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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
BTA316X-800C/L03Q WeEn Semiconductors BTA316X-800C/L03Q 0.4759
सराय
 ECAD 1338 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA316 To-220f तंग 1 (असीमित) 934660004127 Ear99 8541.30.0080 600 कसना ३५ सना हुआ तंग 800 वी 16 ए 1 वी 140 ए, 150 ए ३५ सना हुआ
NXPLQSC20650WQ WeEn Semiconductors NXPLQSC20650WQ -
सराय
 ECAD 7794 0.00000000 तिहाई - थोक तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) 934070883127 Ear99 8541.10.0080 240 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.85 वी @ 10 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 250pf @ 1V, 1MHz
NXPLQSC30650WQ WeEn Semiconductors NXPLQSC30650WQ -
सराय
 ECAD 3342 0.00000000 तिहाई - थोक तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) 934070882127 Ear99 8541.10.0080 240 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.95 वी @ 15 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए 300pf @ 1V, 1MHz
NXPSC10650DJ WeEn Semiconductors NXPSC10650DJ -
सराय
 ECAD 5878 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) 9340700111118 Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 300pf @ 1V, 1MHz
NXPSC10650XQ WeEn Semiconductors NXPSC10650XQ -
सराय
 ECAD 9358 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f तंग 1 (असीमित) 934070014127 Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 300pf @ 1V, 1MHz
OF4487J WeEn Semiconductors Of4487j 0.3300
सराय
 ECAD 9969 0.00000000 तिहाई * R टेप ray ryील (ther) शिर Of4487 - 1 (असीमित) 2,500
BTA312X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA312X-800C, 127 0.4747
सराय
 ECAD 8184 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA312 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३५ सना हुआ तंग 800 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ३५ सना हुआ
BTA316B-800C,118 WeEn Semiconductors BTA316B-800C, 118 1.2700
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA316 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ३५ सना हुआ तंग 800 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ३५ सना हुआ
BUJ106A,127 WeEn Semiconductors BUJ106A, 127 0.4219
सराय
 ECAD 3878 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 Buj106 80 डब टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 400 वी 10 ए 100μA एनपीएन 1V @ 1.2a, 6a 14 @ 500mA, 5V -
BYC20X-600,127 WeEn Semiconductors BYC20X-600,127 1.9100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC20 तंग To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 20 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
BYV34-600,127 WeEn Semiconductors BYV34-600,127 0.7920
सराय
 ECAD 6863 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 BYV34 तंग टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 1.48 वी @ 20 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
ACT108-600E,412 WeEn Semiconductors ACT108-600E, 412 0.1606
सराय
 ECAD 7809 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Act108 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना २५ सना हुआ सराफक 600 वी 800 सना हुआ 1 वी 8 ए, 8.8 ए 10 सना हुआ
BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors BT151-500RT, 127 0.7000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 BT151 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 २० सना हुआ 500 वी 12.5 ए 1.5 वी 120 ए, 132 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 8 ए 500 µa तंग
BTA208X-1000C0,127 WeEn Semiconductors BTA208X-1000C0,127 0.8500
सराय
 ECAD 9976 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA208 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ५० सदा तंग 1 केवी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ३५ सना हुआ
BYV34-400,127 WeEn Semiconductors BYV34-400,127 1.6700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 BYV34 तंग टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 20 ए 1.35 वी @ 20 ए 60 एनएस 50 µa @ 400 V -
BYV42E-200,127 WeEn Semiconductors BYV42E-200,127 1.4300
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 BYV42 तंग टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 30 ए 1.2 वी @ 30 ए 28 एनएस 100 µA @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYW29E-150,127 WeEn Semiconductors BYW29E-150,127 0.8900
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYW29 तंग TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.05 V @ 8 ए 25 एनएस 10 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BT137X-800,127 WeEn Semiconductors BT137X-800,127 0.2753
सराय
 ECAD 6113 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT137 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना २० सना हुआ तंग 800 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ३५ सना हुआ
BYV40E-150,115 WeEn Semiconductors BYV40E-150,115 0.2970
सराय
 ECAD 7460 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-261-4, to-261aa BYV40 तंग एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 1.5 ए 1 वी @ 1.5 ए 25 एनएस 10 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYC15X-600PQ WeEn Semiconductors BYC15X-600PQ 1.2700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC15 तंग To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.2 वी @ 15 ए 18 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYC20D-600PQ WeEn Semiconductors BYC20D-600PQ 0.8580
सराय
 ECAD 2383 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC20 तंग TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.9 वी @ 20 ए 20 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
BYV10-600PQ WeEn Semiconductors BYV10-600PQ 0.7400
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Byv10 तंग TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BYT79B-600PJ WeEn Semiconductors BYT79B-600PJ 0.4703
सराय
 ECAD 3577 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYT79 तंग D2PAK तंग 1 (असीमित) 934072018118 Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.38 वी @ 15 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
TYN40-800TQ WeEn Semiconductors TYN40-800TQ 1.7000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TYN40 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072023127 Ear99 8541.30.0080 50 60 सना हुआ 800 वी 40 ए 1.2 वी 450 ए, 495 ए 15 सना हुआ 1.6 वी 25 ए तंग
WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors WNS20S100CBJ 0.7400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WNS20 schottky D2PAK तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 950 mV @ 10 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors WNS20H100CBJ 0.8500
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WNS20 schottky D2PAK तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 750 mV @ 10 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNS20H100CQ WeEn Semiconductors WNS20H100CQ 0.8100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WNS20 schottky To-220e तंग रोहस अफ़मार तंग 934072010127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 750 mV @ 10 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
NXPSC06650B6J WeEn Semiconductors Nxpsc06650b6j 3.7000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 200 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 190pf @ 1V, 1MHz
NXPSC06650D6J WeEn Semiconductors Nxpsc06650d6j 3.5800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 200 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 190pf @ 1V, 1MHz
NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors NXPSC10650D6J 6.0000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 300pf @ 1V, 1MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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