SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MBR40200PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR40200PTH 2.1834
सराय
ECAD 9559 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 MBR40200 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 40 ए 1.01 वी @ 40 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR40150PT 2.0507
सराय
ECAD 9742 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 MBR40150 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 40 ए 1.01 वी @ 40 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFS1006G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1006G -
सराय
ECAD 9656 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SFS1006 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 5 ए 35 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 50pf @ 4v, 1MHz
HS2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2J R5G -
सराय
ECAD 4435 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB Hs2j तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 2 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 30pf @ 4v, 1MHz
BZV55C5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C5V6 L0G 0.0333
सराय
ECAD 6491 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 25 ओम
SRAF530 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF530 C0G -
सराय
ECAD 2454 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से TO-220-2 SRAF530 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 एमवी @ 5 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5 ए -
S4G V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4G V7G 0.6200
सराय
ECAD 579 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 4 जी तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.15 वी @ 4 ए 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZD17C12P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P MHG -
सराय
ECAD 8171 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 3 µa @ 9.1 V 12 वी 7 ओम
BZS55C4V7 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C4V7 RXG 0.0340
सराय
ECAD 2857 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए ५०० पायल @ १ वी 4.7 वी 70 ओम
RSFAL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL MTG -
सराय
ECAD 3181 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एक प्रकार का तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 500 एमए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
1N4753A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753A B0G -
सराय
ECAD 4762 0.00000000 तमाम - थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4753 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 27.4 V 36 वी 50 ओम
BZY55B5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B5V1 0.0413
सराय
ECAD 2381 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZY55B5V1TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gay @ 1 वी 5.1 वी 50 ओम
SR310 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR310 A0G 0.3500
सराय
ECAD 2375 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SR310 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 3 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZV55C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V3 0.0333
सराय
ECAD 7832 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55C4V3TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 1 µA @ 1 वी 4.3 वी 75 ओम
BZD27C39P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P RHG -
सराय
ECAD 9150 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 30 V 39 वी 40 ओम
TSM5NC50CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CP 0.9828
सराय
ECAD 3969 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSM5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-252, (डी-rana) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM5NC50CPTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीसी) 10V 1.38OHM @ 2.4A, 10V 4.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 586 पीएफ @ 50 वी - 83W (टीसी)
BZV55B8V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B8V2 L0G 0.0357
सराय
ECAD 6558 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 6.2 वी 8.2 वी 7 ओम
TSM070NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CR RLG 2.4300
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम Perfet ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-PDFNU (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 15 ए (टीए टीए), 54 टीसी (टीसी) 7V, 10V 7MOHM @ 27A, 10V 3.6V @ 250µA 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1337 पीएफ @ 25 वी - 46.8W (टीसी)
SRA2030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2030 C0G -
सराय
ECAD 3545 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SRA2030 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 एमवी @ 20 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 20 ए -
BZX85C16 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C16 R0G 0.0645
सराय
ECAD 4101 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए ५०० सदा 16 वी 15 ओम
MBRS15200CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15200CT-Y MNG -
सराय
ECAD 2254 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS15200 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 950 mV @ 7.5 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SR809 Taiwan Semiconductor Corporation SR809 -
सराय
ECAD 4521 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun schottky Do-201ad - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SR809TR Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 920 mV @ 8 ए 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
SR003H Taiwan Semiconductor Corporation SR003H -
सराय
ECAD 9337 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SR003HTR Ear99 8541.10.0070 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 एमवी @ 500 एमए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4v, 1MHz
SFT11G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT11G R0G -
सराय
ECAD 5400 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun SFT11 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
SF28GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF28GHB0G -
सराय
ECAD 1734 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF28 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 2 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
1N4739G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4739G A0G -
सराय
ECAD 8666 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4739 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7 V 9.1 वी 5 ओम
BZD17C43P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P RQG -
सराय
ECAD 3954 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
SRAF1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1040 C0G -
सराय
ECAD 5285 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से TO-220-2 SRAF1040 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 10 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 10 ए -
BZD17C200P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C200P RFG -
सराय
ECAD 8619 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 150 V 200 वी 750 ओम
BZD27C47PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHMTG -
सराय
ECAD 3222 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 36 V 47 वी 45 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम