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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
BTA212-600F,127 WeEn Semiconductors BTA212-600F, 127 0.3767
सराय
 ECAD 9325 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA212 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए २५ सना हुआ
BTA206-800ET,127 WeEn Semiconductors BTA206-800ET, 127 0.2983
सराय
 ECAD 9837 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA206 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 800 वी 6 ए 1.5 वी 60 ए, 66 ए 10 सना हुआ
BTA201-600E,112 WeEn Semiconductors BTA201-600E, 112 0.2116
सराय
 ECAD 2105 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BTA201 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 12 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1.5 वी 12.5 ए, 13.7 ए ए 10 सना हुआ
WNSC6D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D16650CW6Q 4.5600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.45 वी @ 16 ए 0 एनएस 80 @a @ 650 V 175 ° C 16 ए 780pf @ 1V, 1MHz
ACTT2W-800ETNF WeEn Semiconductors Actt2w-800etnf 0.1836
सराय
 ECAD 8626 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa Actt2 एससी -73 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना 10 सना हुआ तमाम 800 वी 2 ए 1 वी 18 ए, 20 ए 10 सना हुआ
BT168G,112 WeEn Semiconductors BT168G, 112 0.4900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT168 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 ५ सदाचार 600 वी 800 सना हुआ 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 200 µa 1.7 वी ५०० तंग 100 µa अफ़राह
BTA2008-600E,412 WeEn Semiconductors BTA2008-600E, 412 0.1606
सराय
 ECAD 4298 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BTA2008 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 12 सना हुआ सराफक 600 वी 800 सना हुआ 2 वी 9 ए, 10 ए 10 सना हुआ
ACTT10X-800ETQ WeEn Semiconductors Actt10X-800ETQ -
सराय
 ECAD 9487 0.00000000 तिहाई - नली Sic में बंद r क rur kay - होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Actt10x To-220f - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934068002127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना सराफक 800 वी 10 ए - 10 सना हुआ
BTA330-800BTQ WeEn Semiconductors BTA330-800BTQ 0.7482
सराय
 ECAD 8823 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA330 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 75 सना हुआ तमाम 800 वी 30 ए 1.3 वी 270 ए, 297 ए ५० सदा
BT131-600/DG,412 WeEn Semiconductors BT131-600/dg, 412 0.4700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT131 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना ५ सदाचार सराफक 600 वी 1 ए 1.5 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए ३ तंग
BYV25FB-600,118 WeEn Semiconductors BYV25FB-600,118 0.4620
सराय
 ECAD 8436 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYV25 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 5 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BT139B-800F,118 WeEn Semiconductors BT139B-800F, 118 0.4596
सराय
 ECAD 1379 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BT139 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ४५ सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए २५ सना हुआ
BT1308W-600D,135 WeEn Semiconductors BT1308W-600D, 135 0.0892
सराय
 ECAD 2173 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BT1308 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934060158135 Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 800 सना हुआ 2 वी 9 ए, 10 ए ५ सदाचार
BT258-800R,127 WeEn Semiconductors BT258-800R, 127 0.9500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 BT258 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 6 सना हुआ 800 वी 8 ए 1.5 वी 75 ए, 82 ए 200 µa 1.6 वी 5 ए 500 µa अफ़राह
Z0103MA,126 WeEn Semiconductors Z0103MA, 126 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तिहाई - कट कट टेप (सीटी) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0103 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,000 कसना 7 सारा सराफक 600 वी 1 ए 1 वी 8 ए, 8.5 ए ५ सदाचार
BTA212B-600F,118 WeEn Semiconductors BTA212B-600F, 118 0.5136
सराय
 ECAD 1484 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA212 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए २५ सना हुआ
BTA202X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA202X-600E, 127 0.2906
सराय
 ECAD 1064 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA202 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 12 सना हुआ सराफक 600 वी 2 ए 1.5 वी 14 ए, 15.4 ए 10 सना हुआ
BTA420X-800CT/L03Q WeEn Semiconductors BTA420X-800CT/L03Q 0.6107
सराय
 ECAD 9882 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA420 To-220f तंग 1 (असीमित) 934068527127 Ear99 8541.30.0080 600 कसना 40 सना तमाम 800 वी 20 ए 1 वी 200A, 220A ३५ सना हुआ
BT139B-600F,118 WeEn Semiconductors BT139B-600F, 118 0.4445
सराय
 ECAD 4084 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BT139 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ४५ सना हुआ तमाम 600 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए २५ सना हुआ
BT151X-800R/DG,127 WeEn Semiconductors BT151X-800R/DG, 127 0.8100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT151 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 २० सना हुआ 800 वी 12 ए 1.5 वी 120 ए, 132 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
BT136S-600D,118 WeEn Semiconductors BT136S-600D, 118 0.6800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BT136 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए ५ सदाचार
ACT108W-600E,135 WeEn Semiconductors ACT108W-600E, 135 0.4700
सराय
 ECAD 79 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa Act108 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना २५ सना हुआ सराफक 600 वी 800 सना हुआ 1 वी 8 ए, 8.8 ए 10 सना हुआ
BT136-800E,127 WeEn Semiconductors BT136-800E, 127 0.2440
सराय
 ECAD 4958 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT136 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 800 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए 10 सना हुआ
BTA204W-600F,135 WeEn Semiconductors BTA204W-600F, 135 0.2136
सराय
 ECAD 2507 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BTA204 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना २० सना हुआ तमाम 600 वी 1 ए 1.5 वी 10 ए, 11 ए २५ सना हुआ
BYC30-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30-1200PQ 1.1550
सराय
 ECAD 3865 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC30 तमाम TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934072004127 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.3 वी @ 30 ए 65 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
BTA316B-600B,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600B, 118 1.2300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA316 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना 60 सना हुआ तमाम 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ५० सदा
BTA310-800E,127 WeEn Semiconductors BTA310-800E, 127 0.4219
सराय
 ECAD 8480 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA310 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066173127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 800 वी 10 ए 1.5 वी 85 ए, 93 ए 10 सना हुआ
BTA206X-800CT/L01, WeEn Semiconductors BTA206X-800CT/L01, 0.8500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA206 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066531127 Ear99 8541.30.0080 600 कसना ३५ सना हुआ तमाम 800 वी 6 ए 1.5 वी 60 ए, 66 ए ३५ सना हुआ
BTA212-600B,127 WeEn Semiconductors BTA212-600B, 127 0.3767
सराय
 ECAD 6431 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA212 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 60 सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ५० सदा
BT137-800,127 WeEn Semiconductors BT137-800,127 0.7700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT137 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना २० सना हुआ तमाम 800 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ३५ सना हुआ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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