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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
1SMA4750 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4750 0.0935
सराय
 ECAD 7570 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4750 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 20.6 V 27 वी 35 ओम
BZX85C20 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C20 A0G -
सराय
 ECAD 5100 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 10 एमए ५०० सना 20 वी 24 ओम
1PGSMA4740 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4740 R3G -
सराय
 ECAD 8968 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4740 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1PGSMA4740R3G Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 7.6 V 10 वी 7 ओम
BZD27C220PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHMHG -
सराय
 ECAD 7730 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 160 V 220.5 वी 900 ओम
BZD27C16PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PWH 0.1787
सराय
 ECAD 8438 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोड -123W BZD27 1 डब सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16 वी 15 ओम
MUR310S M6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S M6 -
सराय
 ECAD 7388 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MUR310SM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 875 mV @ 3 ए 25 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
SF16GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF16GHB0G -
सराय
 ECAD 1987 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SF16 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
2A05GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A05GH 0.0760
सराय
 ECAD 2319 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2A05 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 15pf @ 4v, 1MHz
ESH3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D R6 -
सराय
 ECAD 2751 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ESH3DR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
UDZS3V6B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V6B 0.0416
सराय
 ECAD 5442 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZS3V6 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-UDZS3V6BTR Ear99 8541.10.0050 6,000 4.5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
ES3DV M6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV M6 -
सराय
 ECAD 8462 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES3DVM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
RS1DALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dalh 0.0683
सराय
 ECAD 2433 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS1DALHTR Ear99 8541.10.0080 28,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
BZX585B5V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B5V6 RSG 0.0476
सराय
 ECAD 3578 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 900 पायल @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
AZ23C10 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C10 RFG 0.0786
सराय
 ECAD 3605 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3MBHR5G 0.7000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 3 एम तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
BZV55C43 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C43 L1G -
सराय
 ECAD 6439 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 32 वी 43 वी 90 ओम
BC847B Taiwan Semiconductor Corporation BC847B 0.0334
सराय
 ECAD 1440 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 सभा एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BC847BTR Ear99 8541.21.0075 9,000 45 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2MA, 5V 100MHz
SS26L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L MQG -
सराय
 ECAD 7362 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS26 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
MBR3060CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR3060CT-Y 0.6587
सराय
 ECAD 3261 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR3060 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBR3060CT-Y Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 30 ए 770 mV @ 15 ए 200 @a @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C68K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68K 0.0511
सराय
 ECAD 1276 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZT52C 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C68KTR Ear99 8541.10.0050 6,000 २०० सवार @ ५२ वी 68 वी 240 ओम
ES1CLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1clhr3g -
सराय
 ECAD 2445 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1c तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
BZT52B20 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B20 RHG 0.0416
सराय
 ECAD 7356 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52B ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए ४५ सना 20 वी 55 ओम
SK56C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK56C M6 -
सराय
 ECAD 3399 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SK56CM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
BZT52B6V2-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V2-G 0.0461
सराय
 ECAD 8787 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B6V2-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
BZD27C68P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P R3G -
सराय
 ECAD 5756 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
BZD27C160PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160PHR3G 0.3075
सराय
 ECAD 4261 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 120 V 162 वी 350 ओम
HS1JH Taiwan Semiconductor Corporation HS1JH 0.0907
सराय
 ECAD 4671 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HS1JHTR Ear99 8541.10.0080 15,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
MBRAD15150DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD15150DH 0.9400
सराय
 ECAD 1121 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MBRAD15150 schottky थिंदपक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 15 ए 950 mV @ 7.5 ए 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
2CZ4004 RHG Taiwan Semiconductor Corporation 2CZ4004 RHG -
सराय
 ECAD 9660 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 तमाम सोद -123 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-2CZ4004RHGTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZD27C120P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P MTG -
सराय
 ECAD 1858 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120.5 वी 300 ओम
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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