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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1PGSMC5352 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5352 v7g -
सराय
 ECAD 7059 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 µA @ 11.5 V 15 वी 3 ओम
ES3DV M6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV M6 -
सराय
 ECAD 8462 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES3DVM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BZX585B5V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B5V6 RSG 0.0476
सराय
 ECAD 3578 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 900 पायल @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
HER101G R1G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G R1G -
सराय
 ECAD 1988 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Her101 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZD27C200PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PHR3G 0.3353
सराय
 ECAD 4627 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 150 V 200 वी 750 ओम
TSZU52C5V1 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C5V1 RGG 0.0669
सराय
 ECAD 1719 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 800 एमवी 5.1 वी 60 ओम
6A40G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A40G A0G -
सराय
 ECAD 3361 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Rabr -6, s अकmun 6A40 तमाम कमाई -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 700 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 6 ए 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1SMB5931H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5931H 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1SMB5931 3 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 13.7 V 18 वी 12 ओम
ES1FLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Es1flhm2g -
सराय
 ECAD 5167 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1f तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
TSZU52C3V3 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V3 RGG 0.0669
सराय
 ECAD 6593 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 25 µa @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
S1ALHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1ALHMHG -
सराय
 ECAD 7746 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1A तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
MTZJ3V3SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V3SB R0G 0.0305
सराय
 ECAD 9094 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj3 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 20 µA @ 1 वी 3.43 वी 120 ओम
FR106G Taiwan Semiconductor Corporation FR106G 0.0582
सराय
 ECAD 7545 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut FR106 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
BZV55C43 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C43 L1G -
सराय
 ECAD 6439 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 32 वी 43 वी 90 ओम
SFS1006GH Taiwan Semiconductor Corporation SFS1006GH 0.6433
सराय
 ECAD 3664 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SFS1006 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 5 ए 35 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 50pf @ 4v, 1MHz
ES1CL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RHG -
सराय
 ECAD 3261 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1c तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 1v, 1MHz
SK54C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK54C V7G -
सराय
 ECAD 5472 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SK54 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
AZ23C10 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C10 RFG 0.0786
सराय
 ECAD 3605 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3MBHR5G 0.7000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 3 एम तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
MUR320S R7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR320S R7G -
सराय
 ECAD 7694 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC MUR320 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 875 mV @ 3 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
SK32A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A R3G -
सराय
 ECAD 2053 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK32 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 mV @ 3 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LDCR RLG 1.0500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव TSM110 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2 letcuni (टीए), 48W (टीसी) 8-PDFN (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 40v 10 ए (टीए), 48 टीसी (टीसी () 11mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10v 1269pf @ 20V -
1PGSMB5938HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5938HR5G -
सराय
 ECAD 8181 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1pgsmb5938 3 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 .A @ 27.4 वी 36 वी 38 ओम
RS1DALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dalh 0.0683
सराय
 ECAD 2433 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS1DALHTR Ear99 8541.10.0080 28,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
BZD27C56P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P MTG -
सराय
 ECAD 5769 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 43 वी 56 वी 60 ओम
BZD27C220PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHMHG -
सराय
 ECAD 7730 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 160 V 220.5 वी 900 ओम
BZD27C91P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P SALA 0.2753
सराय
 ECAD 8762 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 90.5 वी 200 ओम
1N4760AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4760AH 0.1188
सराय
 ECAD 5641 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4760 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 51.7 V 68 वी 150 ओम
BZD17C68P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P RHG -
सराय
 ECAD 4594 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
1N5406GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5406GHA0G -
सराय
 ECAD 7017 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5406 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 3 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 25pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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