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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RS1DALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dalh 0.0683
सराय
 ECAD 2433 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS1DALHTR Ear99 8541.10.0080 28,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
BZD27C56P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P MTG -
सराय
 ECAD 5769 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 43 वी 56 वी 60 ओम
BZD27C220PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHMHG -
सराय
 ECAD 7730 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 160 V 220.5 वी 900 ओम
BZD27C91P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P SALA 0.2753
सराय
 ECAD 8762 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 90.5 वी 200 ओम
BZT52C7V5 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C7V5 RHG 0.2700
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 900 पायल @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
1N4760AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4760AH 0.1188
सराय
 ECAD 5641 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4760 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 51.7 V 68 वी 150 ओम
BZD17C68P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P RHG -
सराय
 ECAD 4594 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
1N5406GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5406GHA0G -
सराय
 ECAD 7017 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5406 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 3 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 25pf @ 4v, 1MHz
TSM60N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CP ROG 0.4523
सराय
 ECAD 4261 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSM60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-252, (डी-rana) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 3.3 ए (टीसी) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V @ 250µA 7.7 सना ± 30V 370 पीएफ @ 100 वी - 38W (टीसी)
1SMA4759H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4759H 0.1004
सराय
 ECAD 4332 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4759 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1 @a @ 47.1 V 62 वी 125 ओम
1PGSMC5363 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5363 R7G -
सराय
 ECAD 2430 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 22.8 V 30 वी 8 ओम
RS2JFS Taiwan Semiconductor Corporation RS2JFS 0.4600
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RS2J तमाम सोद -128 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 2 ए 250 एनएस 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 11pf @ 4v, 1MHz
GP1607 Taiwan Semiconductor Corporation GP1607 -
सराय
 ECAD 2023 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 GP1607 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 16 ए 1.1 वी @ 8 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
SK59C V6G Taiwan Semiconductor Corporation SK59C V6G -
सराय
 ECAD 8482 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SK59 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 850 mV @ 5 ए 300 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
SF62GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF62GHB0G -
सराय
 ECAD 5292 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF62 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 975 mV @ 6 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 100pf @ 4v, 1MHz
6A20GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20GHB0G -
सराय
 ECAD 3748 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Rabr -6, s अकmun 6A20 तमाम कमाई -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 6 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
UDZS11B Taiwan Semiconductor Corporation Udzs11b 0.0354
सराय
 ECAD 4153 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzs11 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-UDZS11BTR Ear99 8541.10.0050 10,000 90 सना हुआ @ 8 वी 11 वी 20 ओम
UG06B A1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06B A1G -
सराय
 ECAD 3224 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun UG06 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 एमवी @ 600 एमए 15 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4v, 1MHz
BAT54 Taiwan Semiconductor Corporation BAT54 0.0326
सराय
 ECAD 9586 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54TR Ear99 8541.10.0070 6,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
SS12LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LS RVG 0.0905
सराय
 ECAD 7774 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h SS12 schottky Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 80pf @ 4v, 1MHz
BZD27C15PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHRVG -
सराय
 ECAD 1335 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
BZX79B2V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V7 A0G -
सराय
 ECAD 5249 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 100 एमए 1 सना हुआ @ 75 वी 2.7 वी 100 ओम
SS110LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHMQG -
सराय
 ECAD 4949 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS110 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 1 ए 50 µa @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
1SMA130ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA130ZH 0.1245
सराय
 ECAD 5909 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA130 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 98.8 V 130 वी 700 ओम
SS26L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L MQG -
सराय
 ECAD 7362 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS26 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
MUR860HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur860hc0g -
सराय
 ECAD 8050 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 Mur860 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 8 ए 50 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
MBR3060CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR3060CT-Y 0.6587
सराय
 ECAD 3261 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR3060 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBR3060CT-Y Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 30 ए 770 mV @ 15 ए 200 @a @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4750 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4750 0.0935
सराय
 ECAD 7570 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4750 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 20.6 V 27 वी 35 ओम
SFAF1008G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1008G 1.9500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF1008 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 140pf @ 4v, 1MHz
BZD27C16PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PWH 0.1787
सराय
 ECAD 8438 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोड -123W BZD27 1 डब सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16 वी 15 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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