SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
1T2G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T2G R0G -
सराय
ECAD 9231 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1t2g तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
S12MC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12MC M6G -
सराय
ECAD 8916 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S12M तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 12 ए 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 12 ए 78pf @ 4v, 1MHz
BC338-25-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25-B0 A1G -
सराय
ECAD 9538 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) ६२५ सदाचार को -92 तंग तमाम 1801-BC338-25-B0A1GTB शिर 1 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 700MV @ 50mA, 500mA 250 @ 100ma, 5v 100MHz
S1GLS Taiwan Semiconductor Corporation S1GLS 0.0534
सराय
ECAD 7012 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h एस 1 जी तमाम Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1.2 ए 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.2 ए -
DBLS204G Taiwan Semiconductor Corporation Dbls204g 0.7700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग DBLS204 तमाम डीबीएलएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 1.15 वी @ 2 ए 2 @a @ 400 वी 2 ए सिंगल फेज़ 400 वी
RS2GAH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2gah 0.0849
सराय
ECAD 5669 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RS2G तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BZS55B20 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B20 RXG -
सराय
ECAD 9845 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 55 ओम
ES1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL RHG -
सराय
ECAD 5094 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1g तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
ES3A R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3A R7G -
सराय
ECAD 1442 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3A तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
1N5399GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399GHB0G -
सराय
ECAD 7969 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5399 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
BC338-16-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16-B0 A1 -
सराय
ECAD 2005 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) ६२५ सदाचार को -92 - तमाम 1801-BC338-16-B0A1TB शिर 1 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 700MV @ 50mA, 500mA 250 @ 100ma, 5v 100MHz
1N5241B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5241B A0G -
सराय
ECAD 7781 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5241 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 8.4 V 11 वी 22 ओम
MBRF10100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10100H -
सराय
ECAD 7464 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 MBRF10100 schottky ITO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBRF10100H Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
BZD27C11PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHRUG 0.2933
सराय
ECAD 1923 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 4 µa @ 8.2 V 11 वी 7 ओम
ES1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL RQG -
सराय
ECAD 2300 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1j तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
HS1BL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL MQG -
सराय
ECAD 6110 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Hs1b तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
UG06BHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Ug06bha0g -
सराय
ECAD 5963 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun UG06 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 एमवी @ 600 एमए 15 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4v, 1MHz
S1G-JR3 Taiwan Semiconductor Corporation S1G-JR3 -
सराय
ECAD 6795 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.5 µs 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
HER304G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER304G A0G -
सराय
ECAD 6772 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun HER304 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
FR205G Taiwan Semiconductor Corporation Fr205g 0.0981
सराय
ECAD 5834 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FR205 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 2 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 10pf @ 4v, 1MHz
1N4748AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748AH 0.1188
सराय
ECAD 2254 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4748 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 16.7 V 22 वी 23 ओम
S1M-26R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1M-26R3G -
सराय
ECAD 7907 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA S1M-26 तमाम DO-214AC (SMA) - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.5 µs 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
1SMA4738 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4738 R3G 0.5100
सराय
ECAD 108 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4738 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 @a @ 6 वी 8.2 वी 4.5 ओम
BZS55C2V4 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C2V4 RXG 0.0340
सराय
ECAD 1474 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 85 ओम
RS1JLH Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLH 0.1815
सराय
ECAD 2727 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS1JLHTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 800 एमए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
SS14LS Taiwan Semiconductor Corporation SS14LS 0.4600
सराय
ECAD 36 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h SS14 schottky Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 80pf @ 4v, 1MHz
S1DL MHG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL MHG -
सराय
ECAD 6078 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 डी तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
SS15L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L अराय 0.1965
सराय
ECAD 9511 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS15 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 1 ए 400 @a @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SS14LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS14LHRVG -
सराय
ECAD 6828 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS14 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
SF45GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF45GHB0G -
सराय
ECAD 1561 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF45 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 4 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 80pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम