SIC
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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
WNB199V5APTSV WeEn Semiconductors WNB199V5APTSV 0.9319
सराय
 ECAD 8774 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WNB199 तंग एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 60 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 60 ए -
BYV410X-600/L01Q WeEn Semiconductors BYV410X-600/L01Q 0.6979
सराय
 ECAD 9126 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV410 तंग To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 2.1 वी @ 10 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 ° C
BYC40W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC40W-1200PQ 1.8808
सराय
 ECAD 1282 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYC40 तंग से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 450 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.3 वी @ 40 ए 91 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 ° C 40 ए -
TYN16Y-600CTQ WeEn Semiconductors TYN16Y-600CTQ 0.3365
सराय
 ECAD 4024 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब Tyn16 टू -220 एबी तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 40 सना 600 वी 16 ए 1 वी 188 ए, 207 ए 10 सना हुआ 1.6 वी 10.2 ए 10 µa तंग
WNSC2D1012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D1012006Q 1.4521
सराय
 ECAD 4911 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 481pf @ 1V, 1MHz
BTA312-600D,127 WeEn Semiconductors BTA312-600D, 127 0.4521
सराय
 ECAD 1041 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA312 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 10 सना हुआ सराफक 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ५ सदाचार
BTA312-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312-600E, 127 0.4521
सराय
 ECAD 4811 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA312 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कड़ा 15 सना हुआ सराफक 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए 10 सना हुआ
BYC8D-600,127 WeEn Semiconductors BYC8D-600,127 0.9400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC8 तंग TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.9 वी @ 8 ए 20 एनएस 40 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BYV29F-600,127 WeEn Semiconductors BYV29F-600,127 0.4125
सराय
 ECAD 7894 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYV29 तंग TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 8 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
BYV32G-200,127 WeEn Semiconductors BYV32G-200,127 0.7260
सराय
 ECAD 6441 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa BYV32 तंग I2pak (to-262) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 850 एमवी @ 8 ए 25 एनएस 30 µA @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYV42G-200,127 WeEn Semiconductors BYV42G-200,127 0.7590
सराय
 ECAD 1754 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa BYV42 तंग I2pak (to-262) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 850 mV @ 15 ए 28 एनएस 100 µA @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYV415W-600PQ WeEn Semiconductors BYV415W-600PQ 1.4871
सराय
 ECAD 9779 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 BYV415 तंग To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 15 ए 2.1 वी @ 15 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
NXPSC04650Q WeEn Semiconductors NXPSC04650Q -
सराय
 ECAD 1767 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 170 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए 130pf @ 1V, 1MHz
WNS40100CQ WeEn Semiconductors WNS40100CQ 1.2000
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WNS40 schottky To-220e तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 780 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
WNSC2D151200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D151200WQ 6.2000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D151200WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C 15 ए 700pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650DJ 2.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC16650CWQ 3.3290
सराय
 ECAD 7958 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC16650CWQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 16 ए 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C
WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650TJ 1.5000
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 125pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D06650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D06650XQ 0.9150
सराय
 ECAD 4213 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D06650XQ Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 6 ए 198pf @ 1V, 1MHz
TYN16X-600CT127 WeEn Semiconductors TYN16X-600CT127 -
सराय
 ECAD 8640 0.00000000 तिहाई * थोक शिर - रोहस सराय 2156-TYN16X-600CT127-1740 1
BTA312Y-600C,127 WeEn Semiconductors BTA312Y-600C, 127 1.2900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BTA312 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा ३५ सना हुआ तंग 600 वी 12 ए 1.5 वी 100 ए, 110 ए ३५ सना हुआ
BTA316Y-800BTQ WeEn Semiconductors BTA316Y-800BTQ 0.4671
सराय
 ECAD 2344 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BTA316 IITO-220E तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 60 सना हुआ तंग 800 वी 16 ए 1 वी 160 ए, 176 ए ५० सदा
Z0107NA/DG,116 WeEn Semiconductors Z0107NA/DG, 116 0.4600
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0107 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,000 कड़ा 10 सना हुआ सराफक 800 वी 1 ए 1.3 वी 8 ए, 8.5 ए ५ सदाचार
TYN20Y-600TFQ WeEn Semiconductors TYN20Y-600TFQ 1.0000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब TYN20 टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 40 सना 600 वी 20 ए 1 वी 225 ए, 248 ए 10 सना हुआ 1.6 वी 12.7 ए 10 µa तंग
BT151Y-650LTNQ WeEn Semiconductors BT151Y-650LTNQ 0.2906
सराय
 ECAD 2604 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BT151 IITO-220E तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 २० सना हुआ 650 वी 12 ए 1 वी 120 ए, 132 ए ५ सदाचार 1.5 वी 7.5 ए 1 तंग तंग
BYV32EX-300PQ WeEn Semiconductors BYV32EX-300PQ 1.1200
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV32 तंग To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 35 एनएस 20 µa @ 300 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BTA140-600G0TQ WeEn Semiconductors BTA140-600G0TQ 0.6469
सराय
 ECAD 3256 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA140 टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) 934068924127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 60 सना हुआ तंग 600 वी 25 ए 1 वी 190 ए, 209 ए 100 सवार
BTA204W-600D,135 WeEn Semiconductors BTA204W-600D, 135 0.2136
सराय
 ECAD 1951 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BTA204 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 4,000 कड़ा 6 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1.5 वी 10 ए, 11 ए ५ सदाचार
BT234-600E,127 WeEn Semiconductors BT234-600E, 127 0.2639
सराय
 ECAD 1858 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT234 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934065718127 Ear99 8541.30.0080 50 कड़ा 15 सना हुआ तंग 600 वी 4 ए 1 वी 35A @ 50 परत २५ सना हुआ
MAC97A6,412 WeEn Semiconductors Mac97a6,412 0.4000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mac97 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कड़ा 10 सना हुआ सराफक 400 वी ६०० सना हुआ 1.5 वी 8 ए, 8.8 ए 7 सारा
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

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