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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
BTA2008-1000D,126 WeEn Semiconductors BTA2008-1000D, 126 0.0986
सराय
 ECAD 4794 0.00000000 तिहाई - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BTA2008 से 92-3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 10,000 कसना 10 सना हुआ तमाम 1 केवी 800 सना हुआ 1 वी 9 ए, 9.9 ए ५ सदाचार
BYC8DX-600,127 WeEn Semiconductors BYC8DX-600,127 0.9300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC8 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.9 वी @ 8 ए 20 एनएस 40 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BT138B-600F,118 WeEn Semiconductors BT138B-600F, 118 0.4589
सराय
 ECAD 9666 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BT138 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए २५ सना हुआ
BTA204X-600F/L03Q WeEn Semiconductors BTA204X-600F/L03Q 0.2785
सराय
 ECAD 4810 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA204 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934068691127 Ear99 8541.30.0080 600 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 4 ए 1 वी 25 ए, 27 ए २५ सना हुआ
BTA312B-800B,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800B, 118 1.1800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA312 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ५० सदा
BT169D/DG,126 WeEn Semiconductors BT169D/DG, 126 0.0754
सराय
 ECAD 3678 0.00000000 तिहाई - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर - होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT169 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 10,000 ५ सदाचार 400 वी 800 सना हुआ 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 200 µa 1.7 वी ५०० तंग 100 µa अफ़राह
BT155W-1200TQ WeEn Semiconductors BT155W-1200TQ 3.0600
सराय
 ECAD 944 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 BT155 To-247-3 तंग तंग Ear99 8541.30.0080 30 200 एमए 1.2 केवी 79 ए 1 वी 650A, 715A ५० सदा 1.5 वी 50 ए ३ तंग तंग
WNSC5D20650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650CW6Q -
सराय
 ECAD 1487 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 - 1740-WNSC5D20650CW6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए 1.7 वी @ 20 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
BT236X-600,127 WeEn Semiconductors BT236X-600,127 0.3417
सराय
 ECAD 9041 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT236 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना २० सना हुआ तमाम 600 वी 6 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ३५ सना हुआ
BT137-600-0TQ WeEn Semiconductors BT137-600-0TQ 0.2945
सराय
 ECAD 3760 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT137 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934068519127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 40 सना तमाम 600 वी 8 ए 1 वी 65 ए, 71 ए ५० सदा
MAC97A8,412 WeEn Semiconductors Mac97a8,412 0.4500
सराय
 ECAD 90 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Mac97 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी ६०० सना हुआ 2 वी 8 ए, 8.8 ए ५ सदाचार
Z0107NA,116 WeEn Semiconductors Z0107NA, 116 0.1150
सराय
 ECAD 1948 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0107 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 10,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 800 वी 1 ए 1.3 वी 8 ए, 8.5 ए ५ सदाचार
BT138X-800,127 WeEn Semiconductors BT138X-800,127 1.2500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT138 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३० सना हुआ तमाम 800 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ३५ सना हुआ
BT139-800,127 WeEn Semiconductors BT139-800,127 1.0300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT139 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ४५ सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए ३५ सना हुआ
BYC10X-600,127 WeEn Semiconductors BYC10X-600,127 1.2500
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC10 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 10 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BYC10B-600,118 WeEn Semiconductors BYC10B-600,118 0.5445
सराय
 ECAD 4641 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYC10 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 10 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BTA216-600E,127 WeEn Semiconductors BTA216-600E, 127 0.5355
सराय
 ECAD 4073 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA216 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना २५ सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए 10 सना हुआ
BYC5-600,127 WeEn Semiconductors BYC5-600,127 0.8700
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC5 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 5 ए 50 एनएस 100 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BT134-800,127 WeEn Semiconductors BT134-800,127 0.2357
सराय
 ECAD 1733 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से SOT-82 BT134 SOT-82-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ तमाम 800 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए ३५ सना हुआ
BTH151S-650R,118 WeEn Semiconductors BTH151S-650R, 118 0.3843
सराय
 ECAD 5175 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Bth151 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 २० सना हुआ 650 वी 12 ए 1.5 वी 110 ए, 121 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
BTA216-600F,127 WeEn Semiconductors BTA216-600F, 127 0.5355
सराय
 ECAD 3633 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA216 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए २५ सना हुआ
BT139-600E,127 WeEn Semiconductors BT139-600E, 127 0.9900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT139 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ४५ सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए 10 सना हुआ
NXPSC08650BJ WeEn Semiconductors NXPSC08650BJ -
सराय
 ECAD 1864 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) 934070004118 Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BYV74W-400,127 WeEn Semiconductors BYV74W-400,127 1.1897
सराय
 ECAD 6692 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 BYV74 तमाम To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 30 ए 1.36 वी @ 30 ए 60 एनएस 50 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BTA204X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA204X-800C, 127 0.7400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA204 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना २० सना हुआ तमाम 800 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए ३५ सना हुआ
BT151U-800C,127 WeEn Semiconductors BT151U-800C, 127 0.3212
सराय
 ECAD 9994 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa BT151 तंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 3,750 २० सना हुआ 800 वी 12 ए 1.5 वी 100 ए, 110 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
BT137-600E/DG WeEn Semiconductors BT137-600E/dg 0.2753
सराय
 ECAD 9259 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT137 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934067231127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना २० सना हुआ सराफक 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए 10 सना हुआ
BTA440Z-800BTQ WeEn Semiconductors BTA440Z-800BTQ 3.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 BTA440 टू -3 पी तंग तंग Ear99 8541.30.0080 30 कसना 80 सना हुआ तमाम 800 वी 40 ए 1.3 वी 400 ए, 440 ए ५० सदा
WNSC2D401200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D401200W6Q 7.1044
सराय
 ECAD 5248 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 40 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 40 ए 2068pf @ 1V, 1MHz
BT131-600,412 WeEn Semiconductors BT131-600,412 0.4600
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT131 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना ५ सदाचार सराफक 600 वी 1 ए 1.5 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए ३ तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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