CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3chm6g -
सराय
ECAD 5673 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3C तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
GP1607 Taiwan Semiconductor Corporation GP1607 -
सराय
ECAD 2023 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 GP1607 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 16 ए 1.1 वी @ 8 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
2M39Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M39Z 0.1580
सराय
ECAD 5472 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M39 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 29.7 V 39 वी 30 ओम
S1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL RQG -
सराय
ECAD 5409 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 जे तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
HS1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL RVG 0.6500
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab HS1A तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
TSPB10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB10U45S S1G -
सराय
ECAD 2006 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन TSPB10 schottky Smpc4.0 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 460 mV @ 10 ए 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
MBS10H Taiwan Semiconductor Corporation MBS10H 0.2021
सराय
ECAD 9141 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-‘(0.173", 4.40 मिमी ranak) MBS10 तमाम एमबीएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 1 वी @ 400 एमए 5 µA @ 1000 V ५०० तंग सिंगल फेज़ 1 केवी
TSM2N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60ECP ROG -
सराय
ECAD 8884 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSM2 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-252, (डी-rana) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 2 ए (टीसी) 10V 4OHM @ 1A, 10V 5V @ 250µA ९। ± 30V 362 पीएफ @ 25 वी - 52.1W (टीसी)
BZD17C68P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P RHG -
सराय
ECAD 4594 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
6A20GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20GHB0G -
सराय
ECAD 3748 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Rabr -6, s अकmun 6A20 तमाम कमाई -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 6 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZD27C27PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHM2G -
सराय
ECAD 9125 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 20 वी 27 वी 15 ओम
BZX79B2V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V7 A0G -
सराय
ECAD 5249 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 100 एमए 1 सना हुआ @ 75 वी 2.7 वी 100 ओम
BZS55C10 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C10 RXG 0.0340
सराय
ECAD 1745 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
BZD27C220P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220P MTG -
सराय
ECAD 8758 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 160 V 220.5 वी 900 ओम
AZ23C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation Az23c3v3 0.0786
सराय
ECAD 3866 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C3V3TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 3.3 वी 95 ओम
TSM170N06CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06CH C5G 2.2200
सराय
ECAD 29 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa TSM170 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-251 (IPAK) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 60 वी 38 ए (टीसी) 4.5V, 10V 17MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 28.5 vapak ± 20 वी 900 पीएफ @ 25 वी - 46W (टीसी)
BZD27C30PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PHRUG 0.2933
सराय
ECAD 6094 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 22 वी 30 वी 15 ओम
ES1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL RHG -
सराय
ECAD 5094 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1g तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
1SMB5933HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5933HR5G -
सराय
ECAD 6948 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1SMB5933 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 @a @ 16.7 V 22 वी 17.5 ओम
TSM3N90CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CH C5G -
सराय
ECAD 8127 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa TSM3N90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-251 (IPAK) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,750 n- चैनल 900 वी 2.5 ए (टीसी) 10V 5.1ohm @ 1.25a, ​​10V 4V @ 250µA 17 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 748 पीएफ @ 25 वी - 94W (टीसी)
MTZJ10SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ10SC 0.0305
सराय
ECAD 9396 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj10 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ10SCTR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 7 वी 9.95 वी 30 ओम
SKLW Taiwan Semiconductor Corporation SKLW 0.0498
सराय
ECAD 5481 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-sklwtr Ear99 8541.10.0080 20,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 800 एमए 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 7PF @ 4V, 1MHz
HER1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1001G C0G -
सराय
ECAD 9556 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 HER1001 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 10 ए 1 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZS55B20 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B20 RXG -
सराय
ECAD 9845 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 55 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम