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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SS12LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHMHG -
सराय
 ECAD 9698 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS12 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
1N5397GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5397GH 0.0760
सराय
 ECAD 6763 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5397 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
TST20H300CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20H300CW -
सराय
 ECAD 7398 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 TST20 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 10 ए 980 mV @ 10 ए 100 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR220HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR220HA0G -
सराय
 ECAD 4777 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SR220 schottky DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 2 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
SK520C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK520C M6G -
सराय
 ECAD 4448 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SK520 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 5 ए 300 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
HERA808G Taiwan Semiconductor Corporation Hera808g 1.7500
सराय
 ECAD 953 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Hera808 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 8 ए 80 एनएस 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 55pf @ 4v, 1MHz
BZD27C56P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P R3G -
सराय
 ECAD 6562 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 43 वी 56 वी 60 ओम
US1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1D R3G 0.5700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA US1D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
TSZL52C8V2 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C8V2 RWG -
सराय
 ECAD 5735 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) TSZL52 200 सभा 1005 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gay @ 6 वी 8.2 वी 7 ओम
SFAF1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1001GHC0G -
सराय
 ECAD 3727 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF1001 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 975 mV @ 10 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 170pf @ 4v, 1MHz
SR2090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2090PT C0G -
सराय
 ECAD 5951 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SR2090 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 20 ए 920 mV @ 10 ए 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C120P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P MTG -
सराय
 ECAD 1858 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120.5 वी 300 ओम
UF1GH Taiwan Semiconductor Corporation Uf1gh 0.1044
सराय
 ECAD 6421 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Uf1g तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
GPA804 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA804 C0G -
सराय
 ECAD 2232 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 GPA804 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 8 ए 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BZD17C75P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RVG -
सराय
 ECAD 8764 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 56 V 75 वी 100 ओम
MBRS2590CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2590CT MNG -
सराय
 ECAD 5754 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS2590 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 25 ए 920 mV @ 25 ए 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
2M130Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M130Z A0G -
सराय
 ECAD 8128 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M130 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 98.8 V 130 वी 400 ओम
UGF5J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF5J C0G -
सराय
 ECAD 9575 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से TO-220-2 UGF5 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3 वी @ 5 ए 25 एनएस 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
F1T3G R0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t3g R0g -
सराय
 ECAD 1555 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun F1t3 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
RS1KH Taiwan Semiconductor Corporation RS1KH 0.0712
सराय
 ECAD 9832 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA रत्न तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
RS1JLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhrug -
सराय
 ECAD 3163 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1J तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 800 एमए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
ESH3B Taiwan Semiconductor Corporation Esh3b 0.2139
सराय
 ECAD 4220 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC Esh3 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 20 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
SRS1620HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1620HMNG -
सराय
 ECAD 5095 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SRS1620 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 16 ए 550 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C
BAT42W RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAT42W RHG 0.3600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 BAT42 schottky सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1 वी @ 200 एमए 5 एनएस ५०० सदाबहार @ २५ -55 ° C ~ 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
RS1BL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL MTG -
सराय
 ECAD 7269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1B तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
RSFMLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrhg -
सराय
 ECAD 5511 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFML तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 500 एमए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
TSM3404CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3404CX RFG -
सराय
 ECAD 5251 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 5.8 ए (टीए () 4.5V, 10V 30mohm @ 5.8a, 10v 3V @ 250µA 13.8 ranak @ 10 वी ± 20 वी 400.96 पीएफ @ 15 वी - 750MW (TA)
SS23LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHRTG -
सराय
 ECAD 6774 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS23 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 @a @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
MUR320SB R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR320SB R5G 1.0500
सराय
 ECAD 726 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB MUR320 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BZD27C180PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHMQG -
सराय
 ECAD 8870 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 179.5 वी 450 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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