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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
EC103D1WX WeEn Semiconductors Ec103d1wx 0.4300
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa EC103 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 ५ सदाचार 400 वी 800 सना हुआ 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 12 µa 1.35 वी ५०० तंग 100 µa अफ़राह
TB100ML WeEn Semiconductors TB100ML 0.0878
सराय
 ECAD 5963 0.00000000 तिहाई - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) TB100 2 डब से 92-3 तंग 1 (असीमित) 934068209126 Ear99 8541.29.0095 10,000 700 वी 1 ए 100μA एनपीएन 1V @ 150ma, 750ma 14 @ 100ma, 5v -
WNSCM160120WQ WeEn Semiconductors WNSCM160120WQ 5.2221
सराय
 ECAD 1676 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSCM160120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-3 तंग Ear99 8541.29.0095 600 n- चैनल 1200 वी 24 ए (टीए) 20 वी 196mohm @ 10a, 20v 4.5V @ 3MA 35 सना हुआ @ 20 वी +25v, -10v 736 पीएफ @ 1000 वी - 155W (TA)
ACTT10B-800CTNJ WeEn Semiconductors Actt10b-800ctnj 0.4671
सराय
 ECAD 5386 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Actt10 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072020118 Ear99 8541.30.0080 800 कड़ा ३० सना हुआ तंग 800 वी 10 ए 1 वी 90 ए, 99 ए ३५ सना हुआ
WND35P08XQ WeEn Semiconductors WND35P08XQ 0.5480
सराय
 ECAD 5262 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब WND35 तंग To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.4 वी @ 35 ए 50 µA @ 1600 वी -40 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
BT137-600/L01,127 WeEn Semiconductors BT137-600/L01,127 -
सराय
 ECAD 8109 0.00000000 तिहाई - नली Sic में बंद r क rur kay 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT137 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934032670127 Ear99 8541.30.0080 50 कड़ा २० सना हुआ तंग 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ३५ सना हुआ
BT151-650L,127 WeEn Semiconductors BT151-650L, 127 0.2906
सराय
 ECAD 1919 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 BT151 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 २० सना हुआ 650 वी 12 ए 1.5 वी 120 ए, 132 ए ५ सदाचार 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
Z0107NA,126 WeEn Semiconductors Z0107NA, 126 0.1150
सराय
 ECAD 8424 0.00000000 तिहाई - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0107 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934057058126 Ear99 8541.30.0080 10,000 कड़ा 10 सना हुआ सराफक 800 वी 1 ए 1.3 वी 8 ए, 8.5 ए ५ सदाचार
BYT79X-600PQ WeEn Semiconductors BYT79X-600PQ 1.0500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYT79 तंग To-220fp तंग रोहस अफ़मार तंग 934070143127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.38 वी @ 15 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYC8B-600,118 WeEn Semiconductors BYC8B-600,118 0.5280
सराय
 ECAD 8125 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYC8 तंग D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 8 ए 52 एनएस 150 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BTA208X-800E,127 WeEn Semiconductors BTA208X-800E, 127 0.3617
सराय
 ECAD 4988 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA208 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा २५ सना हुआ सराफक 800 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 72 ए 10 सना हुआ
BT139-600G0TQ WeEn Semiconductors BT139-600G0TQ 0.3993
सराय
 ECAD 1022 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT139 टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) 934069093127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 60 सना हुआ तंग 600 वी 16 ए 1 वी 155 ए, 170 ए 100 सवार
NUR460P/L06U WeEn Semiconductors Nur460p/l06u -
सराय
 ECAD 1821 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun NUR460 तंग Do-201ad तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.28 वी @ 4 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V - 4 ए -
BT151-650C,127 WeEn Semiconductors BT151-650C, 127 0.2906
सराय
 ECAD 5139 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 BT151 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 २० सना हुआ 650 वी 12 ए 1.5 वी 100 ए, 110 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
BT152X-600R,127 WeEn Semiconductors BT152X-600R, 127 0.5123
सराय
 ECAD 3069 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT152 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 60 सना हुआ 650 वी 20 ए 1.5 वी 200A, 220A ३२ सदा 1.75 वी 13 ए 1 तंग तंग
Z0107MN,135 WeEn Semiconductors Z0107MN, 135 0.5000
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa Z0107 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 4,000 कड़ा 10 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1.3 वी 8 ए, 8.5 ए ५ सदाचार
BTA2008-600E/L02EP WeEn Semiconductors BTA2008-600E/L02EP 0.1606
सराय
 ECAD 1298 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BTA2008 से 92-3 तंग 1 (असीमित) 934068192412 Ear99 8541.30.0080 2,000 कड़ा 12 सना हुआ तंग 600 वी 800 सना हुआ 1.5 वी 9 ए, 9.9 ए 10 सना हुआ
BYV29X-600PQ WeEn Semiconductors BYV29X-600PQ 0.7700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV29 तंग To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072014127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 8 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
BTA410-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA410-800BT, 127 0.4596
सराय
 ECAD 4936 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA410 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066143127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 60 सना हुआ तंग 800 वी 10 ए 1.5 वी 100 ए, 110 ए ५० सदा
BTA312-800CT/DG,12 WeEn Semiconductors BTA312-800CT/DG, 12 0.4671
सराय
 ECAD 6405 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA312 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066053127 Ear99 8541.30.0080 50 कड़ा ३५ सना हुआ तंग 800 वी 12 ए 1 वी 100 ए, 110 ए ३५ सना हुआ
BTA208S-600E,118 WeEn Semiconductors BTA208S-600E, 118 0.8800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BTA208 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कड़ा २५ सना हुआ सराफक 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 72 ए 10 सना हुआ
BTA410X-600ET,127 WeEn Semiconductors BTA410X-600ET, 127 0.4671
सराय
 ECAD 4106 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA410 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066148127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 15 सना हुआ सराफक 600 वी 10 ए 1.5 वी 100 ए, 110 ए 10 सना हुआ
BT258X-500R,127 WeEn Semiconductors BT258X-500R, 127 0.9600
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT258 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 6 सना हुआ 500 वी 8 ए 1.5 वी 75 ए, 82 ए 200 µa 1.6 वी 5 ए 500 µa अफ़राह
BTA316B-600BT,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600BT, 118 0.4822
सराय
 ECAD 3985 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA316 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कड़ा 60 सना हुआ तंग 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ५० सदा
BTA216X-600D,127 WeEn Semiconductors BTA216X-600D, 127 0.5463
सराय
 ECAD 9789 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA216 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 15 सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ५ सदाचार
ACTT6-800CNQ WeEn Semiconductors Actt6-800cnq 0.4008
सराय
 ECAD 1108 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 Actt6 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934069162127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 40 सना सराफक 800 वी 6 ए 1 वी 66A @ 50 परत्गी ३५ सना हुआ
BYV29X-600AQ WeEn Semiconductors BYV29X-600AQ 0.9800
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV29 To-220f - 1 (असीमित) 934069808127 Ear99 8541.10.0080 50
BYV25FD-600,118 WeEn Semiconductors BYV25FD-600,118 0.8500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BYV25 तंग डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 5 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BT134W-600D,115 WeEn Semiconductors BT134W-600D, 115 0.5700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BT134 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कड़ा 10 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1.5 वी 10 ए, 11 ए ५ सदाचार
BYV10EX-600PQ WeEn Semiconductors BYV10EX-600PQ 1.0600
सराय
 ECAD 4309 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Byv10 तंग To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 10 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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