SIC
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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
TYN80W-1600TQ WeEn Semiconductors TYN80W-1600TQ 6.7600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TYN80 To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 30 200 एमए 1.6 केवी 126 ए 1 वी 850 ए, 930 ए 80 सना हुआ 1.47 वी 80 ए 10 सना हुआ तंग
NCR125W-125MX WeEn Semiconductors NCR125W-125MX 0.1438
सराय
 ECAD 6669 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa NCR125 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 10 सना हुआ 1.25 केवी 1.25 ए 800 एम.वी. 20 ए, 22 ए 100 µa 1.5 वी 800 सना हुआ 1 तंग अफ़राह
TYN50W-1600TQ WeEn Semiconductors TYN50W-1600TQ 2.1414
सराय
 ECAD 2577 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TYN50 To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 240 200 एमए 1.6 केवी 79 ए 1 वी 650A, 715A 80 सना हुआ 1.3 वी 50 ए 10 सना हुआ तंग
WNS40H100CGQ WeEn Semiconductors WNS40H100CGQ 0.6930
सराय
 ECAD 1458 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa WNS40 schottky To-262 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) - 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC101200WQ WeEn Semiconductors WNSC101200WQ 5.4441
सराय
 ECAD 8880 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 510pf @ 1V, 1MHz
WND10P08XQ WeEn Semiconductors WND10P08XQ 0.8900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Wnd10 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 10 ए 10 µa @ 800 V 150 ° C 10 ए -
BYV410X-600PQ WeEn Semiconductors BYV410X-600PQ 1.3100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV410 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 1.75 वी @ 16 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BTA408X-1000C0T,127 WeEn Semiconductors BTA408X-1000C0T, 127 0.8600
सराय
 ECAD 658 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA408 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 40 सना तमाम 1 केवी 8 ए 1 वी 100 ए, 110 ए ३५ सना हुआ
BYQ28E-200/H,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200/H, 127 0.7600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 BYQ28 तमाम टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYV29FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV29FX-600,127 0.9700
सराय
 ECAD 88 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV29 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 8 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
BYV410X-600,127 WeEn Semiconductors BYV410X-600,127 1.7500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV410 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 10 ए 2.1 वी @ 10 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYC20X-600PQ WeEn Semiconductors BYC20X-600PQ 1.9200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC20 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934067355127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.5 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
NXPS20S100CX,127 WeEn Semiconductors NXPS20S100CX, 127 -
सराय
 ECAD 8494 0.00000000 तिहाई - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Nxps20 schottky To-220f - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934067128127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 580 mV @ 3 ए 3 µa @ 100 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC30W-600PT2Q 2.3400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYC30 तमाम से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072030127 Ear99 8541.10.0080 450 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 30 ए 34 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
NXPLQSC10650Q WeEn Semiconductors NXPLQSC10650Q -
सराय
 ECAD 1984 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.85 वी @ 10 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 250pf @ 1V, 1MHz
NXPSC08650Q WeEn Semiconductors NXPSC08650Q -
सराय
 ECAD 9977 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D0212006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0212006Q -
सराय
 ECAD 5726 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC2D0212006Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 2 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 95pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D04650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D04650X6Q -
सराय
 ECAD 5301 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D04650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 138pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D10650W6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650W6Q -
सराय
 ECAD 4282 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 - 1740-WNSC5D10650W6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
WNSC04650LJ WeEn Semiconductors WNSC04650LJ -
सराय
 ECAD 6166 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 25 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 141pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q 4.1890
सराय
 ECAD 5335 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए 1.65 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 µA @ 1200 V 175 ° C
WBST080SCM120CGALW WeEn Semiconductors WBST080SCM120CGALW 11.6617
सराय
 ECAD 9134 0.00000000 तिहाई - थोक शिर WBST080 - 1
BYV60W-600PSQ WeEn Semiconductors BYV60W-600PSQ 2.0689
सराय
 ECAD 1643 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYV60 तमाम से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 60 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 60 ए -
WNSCM80120WQ WeEn Semiconductors WNSCM80120WQ 8.2460
सराय
 ECAD 4369 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSCM80120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-3 - Ear99 8541.29.0095 600 n- चैनल 1200 वी 42 ए (टीए) 20 वी 98MOHM @ 20A, 20V 4.5V @ 6MA ५ ९ सराय @ २० वी +25v, -10v 1350 पीएफ @ 1000 वी - 230W (TA)
WNSCM80120RQ WeEn Semiconductors WNSCM80120RQ 9.2597
सराय
 ECAD 3688 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 WNSCM80120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L - Ear99 8541.29.0095 240 n- चैनल 1200 वी 45 ए (टीए) 20 वी 98MOHM @ 20A, 20V 4.5V @ 6MA ५ ९ सराय @ २० वी +25v, -10v 1350 पीएफ @ 1000 वी - 270W (TA)
BTA330B-800BTJ WeEn Semiconductors BTA330B-800BTJ 0.7482
सराय
 ECAD 7686 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA330 D2PAK तंग Ear99 8541.30.0080 800 कसना 75 सना हुआ तमाम 800 वी 30 ए 1.3 वी 270 ए, 297 ए ५० सदा
BTA330B-800CTJ WeEn Semiconductors BTA330B-800CTJ 0.7482
सराय
 ECAD 5521 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA330 D2PAK तंग Ear99 8541.30.0080 800 कसना ५० सदा तमाम 800 वी 30 ए 1.3 वी 270 ए, 297 ए ३५ सना हुआ
BYC30Y-600PQ WeEn Semiconductors BYC30Y-600PQ 0.9132
सराय
 ECAD 1903 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC30 तमाम IITO-220-2L तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 30 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
WCR03-12WMX WeEn Semiconductors WCR03-12WMX 0.1621
सराय
 ECAD 8314 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa WCR03 एससी -73 तंग Ear99 8541.30.0080 4,000 ५ सदाचार 1.25 केवी 1.25 ए 800 एम.वी. 20 ए, 22 ए 90 µa 1.3 वी 800 सना हुआ 1 µa अफ़राह
WB45SD160ALZ WeEn Semiconductors WB45SD160ALZ 0.8063
सराय
 ECAD 4544 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WB45 तमाम एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.4 वी @ 45 ए 50 µA @ 1600 वी 150 ° C 45 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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