SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
BT137B-800,118 WeEn Semiconductors BT137B-800,118 0.3059
सराय
ECAD 7215 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BT137 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना २० सना हुआ तमाम 800 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ३५ सना हुआ
BT137X-600F,127 WeEn Semiconductors BT137X-600F, 127 0.2677
सराय
ECAD 8713 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT137 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना २० सना हुआ तमाम 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए २५ सना हुआ
BYC30WT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PSQ 1.3879
सराय
ECAD 4791 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 BYC30 तमाम To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 30 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
Z0107MA,412 WeEn Semiconductors Z0107MA, 412 0.1068
सराय
ECAD 6696 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0107 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1.3 वी 8 ए, 8.5 ए ५ सदाचार
BT139X-800/L02Q WeEn Semiconductors BT139X-800/L02Q 0.4441
सराय
ECAD 5867 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT139 To-220f तंग 1 (असीमित) 934067769127 Ear99 8541.30.0080 600 कसना ४५ सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1 वी 155 ए, 170 ए 70
BTA216B-600D,118 WeEn Semiconductors BTA216B-600D, 118 0.7217
सराय
ECAD 5762 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA216 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ५ सदाचार
BT134W-600E,115 WeEn Semiconductors BT134W-600E, 115 0.5700
सराय
ECAD 11 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BT134 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1.5 वी 10 ए, 11 ए 10 सना हुआ
BT169GEP WeEn Semiconductors BT169GEP 0.4900
सराय
ECAD 19 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BT169 से 92-3 तंग तंग Ear99 8541.30.0080 5,000 ५ सदाचार 600 वी 800 सना हुआ 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 200 µa 1.7 वी ५०० तंग 100 µa अफ़राह
BTA202W-1000ETF WeEn Semiconductors BTA202W-1000ETF 0.4500
सराय
ECAD 15 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BTA202 एससी -73 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना २५ सना हुआ वैकलmut - सmurलेस 1 केवी 2 ए 1 वी 25 ए, 27.5 ए 10 सना हुआ
BYV32E-300PQ WeEn Semiconductors BYV32E-300PQ 0.5940
सराय
ECAD 9788 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 BYV32 तमाम To-220e तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 35 एनएस 20 µa @ 300 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BT131-600,412 WeEn Semiconductors BT131-600,412 0.4600
सराय
ECAD 19 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT131 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना ५ सदाचार सराफक 600 वी 1 ए 1.5 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए ३ तंग
TYN20-600TQ WeEn Semiconductors TYN20-600TQ 0.3918
सराय
ECAD 7728 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TYN20 To-220e तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 40 सना 600 वी 20 ए 1 वी 230 ए, 253 ए ३२ सदा 1.5 वी 12.7 ए 1 तंग तंग
WNSC2D101200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D101200CW6Q 2.0518
सराय
ECAD 9405 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 10 ए 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
ACTT6-800E,127 WeEn Semiconductors ACTT6-800E, 127 0.3212
सराय
ECAD 7299 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 Actt6 टू -220 एबी तंग रोहस 1 (असीमित) 934065708127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना २५ सना हुआ सराफक 800 वी 6 ए 51 ए, 56 ए 10 सना हुआ
WNSC5D20650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650CW6Q -
सराय
ECAD 1487 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 - 1740-WNSC5D20650CW6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए 1.7 वी @ 20 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
BTA316B-600E,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600E, 118 0.4973
सराय
ECAD 9202 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA316 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए 10 सना हुआ
WNSC5D10650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650X6Q -
सराय
ECAD 1726 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D10650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
BT139X-600G,127 WeEn Semiconductors BT139X-600G, 127 0.4069
सराय
ECAD 1812 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT139 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 60 सना हुआ तमाम 600 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए ५० सदा
NCR100Q-6MX WeEn Semiconductors NCR100Q-6MX 0.0773
सराय
ECAD 2106 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa NCR100 SOT-89 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 ५ सदाचार 600 वी 800 सना हुआ 1 वी 8 ए, 9 ए 100 µa 1.7 वी 510 एमए 100 सवार अफ़राह
BT151-1000RT,127 WeEn Semiconductors BT151-1000RT, 127 0.9600
सराय
ECAD 11 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 BT151 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 २० सना हुआ 1 केवी 12 ए 1.5 वी 120 ए, 131 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए २.५ सना हुआ तंग
BTA312-600CT,127 WeEn Semiconductors BTA312-600CT, 127 0.4521
सराय
ECAD 8272 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA312 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ३५ सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ३५ सना हुआ
BT151-650LTFQ WeEn Semiconductors BT151-650LTFQ 0.5800
सराय
ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT151 टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 २० सना हुआ 650 वी 12 ए 1 वी 120 ए, 132 ए ५ सदाचार 1.5 वी 7.5 ए 10 µa तंग
BT151S-500R,118 WeEn Semiconductors BT151S-500R, 118 0.8000
सराय
ECAD 14 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BT151 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 २० सना हुआ 500 वी 12 ए 1.5 वी 120 ए, 132 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
N0118GA,412 WeEn Semiconductors N0118GA, 412 0.1175
सराय
ECAD 5219 0.00000000 तिहाई - थोक शिर - होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) N0118 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 ५ सदाचार 600 वी 800 सना हुआ 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 7 µa 1.95 वी 510 एमए 10 µa अफ़राह
NXPLQSC106506Q WeEn Semiconductors NXPLQSC106506Q 2.1450
सराय
ECAD 4977 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934072074127 Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.85 वी @ 10 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 250pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D201200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200WQ 8.3600
सराय
ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D201200WQ Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 20 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी 175 ° C 20 ए 845pf @ 1V, 1MHz
WNSC12650T6J WeEn Semiconductors WNSC12650T6J 3.5400
सराय
ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.8 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 ° C 12 ए 328PF @ 1V, 1MHz
TYN30Y-800TQ WeEn Semiconductors TYN30Y-800TQ 1.3100
सराय
ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब TYN30 IITO-220E तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 60 सना हुआ 800 वी 30 ए 1 वी 350 ए, 385 ए 15 सना हुआ 1.5 वी 19 ए 1 तंग तंग
Z0109NN0,135 WeEn Semiconductors Z0109NN0,135 0.5000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa Z0109 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 800 वी 1 ए 1.3 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए 10 सना हुआ
ACTT12B-800CJ WeEn Semiconductors Actt12B-800CJ 0.4747
सराय
ECAD 3999 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Actt12 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ५० सदा तमाम 800 वी 12 ए 1 वी 120 ए, 132 ए ३५ सना हुआ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम