SIC
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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
WNC3060D45160WQ WeEn Semiconductors WNC3060D45160WQ 2.2193
सराय
 ECAD 4904 0.00000000 तिहाई - थोक शिर WNC3060 - 600
WCR03-12MEP WeEn Semiconductors WCR03-12MEP 0.1621
सराय
 ECAD 9671 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) WCR03 से 92-3 तंग Ear99 8541.30.0080 5,000 ५ सदाचार 1.25 केवी 1.25 ए 800 एम.वी. 20 ए, 22 ए 90 µa 1.3 वी 800 सना हुआ 1 µa अफ़राह
BTA203-800ET/L01EP WeEn Semiconductors BTA203-800ET/L01EP 0.1391
सराय
 ECAD 8313 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BTA203 से 92-3 तंग Ear99 8541.30.0080 2,000 कसना २० सना हुआ वैकलmut - सmurलेस 800 वी 3 ए 1 वी 27 ए, 30 ए 10 सना हुआ
TYN50Y-800TQ WeEn Semiconductors TYN50Y-800TQ 0.6165
सराय
 ECAD 8676 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब TYN50 टू -220 एबी तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 60 सना हुआ 800 वी 50 ए 1.2 वी 500 ए, 550 ए 15 सना हुआ 1.65 वी 32 ए 5 µa तंग
WNB2560MQ WeEn Semiconductors WNB2560MQ 1.6165
सराय
 ECAD 1893 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे WNB2560 तमाम जीबीजेएस तंग Ear99 8541.10.0080 600 920 mV @ 12.5 ए 10 µA @ 600 V 25 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BUJ105AB,118 WeEn Semiconductors BUJ105AB, 118 0.4219
सराय
 ECAD 7929 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BUJ105 125 डब D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 800 400 वी 8 ए 100μA एनपीएन 1V @ 800ma, 4 ए 13 @ 500mA, 5V -
BT131-600D/L01EP WeEn Semiconductors BT131-600D/L01EP 0.1150
सराय
 ECAD 8025 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT131 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934068688412 Ear99 8541.30.0080 2,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 1 ए 1 वी 12.5 ए, 13.7 ए ए ५ सदाचार
BYC5D-500,127 WeEn Semiconductors BYC5D-500,127 0.3960
सराय
 ECAD 5339 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC5 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2 वी @ 5 ए 16 एनएस 40 @a @ 500 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors BTA312G-600CTQ 1.0000
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa BTA312 I2pak (to-262) तंग 1 (असीमित) 934069985127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३५ सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1 वी 100 ए, 110 ए ३५ सना हुआ
BT1308W-600D,115 WeEn Semiconductors BT1308W-600D, 115 0.4700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BT1308 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 800 सना हुआ 2 वी 9 ए, 10 ए ५ सदाचार
BTA206X-800CT/L03Q WeEn Semiconductors BTA206X-800CT/L03Q 0.8600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA206 To-220f तंग 1 (असीमित) 934068526127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३५ सना हुआ तमाम 800 वी 6 ए 1 वी 60 ए, 66 ए ३५ सना हुआ
BTA208S-600B,118 WeEn Semiconductors BTA208S-600B, 118 0.3541
सराय
 ECAD 9861 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BTA208 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कसना 60 सना हुआ तमाम 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ५० सदा
BTA203-800CTQP WeEn Semiconductors BTA203-800CTQP 0.1530
सराय
 ECAD 6004 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BTA203 से 92-3 तंग Ear99 8541.30.0080 10,000 कसना ३० सना हुआ तमाम 800 वी 3 ए 1 वी 27 ए, 30 ए ३० सना हुआ
BTA208-600D,127 WeEn Semiconductors BTA208-600D, 127 0.3541
सराय
 ECAD 4637 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA208 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 72 ए ५ सदाचार
BT137S-600F,118 WeEn Semiconductors BT137S-600F, 118 0.2677
सराय
 ECAD 7225 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BT137 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कसना २० सना हुआ तमाम 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए २५ सना हुआ
NXPSC08650DJ WeEn Semiconductors NXPSC08650DJ -
सराय
 ECAD 6977 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) 934070008118 Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BT234X-600D,127 WeEn Semiconductors BT234X-600D, 127 0.2639
सराय
 ECAD 2836 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT234 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934065722127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना 6 सना हुआ तमाम 600 वी 4 ए 1 वी 35A @ 50 परत 10 सना हुआ
BTA208-600F,127 WeEn Semiconductors BTA208-600F, 127 0.3541
सराय
 ECAD 7930 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA208 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 72 ए २५ सना हुआ
BTA420Y-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA420Y-800BT, 127 0.6901
सराय
 ECAD 3767 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BTA420 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 20 ए 1 वी 200A, 220A ५० सदा
WNS40H100C,127 WeEn Semiconductors WNS40H100C, 127 0.4247
सराय
 ECAD 3137 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WNS40 schottky To-220e तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
TYN16-600CT,127 WeEn Semiconductors TYN16-600CT, 127 0.9300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 Tyn16 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066183127 Ear99 8541.30.0080 50 40 सना 600 वी 16 ए 1.3 वी 210 ए, 231 ए २५ सना हुआ 1.5 वी 10.2 ए 1 तंग तंग
BTA312-600C,127 WeEn Semiconductors BTA312-600C, 127 0.4521
सराय
 ECAD 2911 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA312 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३५ सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ३५ सना हुआ
WNSC2D0512006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0512006Q 0.8343
सराय
 ECAD 8420 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC201200CWQ 9.8340
सराय
 ECAD 9464 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 510pf @ 1V, 1MHz
BT168GWF,115 WeEn Semiconductors BT168GWF, 115 0.5300
सराय
 ECAD 38 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur To-261-4, to-261aa BT168 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 10 सना हुआ 600 वी 1 ए 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 450 µa 1.7 वी 630 एमए 100 µa अफ़राह
BTA316X-800E,127 WeEn Semiconductors BTA316X-800E, 127 0.4822
सराय
 ECAD 7378 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA316 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 800 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए 10 सना हुआ
BTA316Y-800CTQ WeEn Semiconductors BTA316Y-800CTQ 1.1600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब IITO-220E तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 40 सना तमाम 800 वी 16 ए 1 वी 160 ए, 176 ए ३५ सना हुआ
BT151X-800R,127 WeEn Semiconductors BT151X-800R, 127 0.8300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT151 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 २० सना हुआ 800 वी 12 ए 1.5 वी 120 ए, 132 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
BT137B-600F,118 WeEn Semiconductors BT137B-600F, 118 0.3059
सराय
 ECAD 2067 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BT137 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना २० सना हुआ तमाम 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए २५ सना हुआ
ACTT16X-800CTNQ WeEn Semiconductors Actt16x-800CTNQ 0.5123
सराय
 ECAD 8796 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Actt16 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934069227127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ३० सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1 वी 140 ए, 150 ए ३५ सना हुआ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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