SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
BYC5-1200PQ WeEn Semiconductors BYC5-1200PQ 0.4290
सराय
ECAD 3754 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC5 तमाम TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934072033127 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.2 वी @ 5 ए 36 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BTA16-800BQ WeEn Semiconductors BTA16-800BQ 0.4521
सराय
ECAD 6748 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BTA16 IITO-220E तंग तंग 934072058127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1 वी 160 ए, 176 ए 70
BTA316X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA316X-800C, 127 1.2300
सराय
ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA316 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३५ सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ३५ सना हुआ
Z0103NA0,412 WeEn Semiconductors Z0103NA0,412 0.1281
सराय
ECAD 7201 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0103 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 7 सारा सराफक 800 वी 1 ए 1.3 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए ३ तंग
BYC10X-600,127 WeEn Semiconductors BYC10X-600,127 1.2500
सराय
ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC10 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 10 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BT134-800,127 WeEn Semiconductors BT134-800,127 0.2357
सराय
ECAD 1733 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से SOT-82 BT134 SOT-82-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ तमाम 800 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए ३५ सना हुआ
ACTT10-800CQ WeEn Semiconductors Actt10-800cq 0.4219
सराय
ECAD 8170 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 Actt10 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934067998127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना ५५ सना हुआ तमाम 800 वी 10 ए 1.2 वी 90 ए, 99 ए ३५ सना हुआ
BTA312X-800CT/L01Q WeEn Semiconductors BTA312X-800CT/L01Q 0.3966
सराय
ECAD 6864 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA312 To-220f तंग Ear99 8541.30.0080 600 कसना ३५ सना हुआ वैकलmut - सmurलेस 800 वी 12 ए 1 वी 100 ए, 110 ए ३५ सना हुआ
BYC8X-600P,127 WeEn Semiconductors BYC8X-600P, 127 0.8900
सराय
ECAD 1766 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC8 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 8 ए 18 एनएस 20 µa @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BTA416Y-800B,127 WeEn Semiconductors BTA416Y-800B, 127 1.2300
सराय
ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BTA416 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1.5 वी 160 ए, 176 ए ५० सदा
BYC10-600CT,127 WeEn Semiconductors BYC10-600CT, 127 0.5280
सराय
ECAD 1616 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 BYC10 तमाम टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 10 ए 2.9 वी @ 5 ए 50 एनएस 100 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC5D10650B6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650B6J -
सराय
ECAD 5688 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक - 1740-WNSC5D10650B6JTR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
WN3S30100CXQ WeEn Semiconductors WN3S30100CXQ 0.8700
सराय
ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक WN3S301 schottky To-220f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 770 mV @ 15 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
BTA425X-800BT/L02Q WeEn Semiconductors BTA425X-800BT/L02Q 0.6710
सराय
ECAD 6278 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA425 To-220f तंग 1 (असीमित) 934069279127 Ear99 8541.30.0080 600 कसना 75 सना हुआ तमाम 800 वी 25 ए 1.3 वी 250 ए, 275 ए ५० सदा
Z0103MA,412 WeEn Semiconductors Z0103MA, 412 0.4300
सराय
ECAD 8 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0103 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 7 सारा सराफक 600 वी 1 ए 1.3 वी 8 ए, 8.5 ए ३ तंग
BT138-600E,127 WeEn Semiconductors BT138-600E, 127 1.0400
सराय
ECAD 397 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT138 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३० सना हुआ सराफक 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए 10 सना हुआ
BT131-800EQP WeEn Semiconductors BT131-800EQP 0.1183
सराय
ECAD 1769 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT131 से 92-3 तंग 1 (असीमित) 934058139116 Ear99 8541.30.0080 10,000 कसना 10 सना हुआ तमाम 800 वी 1 ए 1 वी 12.5 ए, 13.7 ए ए 10 सना हुआ
NCR100W-10LX WeEn Semiconductors NCR100W-10LX 0.4600
सराय
ECAD 20 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa NCR100 एससी -73 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 ३ तंग 850 वी 1.1 ए 800 एम.वी. 11 ए, 12.1 ए 50 µa 1.7 वी 800 सना हुआ 1 तंग अफ़राह
BUJ302AX,127 WeEn Semiconductors BUJ302AX, 127 0.8600
सराय
ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BUJ302 २६ दुर्विक To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 400 वी 4 ए 250 'ए एनपीएन 1.5V @ 1a, 3.5a 25 @ 800MA, 3V -
BT149G,126 WeEn Semiconductors BT149G, 126 0.4400
सराय
ECAD 11 0.00000000 तिहाई - कट कट टेप (सीटी) शिर - होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT149 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,000 ५ सदाचार 600 वी 800 सना हुआ 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 200 µa 1.7 वी ५०० तंग 100 µa अफ़राह
Z0107MA0,412 WeEn Semiconductors Z0107MA0,412 0.5100
सराय
ECAD 2 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0107 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1.3 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए ५ सदाचार
BTA312X-800B/DGQ WeEn Semiconductors BTA312X-800B/DGQ 1.0100
सराय
ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA312 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 60 सना हुआ सराफक 800 वी 12 ए 1 वी 100 ए, 110 ए ५० सदा
BYC10D-600,127 WeEn Semiconductors BYC10D-600,127 0.4125
सराय
ECAD 7928 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC10 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.5 वी @ 10 ए 18 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BUJD103AD,118 WeEn Semiconductors Bujd103ad, 118 0.3059
सराय
ECAD 6293 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Bujd1 80 डब डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 400 वी 4 ए 100μA एनपीएन 1V @ 1 ए, 4 ए 11 @ 2 ए, 5 वी -
MAC223A8X,127 WeEn Semiconductors Mac223a8x, 127 0.7806
सराय
ECAD 2779 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Mac223 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 20 ए 1.5 वी 190 ए, 230 ए ५० सदा
BTA201-600B,112 WeEn Semiconductors BTA201-600B, 112 0.2116
सराय
ECAD 4745 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BTA201 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 1 ए 1.5 वी 12.5 ए, 13.7 ए ए ५० सदा
WNSC04650T6J WeEn Semiconductors WNSC04650T6J 1.0313
सराय
ECAD 1979 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 25 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए 141pf @ 1V, 1MHz
BT137S-800F,118 WeEn Semiconductors BT137S-800F, 118 0.2677
सराय
ECAD 9939 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BT137 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कसना २० सना हुआ तमाम 800 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए २५ सना हुआ
BTA410Y-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-800CT, 127 0.4822
सराय
ECAD 7454 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BTA410 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066161127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ३५ सना हुआ तमाम 800 वी 10 ए 1.5 वी 100 ए, 110 ए ३५ सना हुआ
WNSC5D08650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D08650D6J -
सराय
ECAD 5032 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक - 1740-WNSC5D08650D6JTR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 267PF @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम